STGW8M120DF3

STGW8M120DF3

STGW8M120DF3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
STMICROELECTRONICS
Артикул:
STGW8M120DF3
Описание:
Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SEВсе характеристики

Минимальная цена STGW8M120DF3 при покупке от 1 шт 839.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW8M120DF3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW8M120DF3

STGW8M120DF3 STMicroelectronics Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

Основные параметры:

Рейтингное напряжение (V_CEO): 1200 В
Рейтингная токовая способность (I_CEO): 8 А
Предел скорости переключения (t_Ron): 15 нс
Коэффициент тепловыделения при разгоне (R_thJA): 1.9°C/W

Плюсы:

Высокая эффективность работы
Низкий коэффициент тепловыделения
Устойчивость к перенапряжению
Малый размер и легкость

Минусы:

Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
Требует более сложной системы охлаждения

Общее назначение:

Использование в мощных электронных устройствах
Применение в промышленных системах управления
Работа в источниках питания высокого напряжения

В каких устройствах применяется:

Автомобильные системы управления двигателем
Промышленные преобразователи напряжения
Системы питания для бытовой техники
Солнечные батареи и системы хранения энергии

Техническая документация