Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT транзисторы
STGW40H65DFB-4
  • В избранное
  • В сравнение
STGW40H65DFB-4

STGW40H65DFB-4

STGW40H65DFB-4
;
STGW40H65DFB-4

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGW40H65DFB-4
  • Описание:
    Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена STGW40H65DFB-4 при покупке от 1 шт 1011.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW40H65DFB-4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW40H65DFB-4

Транзистор IGBT STGW40H65DFB-4 от STMicroelectronics:

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение вперёд-назад (VCEO): 650 В
    • Максимальная токовая способность (Imax): 40 А
    • Максимальная частота (fT): 12 кГц
    • Угол сдвига (tqg): 9 нс
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме тяжёлых нагрузок
    • Малый динамический трение (низкий коэффициент трансформации)
    • Простота управления и высокая надёжность
    • Устойчивость к перегреву и импульсным перенапряжениям
  • Минусы:
    • Высокое внутреннее сопротивление при малых токах
    • Небольшая максимальная рабочая частота по сравнению с MOSFET
    • Значительное потребление энергии при переходах между состояниями
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в электроприборах и машинах
    • Инверторы частоты для промышленного оборудования
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Энергоэффективные преобразователи
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи и инверторы
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы управления электродвигателями в бытовой технике
    • Мощные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики STGW40H65DFB-4

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    283 W
  • Энергия переключения
    200µJ (on), 410µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    210 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    40ns/142ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 5Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    62 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-4
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Base Product Number
    STGW40

Техническая документация

 STGW40H65DFB-4.pdf
pdf. 0 kb
  • 534 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 011 ₽
  • 30
    568 ₽
  • 120
    470 ₽
  • 510
    398 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGW40H65DFB-4
  • Описание:
    Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена STGW40H65DFB-4 при покупке от 1 шт 1011.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW40H65DFB-4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW40H65DFB-4

Транзистор IGBT STGW40H65DFB-4 от STMicroelectronics:

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение вперёд-назад (VCEO): 650 В
    • Максимальная токовая способность (Imax): 40 А
    • Максимальная частота (fT): 12 кГц
    • Угол сдвига (tqg): 9 нс
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме тяжёлых нагрузок
    • Малый динамический трение (низкий коэффициент трансформации)
    • Простота управления и высокая надёжность
    • Устойчивость к перегреву и импульсным перенапряжениям
  • Минусы:
    • Высокое внутреннее сопротивление при малых токах
    • Небольшая максимальная рабочая частота по сравнению с MOSFET
    • Значительное потребление энергии при переходах между состояниями
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в электроприборах и машинах
    • Инверторы частоты для промышленного оборудования
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Энергоэффективные преобразователи
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи и инверторы
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы управления электродвигателями в бытовой технике
    • Мощные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики STGW40H65DFB-4

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    283 W
  • Энергия переключения
    200µJ (on), 410µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    210 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    40ns/142ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 5Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    62 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-4
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Base Product Number
    STGW40

Техническая документация

 STGW40H65DFB-4.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGB6M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
    343Кешбэк 51 балл
    STGD20N45LZAGТранзистор: POWER TRANSISTORS
    375Кешбэк 56 баллов
    STGD25N40LZAGТранзистор: POWER TRANSISTORS
    375Кешбэк 56 баллов
    STGF20H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    383Кешбэк 57 баллов
    STGWA40IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
    414Кешбэк 62 балла
    STGF20M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP
    460Кешбэк 69 баллов
    STGF30M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP
    470Кешбэк 70 баллов
    STGB25N40LZAGТранзистор: POWER TRANSISTORS
    499Кешбэк 74 балла
    STGB20M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK
    516Кешбэк 77 баллов
    STGWA8M120DF3Транзистор: IGBT
    534Кешбэк 80 баллов
    STGB30H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
    545Кешбэк 81 балл
    STGWA30HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
    591Кешбэк 88 баллов
    STGWT40HP65FBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    591Кешбэк 88 баллов
    STGWA20HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    606Кешбэк 90 баллов
    STGWA40HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4
    626Кешбэк 93 балла
    STGWA20H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    643Кешбэк 96 баллов
    STGWA40H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
    653Кешбэк 97 баллов
    STGB30H60DLLFBAGТранзистор: IGBT
    687Кешбэк 103 балла
    STGWA50HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
    697Кешбэк 104 балла
    STGWA20IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    715Кешбэк 107 баллов
    STGWA75H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
    772Кешбэк 115 баллов
    STGWA50IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650
    776Кешбэк 116 баллов
    STGWA30H65DFBТранзистор: IGBT
    787Кешбэк 118 баллов
    STGWA30IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
    805Кешбэк 120 баллов
    STGW8M120DF3Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    839Кешбэк 125 баллов
    STGWA40H65FBТранзистор: IGBT
    974Кешбэк 146 баллов
    STGW40H65DFB-4Транзистор: IGBT
    1 011Кешбэк 151 балл
    STGP8M120DF3Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
    1 019Кешбэк 152 балла
    STGWA50M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    1 022Кешбэк 153 балла
    STGW75H65DFB2-4Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
    1 076Кешбэк 161 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули триодных тиристоров
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторные модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП