Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
STGWA8M120DF3
STGWA8M120DF3

STGWA8M120DF3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGWA8M120DF3
  • Описание:
    Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена STGWA8M120DF3 при покупке от 1 шт 785.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA8M120DF3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STGWA8M120DF3

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    16 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    32 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 8A
  • Рассеивание мощности
    167 W
  • Энергия переключения
    390µJ (on), 370µJ (Off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    32 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    20ns/126ns
  • Условие испытаний
    600V, 8A, 33Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    103 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247 Long Leads
  • Base Product Number
    STGWA8
Техническая документация
 STGWA8M120DF3.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 372 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    785 ₽
  • 10
    515 ₽
  • 100
    363 ₽
  • 600
    292 ₽
  • 1200
    272 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGWA8M120DF3
  • Описание:
    Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена STGWA8M120DF3 при покупке от 1 шт 785.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA8M120DF3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STGWA8M120DF3

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    16 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    32 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 8A
  • Рассеивание мощности
    167 W
  • Энергия переключения
    390µJ (on), 370µJ (Off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    32 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    20ns/126ns
  • Условие испытаний
    600V, 8A, 33Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    103 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247 Long Leads
  • Base Product Number
    STGWA8
Техническая документация
 STGWA8M120DF3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HGTD3N60C3Транзистор: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    RGW80TS65CHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    RGSX5TS65EGC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    AFGHL50T65SQDТранзистор: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE
    RGW00TS65HRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    RGW00TS65EHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    FGH75T65SHDT-F155IGBT 650V 150A 455W TO-247
    ISL9V5036P3-F085IGBT 390V 46A TO220-3
    IKQ75N120CS6XKSA1Транзистор: IGBT 1200V 75A TO247-3-46
    RGSX5TS65EHRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    IXYT30N450HVТранзистор: IGBT
    IKD04N60RATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 8A TO252-3
    RGT20NL65GTLТранзистор: 650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
    IKW40N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    MGP20N36CLТранзистор: IGBT T0220 360V CL
    FGY75T120SQDNТранзистор: IGBT 1200V 75A UFS
    STGW75H65DFB2-4Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
    IKWH50N65WR6XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH
    RGW60TS65CHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    NGB8206NT4GТранзистор: IGBT 390V 20A D2PAK
    FGH75T65SHDTLN4Транзистор: FS3 T TO247 75A 650V 4WL
    RGS00TS65HRC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT.
    NGB8206NTF4GТранзистор: IGBT 390V 20A D2PAK
    FGH75T65SHD-F155IGBT TRENCH/FS 650V 150A TO247
    RGW50TS65GC11Транзистор: 650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    HGTP3N60B3Транзистор: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    AFGY160T65SPD-B4Транзистор: IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE
    RGW40TS65DGC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    IKB15N65EH5ATMA1Транзистор: INDUSTRY 14
    AIKW30N60CTXKSA1Транзистор: IC DISCRETE 600V TO247-3

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП