STGWA30H65DFB

STGWA30H65DFB

STGWA30H65DFB

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
STMicroelectronics
Артикул:
STGWA30H65DFB
Описание:
Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена STGWA30H65DFB при покупке от 1 шт 787.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA30H65DFB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWA30H65DFB

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это тип транзистора, который используется для управления током в электронных устройствах. Модель STGWA30H65DFB от компании STMicroelectronics представляет собой конкретный тип IGBT.

Основные параметры:

Управляемый напряжением: Использует напряжение на входе для управления током.
Максимальное напряжение вCollector-Emitter (V_CE): 650 В.
Максимальная токовая способность вCollector (I_C): 30 А.
Питательное напряжение (V_GS): 12 В.
Температурный класс: до +175°C.

Плюсы:

Высокая эффективность при работе в режиме частотной инверсии.
Высокая скорость переключения.
Малые потери энергии.
Устойчивость к электромагнитным помехам.

Минусы:

Высокие начальные затраты на производство.
Необходимость использования радиатора для охлаждения.
Сложность в проектировании и монтаже.

Общее назначение:

Контроль тока в электрических системах.
Перевод переменного тока в постоянный и наоборот.
Регулировка мощности в электродвигателях.

Применение в устройствах:

Автомобильные системы управления двигателем.
Инверторы для бытовых приборов.
Электродвигатели промышленного оборудования.
Солнечные панели и системы хранения энергии.

Техническая документация