Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STP10NM60ND
  • В избранное
  • В сравнение
STP10NM60ND

STP10NM60ND

STP10NM60ND
;
STP10NM60ND

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP10NM60ND
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 8A TO220Все характеристики

Минимальная цена STP10NM60ND при покупке от 1 шт 482.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP10NM60ND с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP10NM60ND

STP10NM60ND STMicroelectronics MOSFET N-канальный:

  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
  • Номинальный ток (ID(on)): 8А
  • Тип корпуса: TO220

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Низкое сопротивление при прохождении тока (RD(on))
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и легкий вес

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Нужен правильный выбор и подключение защитных устройств (например, диодов от обратного тока)

Общее назначение:

  • Регулировка напряжения в электронных устройствах
  • Переключение высоких токов в силовых цепях
  • Изоляция логических сигналов от силовых цепей

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Электроприборах
  • Инверторах
  • Силовых преобразователях
  • Иllumination systems (светотехника)
Выбрано: Показать

Характеристики STP10NM60ND

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    577 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    70W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP10
  • 626 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    482 ₽
  • 50
    236 ₽
  • 100
    213 ₽
  • 500
    171 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP10NM60ND
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 8A TO220Все характеристики

Минимальная цена STP10NM60ND при покупке от 1 шт 482.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP10NM60ND с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP10NM60ND

STP10NM60ND STMicroelectronics MOSFET N-канальный:

  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
  • Номинальный ток (ID(on)): 8А
  • Тип корпуса: TO220

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Низкое сопротивление при прохождении тока (RD(on))
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и легкий вес

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Нужен правильный выбор и подключение защитных устройств (например, диодов от обратного тока)

Общее назначение:

  • Регулировка напряжения в электронных устройствах
  • Переключение высоких токов в силовых цепях
  • Изоляция логических сигналов от силовых цепей

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Электроприборах
  • Инверторах
  • Силовых преобразователях
  • Иllumination systems (светотехника)
Выбрано: Показать

Характеристики STP10NM60ND

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    577 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    70W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP10

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTR0202PLT1GMOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
    19.6Кешбэк 2 балла
    VN2410L-GMOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
    203Кешбэк 30 баллов
    STF7N80K5MOSFET N CH 800V 6A TO220FP
    546Кешбэк 81 балл
    STF57N65M5MOSFET N-CH 650V 42A TO220FP
    1 885Кешбэк 282 балла
    IRFI720GPBFMOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3
    542Кешбэк 81 балл
    R6004ENJTLMOSFET N-CH 600V 4A LPTS
    379Кешбэк 56 баллов
    CSD18531Q5AMOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
    248Кешбэк 37 баллов
    NTMFS4C55NT1GТранзистор: MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL
    71Кешбэк 10 баллов
    IPB60R280P6ATMA1MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
    497Кешбэк 74 балла
    STF15N95K5MOSFET N-CH 950V 12A TO220FP
    696Кешбэк 104 балла
    IRF9Z14SPBFMOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
    445Кешбэк 66 баллов
    IPB240N04S41R0ATMA1MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7
    818Кешбэк 122 балла
    IRFI9640GPBFMOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3
    336Кешбэк 50 баллов
    IPP120N20NFDAKSA1MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
    924Кешбэк 138 баллов
    STB24N60DM2MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
    655Кешбэк 98 баллов
    IXTT10N100D2MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
    4 033Кешбэк 604 балла
    STU6N95K5Транзистор: MOSFET N-CH 950V 9A IPAK
    294Кешбэк 44 балла
    SIHP12N50E-GE3MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB
    345Кешбэк 51 балл
    STF10N62K3MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP
    509Кешбэк 76 баллов
    IRLZ14PBFMOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
    285Кешбэк 42 балла
    FDG330PMOSFET P-CH 12V 2A SC88
    188Кешбэк 28 баллов
    IRFP260MPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
    621Кешбэк 93 балла
    STF13N95K3MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP
    1 205Кешбэк 180 баллов
    PSMN8R5-100ESQPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
    298Кешбэк 44 балла
    IRFR9120MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
    270Кешбэк 40 баллов
    IRF740ALPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
    343Кешбэк 51 балл
    HUFA76639P3MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
    182Кешбэк 27 баллов
    BUK7E2R7-30B,127MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
    563Кешбэк 84 балла
    ZXMP4A16GQTAMOSFET P-CH 40V SOT223
    263Кешбэк 39 баллов
    SIHG47N60E-E3MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
    1 920Кешбэк 288 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы специального назначения
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП