Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT транзисторы
STGWA30HP65FB2
  • В избранное
  • В сравнение
STGWA30HP65FB2

STGWA30HP65FB2

STGWA30HP65FB2
;
STGWA30HP65FB2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGWA30HP65FB2
  • Описание:
    Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30Все характеристики

Минимальная цена STGWA30HP65FB2 при покупке от 1 шт 591.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA30HP65FB2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWA30HP65FB2

STGWA30HP65FB2 — это транзистор с тrench-гейтом и полевым остановом от компании STMicroelectronics. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 650 В
  • Номинальная токовая способность (ID): 30 А
  • Тип: TRENCH GATE FIELD-STOP

Плюсы:

  • Высокое напряжение: до 650 В позволяет использовать транзистор в различных приложениях с высоким напряжением.
  • Высокая токовая способность: до 30 А обеспечивает возможность работы с большим электрическим током.
  • Эффективность: благодаря тrench-гейту и полевому останову транзистор имеет низкую потери энергии при работе.

Минусы:

  • Цена: относительно высокая стоимость из-за сложной конструкции.
  • Размеры: более крупные размеры по сравнению с традиционными транзисторами.

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания для преобразования напряжения.
  • Применение в инверторах и преобразователях частоты.
  • В автомобильных системах для управления моторами и освещением.

Для применения:

  • Автомобильные системы.
  • Источники питания.
  • Преобразователи напряжения.
  • Инверторы.
  • Системы управления двигателем.
Выбрано: Показать

Характеристики STGWA30HP65FB2

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    90 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    167 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    90 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    -/71ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    140 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247 Long Leads
  • Base Product Number
    STGWA30

Техническая документация

 STGWA30HP65FB2.pdf
pdf. 0 kb
  • 527 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    591 ₽
  • 30
    319 ₽
  • 120
    258 ₽
  • 510
    214 ₽
  • 1020
    198 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGWA30HP65FB2
  • Описание:
    Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30Все характеристики

Минимальная цена STGWA30HP65FB2 при покупке от 1 шт 591.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA30HP65FB2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWA30HP65FB2

STGWA30HP65FB2 — это транзистор с тrench-гейтом и полевым остановом от компании STMicroelectronics. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 650 В
  • Номинальная токовая способность (ID): 30 А
  • Тип: TRENCH GATE FIELD-STOP

Плюсы:

  • Высокое напряжение: до 650 В позволяет использовать транзистор в различных приложениях с высоким напряжением.
  • Высокая токовая способность: до 30 А обеспечивает возможность работы с большим электрическим током.
  • Эффективность: благодаря тrench-гейту и полевому останову транзистор имеет низкую потери энергии при работе.

Минусы:

  • Цена: относительно высокая стоимость из-за сложной конструкции.
  • Размеры: более крупные размеры по сравнению с традиционными транзисторами.

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания для преобразования напряжения.
  • Применение в инверторах и преобразователях частоты.
  • В автомобильных системах для управления моторами и освещением.

Для применения:

  • Автомобильные системы.
  • Источники питания.
  • Преобразователи напряжения.
  • Инверторы.
  • Системы управления двигателем.
Выбрано: Показать

Характеристики STGWA30HP65FB2

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    90 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    167 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    90 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    -/71ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    140 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247 Long Leads
  • Base Product Number
    STGWA30

Техническая документация

 STGWA30HP65FB2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGB6M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
    343Кешбэк 51 балл
    STGD20N45LZAGТранзистор: POWER TRANSISTORS
    375Кешбэк 56 баллов
    STGD25N40LZAGТранзистор: POWER TRANSISTORS
    375Кешбэк 56 баллов
    STGF20H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    383Кешбэк 57 баллов
    STGWA40IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
    414Кешбэк 62 балла
    STGF20M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP
    460Кешбэк 69 баллов
    STGF30M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP
    470Кешбэк 70 баллов
    STGB25N40LZAGТранзистор: POWER TRANSISTORS
    499Кешбэк 74 балла
    STGB20M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK
    516Кешбэк 77 баллов
    STGWA8M120DF3Транзистор: IGBT
    534Кешбэк 80 баллов
    STGB30H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
    545Кешбэк 81 балл
    STGWA30HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
    591Кешбэк 88 баллов
    STGWT40HP65FBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    591Кешбэк 88 баллов
    STGWA20HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    606Кешбэк 90 баллов
    STGWA40HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4
    626Кешбэк 93 балла
    STGWA20H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    643Кешбэк 96 баллов
    STGWA40H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
    653Кешбэк 97 баллов
    STGB30H60DLLFBAGТранзистор: IGBT
    687Кешбэк 103 балла
    STGWA50HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
    697Кешбэк 104 балла
    STGWA20IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    715Кешбэк 107 баллов
    STGWA75H65DFB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
    772Кешбэк 115 баллов
    STGWA50IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650
    776Кешбэк 116 баллов
    STGWA30H65DFBТранзистор: IGBT
    787Кешбэк 118 баллов
    STGWA30IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
    805Кешбэк 120 баллов
    STGW8M120DF3Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    839Кешбэк 125 баллов
    STGWA40H65FBТранзистор: IGBT
    974Кешбэк 146 баллов
    STGW40H65DFB-4Транзистор: IGBT
    1 011Кешбэк 151 балл
    STGP8M120DF3Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
    1 019Кешбэк 152 балла
    STGWA50M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    1 022Кешбэк 153 балла
    STGW75H65DFB2-4Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
    1 076Кешбэк 161 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы специального назначения
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные триодные тиристоры
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП