Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
STGWA30M65DF2
  • В избранное
  • В сравнение
STGWA30M65DF2

STGWA30M65DF2

STGWA30M65DF2
;
STGWA30M65DF2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STGWA30M65DF2
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 650V 30A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена STGWA30M65DF2 при покупке от 1 шт 463.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA30M65DF2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWA30M65DF2

Транзистор STGWA30M65DF2 от STMICROELECTRONICS:

  • Igate: 150 μA
  • Vce(sat): 3.0 V (max)
  • Icase: 30 A (max)
  • Vce: 650 V
  • Упаковка: TO247-3

Основные параметры:

  • Максимальный ток в цольце (Icase): 30 А
  • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером (Vce): 650 В
  • Максимальное напряжение на гейте (Vg): 20 В
  • Максимальная мощность (Pd(max)): 100 ВА
  • Напряжение на гейте для достижения 10% тока (Vge(th)): 4.5 В

Плюсы:

  • Высокая проводимость в насыщенном режиме
  • Низкое напряжение в сатурации (Vce(sat))
  • Высокая надежность и долговечность
  • Экономичное использование энергии
  • Удобство управления

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Сложность в проектировании защитных схем

Общее назначение:

  • Передача и управление электрической энергией в силовых системах
  • Превращение переменного тока в постоянный (инверторы)
  • Контроль мощности в промышленных устройствах
  • Автомобильных системах (например, регулирование заряда батареи)

В каких устройствах применяется:

  • Инверторы для бытовых приборов
  • Промышленные преобразователи частоты
  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Системы питания и управления в серверных шкафах
  • Энергоэффективные решения в бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики STGWA30M65DF2

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    258 W
  • Энергия переключения
    300µJ (on), 960µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    80 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    31.6ns/115ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    140 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247 Long Leads
  • Base Product Number
    STGWA30

Техническая документация

 STGWA30M65DF2.pdf
pdf. 0 kb
  • 72 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    463 ₽
  • 10
    406 ₽
  • 100
    335 ₽
  • 500
    302 ₽
  • 1000
    282 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STGWA30M65DF2
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 650V 30A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена STGWA30M65DF2 при покупке от 1 шт 463.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA30M65DF2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWA30M65DF2

Транзистор STGWA30M65DF2 от STMICROELECTRONICS:

  • Igate: 150 μA
  • Vce(sat): 3.0 V (max)
  • Icase: 30 A (max)
  • Vce: 650 V
  • Упаковка: TO247-3

Основные параметры:

  • Максимальный ток в цольце (Icase): 30 А
  • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером (Vce): 650 В
  • Максимальное напряжение на гейте (Vg): 20 В
  • Максимальная мощность (Pd(max)): 100 ВА
  • Напряжение на гейте для достижения 10% тока (Vge(th)): 4.5 В

Плюсы:

  • Высокая проводимость в насыщенном режиме
  • Низкое напряжение в сатурации (Vce(sat))
  • Высокая надежность и долговечность
  • Экономичное использование энергии
  • Удобство управления

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Сложность в проектировании защитных схем

Общее назначение:

  • Передача и управление электрической энергией в силовых системах
  • Превращение переменного тока в постоянный (инверторы)
  • Контроль мощности в промышленных устройствах
  • Автомобильных системах (например, регулирование заряда батареи)

В каких устройствах применяется:

  • Инверторы для бытовых приборов
  • Промышленные преобразователи частоты
  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Системы питания и управления в серверных шкафах
  • Энергоэффективные решения в бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики STGWA30M65DF2

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    258 W
  • Энергия переключения
    300µJ (on), 960µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    80 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    31.6ns/115ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    140 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247 Long Leads
  • Base Product Number
    STGWA30

Техническая документация

 STGWA30M65DF2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IKP20N65F5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
    659Кешбэк 98 баллов
    IGP30N60H3XKSA1Транзистор: IGBT 600V 60A 187W TO220-3
    697Кешбэк 104 балла
    IHW20N120R5XKSA1Транзистор: IGBT 1200V 40A TO247-3
    796Кешбэк 119 баллов
    IHW30N110R3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3
    864Кешбэк 129 баллов
    IKW40N65H5FKSA1Транзистор: IGBT 650V 74A TO247-3
    866Кешбэк 129 баллов
    IKW50N65EH5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
    954Кешбэк 143 балла
    IKW75N65ES5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
    1 206Кешбэк 180 баллов
    IKZ50N65EH5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
    1 272Кешбэк 190 баллов
    IGW100N60H3FKSA1Транзистор: IGBT 600V 140A TO247-3
    1 576Кешбэк 236 баллов
    IGZ100N65H5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4
    1 605Кешбэк 240 баллов
    AUIRG4PH50SТранзистор: IGBT 1200V 57A TO247AC
    2 295Кешбэк 344 балла
    AUIRGDC0250Транзистор: IGBT 1200V 141A 543W TO-220
    2 980Кешбэк 447 баллов
    IXBH16N170AТранзистор: IGBT 1700V 16A 150W TO247AD
    3 593Кешбэк 538 баллов
    IXYX140N90C3Транзистор: IGBT 900V 310A 1630W TO247
    4 499Кешбэк 674 балла
    IXBT42N300HVТранзистор: IGBT 3000V 42A 357W TO268
    10 415Кешбэк 1 562 балла
    FGD5T120SHТранзистор: IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
    424Кешбэк 63 балла
    FGH40N60UFDTUТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
    646Кешбэк 96 баллов
    ISL9V5036S3STТранзистор: IGBT 390V 46A 250W TO263AB
    722Кешбэк 108 баллов
    FGH40N60SMDТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
    766Кешбэк 114 баллов
    FGA60N65SMDТранзистор: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
    885Кешбэк 132 балла
    FGH40N60SFDTUТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
    897Кешбэк 134 балла
    FGH60N60SMDТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
    1 256Кешбэк 188 баллов
    FGH40T120SMDТранзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    1 725Кешбэк 258 баллов
    GT30J121(Q)Транзистор: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
    781Кешбэк 117 баллов
    AOD5B65M1Транзистор: IGBT 650V 5A TO252
    336Кешбэк 50 баллов
    FGP20N6S2Транзистор: N-CHANNEL IGBT
    144Кешбэк 21 балл
    FGB20N6S2Транзистор: N-CHANNEL IGBT
    182Кешбэк 27 баллов
    HGTP12N60A4Транзистор: UFS SERIES N-CH IGBT
    201Кешбэк 30 баллов
    FGH20N6S2DТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    230Кешбэк 34 балла
    FGPF70N30TDTUТранзистор: IGBT 300V 49.2W TO220F
    236Кешбэк 35 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП