Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
STGWA8M120DF3

STGWA8M120DF3

STGWA8M120DF3
;
STGWA8M120DF3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена STGWA8M120DF3 при покупке от 1 шт 532.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA8M120DF3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWA8M120DF3

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение стока-анода VCEO
    • Максимальный ток стока ITO
    • Эффективная трансформация потерь при работе PON
    • Частота работы fRMS
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в широком диапазоне рабочих условий
    • Легкое управление благодаря полевому транзистору на входе
    • Низкий ток утечки при отключенном сигнале
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Замедленная скорость включения и выключения по сравнению с MOSFET
    • Высокие потери при частоте работы выше определенного порога
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоковольтных моделей
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в электропитании
    • Привод управления двигателями
    • Регулировка напряжения в солнечных батареях и аккумуляторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобили (системы привода)
    • Системы энергоснабжения
    • Машинно-строительная техника
    • Приборы обработки материалов
Выбрано: Показать

Характеристики STGWA8M120DF3

Техническая документация

STGWA8M120DF3.pdf
pdf. 0 kb
  • 4 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    532 ₽
  • 10
    464 ₽
  • 100
    385 ₽
  • 500
    345 ₽
  • 1000
    334 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена STGWA8M120DF3 при покупке от 1 шт 532.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA8M120DF3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWA8M120DF3

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение стока-анода VCEO
    • Максимальный ток стока ITO
    • Эффективная трансформация потерь при работе PON
    • Частота работы fRMS
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в широком диапазоне рабочих условий
    • Легкое управление благодаря полевому транзистору на входе
    • Низкий ток утечки при отключенном сигнале
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Замедленная скорость включения и выключения по сравнению с MOSFET
    • Высокие потери при частоте работы выше определенного порога
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоковольтных моделей
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в электропитании
    • Привод управления двигателями
    • Регулировка напряжения в солнечных батареях и аккумуляторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобили (системы привода)
    • Системы энергоснабжения
    • Машинно-строительная техника
    • Приборы обработки материалов
Выбрано: Показать

Характеристики STGWA8M120DF3

Техническая документация

STGWA8M120DF3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории