Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
STL210N4LF7AG
  • В избранное
  • В сравнение
STL210N4LF7AG

STL210N4LF7AG

STL210N4LF7AG
;
STL210N4LF7AG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STL210N4LF7AG
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLATВсе характеристики

Минимальная цена STL210N4LF7AG при покупке от 1 шт 560.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STL210N4LF7AG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STL210N4LF7AG

STL210N4LF7AG STMicroelectronics

  • MOSFET N-CH
  • Номинальное напряжение блокировки VGS(th): 4.0 В
  • Номинальная токовая способность ID(on): 120 А
  • Номинальное напряжение блокировки VDS: 40 В
  • Форм-фактор: POWERFLAT

Основные параметры:

  • Высокая токовая способность позволяет использовать этот транзистор для управления большими токами.
  • Низкое напряжение блокировки VGS(th) обеспечивает более эффективное управление.
  • Свободное поле в 40 В гарантирует надежную работу в различных приложениях.
  • POWERFLAT форм-фактор обеспечивает компактность и легкость установки.

Плюсы:

  • Высокая токовая способность и мощность.
  • Низкое напряжение блокировки для экономии энергии.
  • Долговечность и надежность благодаря стабильным характеристикам.
  • Компактный размер благодаря форм-фактору POWERFLAT.

Минусы:

  • Высокие токи могут потребовать специального охлаждения.
  • Требует точного подбора сопротивления нагрузки для оптимальной работы.

Общее назначение:

  • Используется для управления токами в силовых электронных системах.
  • Применяется в инверторах, преобразователях напряжения, электромобилях и других устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания и управления.
  • Силовые преобразователи.
  • Электрические машины и приводы.
  • Системы управления энергопотреблением.
Выбрано: Показать

Характеристики STL210N4LF7AG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4210 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerFlat™ (5x6)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    STL210
  • 2179 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    560 ₽
  • 10
    362 ₽
  • 100
    250 ₽
  • 500
    208 ₽
  • 3000
    170 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STL210N4LF7AG
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLATВсе характеристики

Минимальная цена STL210N4LF7AG при покупке от 1 шт 560.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STL210N4LF7AG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STL210N4LF7AG

STL210N4LF7AG STMicroelectronics

  • MOSFET N-CH
  • Номинальное напряжение блокировки VGS(th): 4.0 В
  • Номинальная токовая способность ID(on): 120 А
  • Номинальное напряжение блокировки VDS: 40 В
  • Форм-фактор: POWERFLAT

Основные параметры:

  • Высокая токовая способность позволяет использовать этот транзистор для управления большими токами.
  • Низкое напряжение блокировки VGS(th) обеспечивает более эффективное управление.
  • Свободное поле в 40 В гарантирует надежную работу в различных приложениях.
  • POWERFLAT форм-фактор обеспечивает компактность и легкость установки.

Плюсы:

  • Высокая токовая способность и мощность.
  • Низкое напряжение блокировки для экономии энергии.
  • Долговечность и надежность благодаря стабильным характеристикам.
  • Компактный размер благодаря форм-фактору POWERFLAT.

Минусы:

  • Высокие токи могут потребовать специального охлаждения.
  • Требует точного подбора сопротивления нагрузки для оптимальной работы.

Общее назначение:

  • Используется для управления токами в силовых электронных системах.
  • Применяется в инверторах, преобразователях напряжения, электромобилях и других устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания и управления.
  • Силовые преобразователи.
  • Электрические машины и приводы.
  • Системы управления энергопотреблением.
Выбрано: Показать

Характеристики STL210N4LF7AG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4210 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerFlat™ (5x6)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    STL210

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STD3N95K5AGMOSFET N-CH 950V 2A DPAK
    482Кешбэк 72 балла
    STI6N95K5NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET
    482Кешбэк 72 балла
    STF18N60M6MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
    484Кешбэк 72 балла
    STD16N60M6MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
    488Кешбэк 73 балла
    STD40P8F6AGMOSFET P-CH 80V DPAK
    489Кешбэк 73 балла
    STP6N90K5MOSFET N-CH 900V 6A TO220
    493Кешбэк 73 балла
    STB5N80K5MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
    499Кешбэк 74 балла
    STF6N90K5MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
    505Кешбэк 75 баллов
    STI6N90K5MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
    510Кешбэк 76 баллов
    STU6N90K5MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
    512Кешбэк 76 баллов
    STP7N90K5MOSFET N-CH 900V 7A TO220
    520Кешбэк 78 баллов
    STB16N90K5MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
    531Кешбэк 79 баллов
    STL260N4F7MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
    535Кешбэк 80 баллов
    STL190N4F7AGMOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
    539Кешбэк 80 баллов
    STL210N4LF7AGТранзистор: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
    560Кешбэк 84 балла
    STI24N60M6MOSFET N-CH 600V I2PAK
    564Кешбэк 84 балла
    STD6N90K5MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
    579Кешбэк 86 баллов
    STF7N90K5MOSFET N-CH 900V 7A TO220FP
    584Кешбэк 87 баллов
    STFH13N60M2MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
    598Кешбэк 89 баллов
    STL260N4LF7N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
    600Кешбэк 90 баллов
    STB18N60M6MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
    601Кешбэк 90 баллов
    STL24N60DM2MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
    607Кешбэк 91 балл
    STL115N10F7AGMOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
    607Кешбэк 91 балл
    STP24N60M6MOSFET N-CH 600V TO220
    607Кешбэк 91 балл
    STD7N90K5MOSFET N-CH 900V 7A DPAK
    613Кешбэк 91 балл
    STW7N90K5MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3
    615Кешбэк 92 балла
    STB80NF55-08AGMOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK
    621Кешбэк 93 балла
    STF16N60M6MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP
    624Кешбэк 93 балла
    STI28N60M2MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
    632Кешбэк 94 балла
    STW6N90K5MOSFET N-CH 900V 6A TO247
    649Кешбэк 97 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП