Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
STGWA30M65DF2
  • В избранное
  • В сравнение
STGWA30M65DF2

STGWA30M65DF2

STGWA30M65DF2
;
STGWA30M65DF2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STGWA30M65DF2
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 650V 30A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена STGWA30M65DF2 при покупке от 1 шт 463.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA30M65DF2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWA30M65DF2

Транзистор STGWA30M65DF2 от STMICROELECTRONICS:

  • Igate: 150 μA
  • Vce(sat): 3.0 V (max)
  • Icase: 30 A (max)
  • Vce: 650 V
  • Упаковка: TO247-3

Основные параметры:

  • Максимальный ток в цольце (Icase): 30 А
  • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером (Vce): 650 В
  • Максимальное напряжение на гейте (Vg): 20 В
  • Максимальная мощность (Pd(max)): 100 ВА
  • Напряжение на гейте для достижения 10% тока (Vge(th)): 4.5 В

Плюсы:

  • Высокая проводимость в насыщенном режиме
  • Низкое напряжение в сатурации (Vce(sat))
  • Высокая надежность и долговечность
  • Экономичное использование энергии
  • Удобство управления

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Сложность в проектировании защитных схем

Общее назначение:

  • Передача и управление электрической энергией в силовых системах
  • Превращение переменного тока в постоянный (инверторы)
  • Контроль мощности в промышленных устройствах
  • Автомобильных системах (например, регулирование заряда батареи)

В каких устройствах применяется:

  • Инверторы для бытовых приборов
  • Промышленные преобразователи частоты
  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Системы питания и управления в серверных шкафах
  • Энергоэффективные решения в бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики STGWA30M65DF2

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    258 W
  • Энергия переключения
    300µJ (on), 960µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    80 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    31.6ns/115ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    140 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247 Long Leads
  • Base Product Number
    STGWA30

Техническая документация

 STGWA30M65DF2.pdf
pdf. 0 kb
  • 72 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    463 ₽
  • 10
    406 ₽
  • 100
    335 ₽
  • 500
    302 ₽
  • 1000
    282 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STGWA30M65DF2
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 650V 30A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена STGWA30M65DF2 при покупке от 1 шт 463.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA30M65DF2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWA30M65DF2

Транзистор STGWA30M65DF2 от STMICROELECTRONICS:

  • Igate: 150 μA
  • Vce(sat): 3.0 V (max)
  • Icase: 30 A (max)
  • Vce: 650 V
  • Упаковка: TO247-3

Основные параметры:

  • Максимальный ток в цольце (Icase): 30 А
  • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером (Vce): 650 В
  • Максимальное напряжение на гейте (Vg): 20 В
  • Максимальная мощность (Pd(max)): 100 ВА
  • Напряжение на гейте для достижения 10% тока (Vge(th)): 4.5 В

Плюсы:

  • Высокая проводимость в насыщенном режиме
  • Низкое напряжение в сатурации (Vce(sat))
  • Высокая надежность и долговечность
  • Экономичное использование энергии
  • Удобство управления

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Сложность в проектировании защитных схем

Общее назначение:

  • Передача и управление электрической энергией в силовых системах
  • Превращение переменного тока в постоянный (инверторы)
  • Контроль мощности в промышленных устройствах
  • Автомобильных системах (например, регулирование заряда батареи)

В каких устройствах применяется:

  • Инверторы для бытовых приборов
  • Промышленные преобразователи частоты
  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Системы питания и управления в серверных шкафах
  • Энергоэффективные решения в бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики STGWA30M65DF2

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    258 W
  • Энергия переключения
    300µJ (on), 960µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    80 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    31.6ns/115ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    140 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247 Long Leads
  • Base Product Number
    STGWA30

Техническая документация

 STGWA30M65DF2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGD10HF60KDТранзистор: IGBT 600V 10A DPAK
    443Кешбэк 66 баллов
    STGF3NC120HDТранзистор: IGBT 1200V 6A 25W TO220FP
    443Кешбэк 66 баллов
    STGB10H60DFТранзистор: IGBT 600V 20A 115W D2PAK
    445Кешбэк 66 баллов
    STGW60H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO247
    445Кешбэк 66 баллов
    STGP19NC60HDТранзистор: IGBT 600V 40A 130W TO220
    445Кешбэк 66 баллов
    STGW20NC60VТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247
    446Кешбэк 66 баллов
    STGB10NC60HDT4Транзистор: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
    448Кешбэк 67 баллов
    STGP15H60DFТранзистор: IGBT 600V 30A 115W TO220
    460Кешбэк 69 баллов
    STGP3NC120HDТранзистор: IGBT 1200V 14A 75W TO220
    463Кешбэк 69 баллов
    STGWA30M65DF2Транзистор: IGBT 650V 30A TO247-3
    463Кешбэк 69 баллов
    STGW40H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 283W TO-247
    467Кешбэк 70 баллов
    STGB15M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    468Кешбэк 70 баллов
    STGB18N40LZT4Транзистор: IGBT 420V 30A 150W D2PAK
    471Кешбэк 70 баллов
    STGP20V60DFТранзистор: IGBT 600V 40A 167W TO220AB
    471Кешбэк 70 баллов
    STGB30NC60WT4Транзистор: IGBT 600V 60A 200W D2PAK
    474Кешбэк 71 балл
    STGD14NC60KT4Транзистор: IGBT 600V 25A 80W DPAK
    475Кешбэк 71 балл
    STGB19NC60HDT4Транзистор: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
    484Кешбэк 72 балла
    STGP30M65DF2IGBT 650V 30A TO-220AB
    484Кешбэк 72 балла
    STGW30M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    492Кешбэк 73 балла
    STGF19NC60KDТранзистор: IGBT 600V 16A 32W TO220FP
    498Кешбэк 74 балла
    STGP30H60DFBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    505Кешбэк 75 баллов
    STGB20NC60VТранзистор: IGBT 600V 60A 200W D2PAK
    507Кешбэк 76 баллов
    STGD7NB60ST4Транзистор: IGBT 600V 15A 55W DPAK
    513Кешбэк 76 баллов
    STGD20N40LZТранзистор: IGBT 390V 25A 125W DPAK
    526Кешбэк 78 баллов
    STGP30H60DFТранзистор: IGBT 600V 60A 260W TO220
    528Кешбэк 79 баллов
    STGB20H60DFТранзистор: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
    530Кешбэк 79 баллов
    STGB15H60DFТранзистор: IGBT 600V 30A 115W D2PAK
    542Кешбэк 81 балл
    STGB7NC60HDT4Транзистор: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
    551Кешбэк 82 балла
    STGB35N35LZ-1Транзистор: IGBT 345V 40A 176W I2PAK
    555Кешбэк 83 балла
    STGP10NB60SТранзистор: IGBT 600V 29A 80W TO220
    557Кешбэк 83 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП