Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
STGW40H65DFB
  • В избранное
  • В сравнение
STGW40H65DFB

STGW40H65DFB

STGW40H65DFB
;
STGW40H65DFB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGW40H65DFB
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 650V 80A 283W TO-247Все характеристики

Минимальная цена STGW40H65DFB при покупке от 1 шт 467.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW40H65DFB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW40H65DFB

STGW40H65DFB — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства STMicroelectronics. Вот основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки (UD(on)): 650 В
  • Номинальная токовая способность (Ith): 80 А
  • Удельная мощность (Ptot): 283 ВА
  • Форма корпуса: TO-247

Плюсы:

  • Высокая эффективность: Минимизация потерь тепла обеспечивает высокую эффективность работы.
  • Малый размер: Использование компактного корпуса TO-247 позволяет сэкономить место на печатной плате.
  • Стабильность работы: Устойчивость к перегреву и ударным нагрузкам.

Минусы:

  • Сложность управления: Необходимо точное управление для предотвращения перегрева.
  • Требуется дополнительное охлаждение: Для эффективной работы часто требуется внешнее охлаждение.

Общее назначение и применение:

  • Драйверы двигателей: Используются в промышленных системах управления двигателями.
  • Инверторы: Входящие в состав инверторов для преобразования напряжений.
  • Автомобильные системы: Встроены в системы управления двигателем и электронику безопасности.
  • Промышленное оборудование: Участвуют в работе различных промышленных устройств и систем.
Выбрано: Показать

Характеристики STGW40H65DFB

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    283 W
  • Энергия переключения
    498µJ (on), 363µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    210 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    40ns/142ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 5Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    62 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Base Product Number
    STGW40

Техническая документация

 STGW40H65DFB.pdf
pdf. 0 kb
  • 115 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    467 ₽
  • 10
    437 ₽
  • 30
    372 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGW40H65DFB
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 650V 80A 283W TO-247Все характеристики

Минимальная цена STGW40H65DFB при покупке от 1 шт 467.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW40H65DFB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW40H65DFB

STGW40H65DFB — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства STMicroelectronics. Вот основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки (UD(on)): 650 В
  • Номинальная токовая способность (Ith): 80 А
  • Удельная мощность (Ptot): 283 ВА
  • Форма корпуса: TO-247

Плюсы:

  • Высокая эффективность: Минимизация потерь тепла обеспечивает высокую эффективность работы.
  • Малый размер: Использование компактного корпуса TO-247 позволяет сэкономить место на печатной плате.
  • Стабильность работы: Устойчивость к перегреву и ударным нагрузкам.

Минусы:

  • Сложность управления: Необходимо точное управление для предотвращения перегрева.
  • Требуется дополнительное охлаждение: Для эффективной работы часто требуется внешнее охлаждение.

Общее назначение и применение:

  • Драйверы двигателей: Используются в промышленных системах управления двигателями.
  • Инверторы: Входящие в состав инверторов для преобразования напряжений.
  • Автомобильные системы: Встроены в системы управления двигателем и электронику безопасности.
  • Промышленное оборудование: Участвуют в работе различных промышленных устройств и систем.
Выбрано: Показать

Характеристики STGW40H65DFB

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    283 W
  • Энергия переключения
    498µJ (on), 363µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    210 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    40ns/142ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 5Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    62 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Base Product Number
    STGW40

Техническая документация

 STGW40H65DFB.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGD10HF60KDТранзистор: IGBT 600V 10A DPAK
    443Кешбэк 66 баллов
    STGF3NC120HDТранзистор: IGBT 1200V 6A 25W TO220FP
    443Кешбэк 66 баллов
    STGB10H60DFТранзистор: IGBT 600V 20A 115W D2PAK
    445Кешбэк 66 баллов
    STGW60H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO247
    445Кешбэк 66 баллов
    STGP19NC60HDТранзистор: IGBT 600V 40A 130W TO220
    445Кешбэк 66 баллов
    STGW20NC60VТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247
    446Кешбэк 66 баллов
    STGB10NC60HDT4Транзистор: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
    448Кешбэк 67 баллов
    STGP15H60DFТранзистор: IGBT 600V 30A 115W TO220
    460Кешбэк 69 баллов
    STGP3NC120HDТранзистор: IGBT 1200V 14A 75W TO220
    463Кешбэк 69 баллов
    STGWA30M65DF2Транзистор: IGBT 650V 30A TO247-3
    463Кешбэк 69 баллов
    STGW40H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 283W TO-247
    467Кешбэк 70 баллов
    STGB15M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    468Кешбэк 70 баллов
    STGB18N40LZT4Транзистор: IGBT 420V 30A 150W D2PAK
    471Кешбэк 70 баллов
    STGP20V60DFТранзистор: IGBT 600V 40A 167W TO220AB
    471Кешбэк 70 баллов
    STGB30NC60WT4Транзистор: IGBT 600V 60A 200W D2PAK
    474Кешбэк 71 балл
    STGD14NC60KT4Транзистор: IGBT 600V 25A 80W DPAK
    475Кешбэк 71 балл
    STGB19NC60HDT4Транзистор: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
    484Кешбэк 72 балла
    STGP30M65DF2IGBT 650V 30A TO-220AB
    484Кешбэк 72 балла
    STGW30M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    492Кешбэк 73 балла
    STGF19NC60KDТранзистор: IGBT 600V 16A 32W TO220FP
    498Кешбэк 74 балла
    STGP30H60DFBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    505Кешбэк 75 баллов
    STGB20NC60VТранзистор: IGBT 600V 60A 200W D2PAK
    507Кешбэк 76 баллов
    STGD7NB60ST4Транзистор: IGBT 600V 15A 55W DPAK
    513Кешбэк 76 баллов
    STGD20N40LZТранзистор: IGBT 390V 25A 125W DPAK
    526Кешбэк 78 баллов
    STGP30H60DFТранзистор: IGBT 600V 60A 260W TO220
    528Кешбэк 79 баллов
    STGB20H60DFТранзистор: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
    530Кешбэк 79 баллов
    STGB15H60DFТранзистор: IGBT 600V 30A 115W D2PAK
    542Кешбэк 81 балл
    STGB7NC60HDT4Транзистор: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
    551Кешбэк 82 балла
    STGB35N35LZ-1Транзистор: IGBT 345V 40A 176W I2PAK
    555Кешбэк 83 балла
    STGP10NB60SТранзистор: IGBT 600V 29A 80W TO220
    557Кешбэк 83 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные диоды
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторные модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП