Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2

STGWA20H65DFB2

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGWA20H65DFB2
  • Описание:
    Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20Все характеристики

Минимальная цена STGWA20H65DFB2 при покупке от 1 шт 637.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA20H65DFB2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STGWA20H65DFB2

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    60 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    147 W
  • Энергия переключения
    265µJ (on), 214µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    56 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    16ns/78.8ns
  • Условие испытаний
    400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    215 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247 Long Leads
  • Base Product Number
    STGWA20
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1034 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    637 ₽
  • 10
    391 ₽
  • 100
    278 ₽
  • 600
    240 ₽
  • 1200
    204 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGWA20H65DFB2
  • Описание:
    Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20Все характеристики

Минимальная цена STGWA20H65DFB2 при покупке от 1 шт 637.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA20H65DFB2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STGWA20H65DFB2

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    60 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    147 W
  • Энергия переключения
    265µJ (on), 214µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    56 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    16ns/78.8ns
  • Условие испытаний
    400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    215 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247 Long Leads
  • Base Product Number
    STGWA20

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FGH75T65SQDNL4Транзистор: 650V/75 FAST IGBT FSIII T
    IHW50N65R6XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-TO247-3
    RJH3047ADPK-80#T2Транзистор: IGBT
    STGF20M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP
    IXYH30N170CТранзистор: 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
    IXA20I1200PZ-TUBТранзистор: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2
    HGTG20N50C1DТранзистор: 26A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    IRGB15B60KDPBF-INFТранзистор: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N
    MGW20N120Транзистор: IGBT, 28A, 1200V, N-CHANNEL, TO-
    IGT5E10CSТранзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    IHW40N60RFFKSA1Транзистор: IGBT 600V 80A 305W TO247-3
    STGW75H65DFB2-4Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
    STGF6M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
    RGWX5TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    IKD15N60RC2ATMA1Транзистор: IKD15N60RC2ATMA1
    AFGY160T65SPD-B4Транзистор: IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE
    AUIRGP4062DТранзистор: IGBT 600V 48A TO247AC
    RGTH00TK65GC11Транзистор: IGBT
    SGH15N120RUFTUТранзистор: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
    IKW50N60DTPXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
    IXGP48N60A3Транзистор: DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY TO-22
    RGW00TS65EHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    STGB20M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK
    RJP6065DPN-P1#T2Транзистор: IGBT
    IXGT32N170-TRLТранзистор: IGBT 1700V 75A 350W TO268
    HGT1S12N60B3DТранзистор: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    STGWA50M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    RGS50TSX2HRC11Транзистор: 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    RGTVX6TS65GC11Транзистор: 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
    IKA08N65ET6XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП