Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
STL210N4LF7AG
  • В избранное
  • В сравнение
STL210N4LF7AG

STL210N4LF7AG

STL210N4LF7AG
;
STL210N4LF7AG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STL210N4LF7AG
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLATВсе характеристики

Минимальная цена STL210N4LF7AG при покупке от 1 шт 547.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STL210N4LF7AG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STL210N4LF7AG

STL210N4LF7AG STMicroelectronics

  • MOSFET N-CH
  • Номинальное напряжение блокировки VGS(th): 4.0 В
  • Номинальная токовая способность ID(on): 120 А
  • Номинальное напряжение блокировки VDS: 40 В
  • Форм-фактор: POWERFLAT

Основные параметры:

  • Высокая токовая способность позволяет использовать этот транзистор для управления большими токами.
  • Низкое напряжение блокировки VGS(th) обеспечивает более эффективное управление.
  • Свободное поле в 40 В гарантирует надежную работу в различных приложениях.
  • POWERFLAT форм-фактор обеспечивает компактность и легкость установки.

Плюсы:

  • Высокая токовая способность и мощность.
  • Низкое напряжение блокировки для экономии энергии.
  • Долговечность и надежность благодаря стабильным характеристикам.
  • Компактный размер благодаря форм-фактору POWERFLAT.

Минусы:

  • Высокие токи могут потребовать специального охлаждения.
  • Требует точного подбора сопротивления нагрузки для оптимальной работы.

Общее назначение:

  • Используется для управления токами в силовых электронных системах.
  • Применяется в инверторах, преобразователях напряжения, электромобилях и других устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания и управления.
  • Силовые преобразователи.
  • Электрические машины и приводы.
  • Системы управления энергопотреблением.
Выбрано: Показать

Характеристики STL210N4LF7AG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4210 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerFlat™ (5x6)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    STL210
  • 2179 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    547 ₽
  • 10
    354 ₽
  • 100
    244 ₽
  • 500
    203 ₽
  • 3000
    166 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STL210N4LF7AG
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLATВсе характеристики

Минимальная цена STL210N4LF7AG при покупке от 1 шт 547.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STL210N4LF7AG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STL210N4LF7AG

STL210N4LF7AG STMicroelectronics

  • MOSFET N-CH
  • Номинальное напряжение блокировки VGS(th): 4.0 В
  • Номинальная токовая способность ID(on): 120 А
  • Номинальное напряжение блокировки VDS: 40 В
  • Форм-фактор: POWERFLAT

Основные параметры:

  • Высокая токовая способность позволяет использовать этот транзистор для управления большими токами.
  • Низкое напряжение блокировки VGS(th) обеспечивает более эффективное управление.
  • Свободное поле в 40 В гарантирует надежную работу в различных приложениях.
  • POWERFLAT форм-фактор обеспечивает компактность и легкость установки.

Плюсы:

  • Высокая токовая способность и мощность.
  • Низкое напряжение блокировки для экономии энергии.
  • Долговечность и надежность благодаря стабильным характеристикам.
  • Компактный размер благодаря форм-фактору POWERFLAT.

Минусы:

  • Высокие токи могут потребовать специального охлаждения.
  • Требует точного подбора сопротивления нагрузки для оптимальной работы.

Общее назначение:

  • Используется для управления токами в силовых электронных системах.
  • Применяется в инверторах, преобразователях напряжения, электромобилях и других устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания и управления.
  • Силовые преобразователи.
  • Электрические машины и приводы.
  • Системы управления энергопотреблением.
Выбрано: Показать

Характеристики STL210N4LF7AG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4210 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerFlat™ (5x6)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    STL210

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK1850(0)-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    593Кешбэк 88 баллов
    EPC2054TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
    463Кешбэк 69 баллов
    SI3407DV-T1-BE3MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
    48Кешбэк 7 баллов
    FCPF380N60-F152600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
    143Кешбэк 21 балл
    RJK03K6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    182Кешбэк 27 баллов
    CPH6614-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    39Кешбэк 5 баллов
    FDC021N30MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
    85Кешбэк 12 баллов
    2SK1399-T2B-ASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    41Кешбэк 6 баллов
    ISS55EP06LMXTSA1MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    HUF76105SK8TN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    3SK323UG-TL-EТранзистор: N-CHANNEL DUAL GATE MOSFET
    117Кешбэк 17 баллов
    2SK1589-T1B-ATSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    70Кешбэк 10 баллов
    2SK3486-TD-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    52Кешбэк 7 баллов
    FDA20N50MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
    673Кешбэк 100 баллов
    SI3460DDV-T1-BE3N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    122Кешбэк 18 баллов
    MTB10N40EN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    SI3430DV-T1-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
    332Кешбэк 49 баллов
    IRFS614BN-CHANNEL POWER MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    SQJ464EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
    282Кешбэк 42 балла
    IRF723N-CHANNEL POWER MOSFET
    211Кешбэк 31 балл
    ISL9N310AS3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN2058UW-7Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
    63Кешбэк 9 баллов
    HUF76121D3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    119Кешбэк 17 баллов
    MTP5P25P-CHANNEL POWER MOSFET
    159Кешбэк 23 балла
    SIA483ADJ-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    RFP10P15P-CHANNEL POWER MOSFET
    489Кешбэк 73 балла
    STL9P3LLH6MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
    285Кешбэк 42 балла
    TBB1010KMTL-EТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    IPP60R950C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
    122Кешбэк 18 баллов
    SPB80N03S2L0580A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП