STGWA8M120DF3

STGWA8M120DF3

STGWA8M120DF3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
STMICROELECTRONICS
Артикул:
STGWA8M120DF3
Описание:
Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена STGWA8M120DF3 при покупке от 1 шт 534.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWA8M120DF3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWA8M120DF3

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Основные параметры:
- Максимальное напряжение стока-анода V_CEO
- Максимальный ток стока I_TO
- Эффективная трансформация потерь при работе P_ON
- Частота работы f_RMS
Плюсы:
- Высокая эффективность в широком диапазоне рабочих условий
- Легкое управление благодаря полевому транзистору на входе
- Низкий ток утечки при отключенном сигнале
- Устойчивость к перегреву и перенапряжению
Минусы:
- Замедленная скорость включения и выключения по сравнению с MOSFET
- Высокие потери при частоте работы выше определенного порога
- Требуется дополнительное охлаждение для высоковольтных моделей
Общее назначение:
- Контроль мощности в электропитании
- Привод управления двигателями
- Регулировка напряжения в солнечных батареях и аккумуляторах
В каких устройствах применяется:
- Автомобили (системы привода)
- Системы энергоснабжения
- Машинно-строительная техника
- Приборы обработки материалов

Техническая документация