Вход/Регистрация
IXGH6N170Транзистор: IGBT 1700V 12A 75W TO247
STGWT80H65DFB
STGWT80H65DFB
- Производитель:STMicroelectronics
- Артикул:STGWT80H65DFB
- Описание:Транзистор: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3LВсе характеристики
Минимальная цена STGWT80H65DFB при покупке от 1 шт 1320.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWT80H65DFB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 223 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 11 320 ₽
- 30758 ₽
- 120634 ₽
- 510544 ₽
- 1020541 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:STMicroelectronics
- Артикул:STGWT80H65DFB
- Описание:Транзистор: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3LВсе характеристики
Минимальная цена STGWT80H65DFB при покупке от 1 шт 1320.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWT80H65DFB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание STGWT80H65DFB
STGWT80H65DFB — транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:
- Номинальное напряжение: 650В
- Номинальный ток: 120А
- Мощность: 469ВА
- Компактная конструкция: TO3P-3L
Плюсы:
- Высокая эффективность работы
- Долговечность
- Устойчивость к перегрузкам
- Низкий уровень шума при работе
Минусы:
- Высокие требования к проектированию системы охлаждения
- Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
Общее назначение:
- Использование в промышленных преобразователях частоты
- Работа в инверторах питания
- Применение в системах управления электродвигателями
- Работа в источниках бесперебойного питания
Эти транзисторы широко используются в устройствах, требующих высокой мощности и точного контроля над током, таких как промышленное оборудование, автомобили и электроприборы.
Выбрано: Показать
Характеристики STGWT80H65DFB
Техническая документация
STGWT80H65DFB.pdf pdf. 0 kb