Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STP120NF10
  • В избранное
  • В сравнение
STP120NF10

STP120NF10

STP120NF10
;
STP120NF10

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP120NF10
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 110A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена STP120NF10 при покупке от 1 шт 608.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP120NF10 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP120NF10

STP120NF10 STMicroelectronics Транзистор: MOSFET N-CH 100В 110А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение сток-емкость (VDS(on)): 100В
    • Максимальный ток стока (ID(max)): 110А
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Форм-фактор: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе
    • Малый ток утечки
    • Низкий коэффициент температурной зависимости
    • Малые размеры и легкость
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрева и перетока
    • Необходимо соблюдение правил по охлаждению
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электропитании устройств
    • Переключение высоких токов
    • Усиление сигналов
    • Контроль работы других компонентов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Питание и управление электронными устройствами
    • Промышленное оборудование
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики STP120NF10

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    110A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5mOhm @ 60A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    233 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5200 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    312W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP120

Техническая документация

 STP120NF10.pdf
pdf. 0 kb
  • 1262 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    608 ₽
  • 10
    396 ₽
  • 100
    303 ₽
  • 500
    253 ₽
  • 1000
    218 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP120NF10
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 110A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена STP120NF10 при покупке от 1 шт 608.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP120NF10 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP120NF10

STP120NF10 STMicroelectronics Транзистор: MOSFET N-CH 100В 110А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение сток-емкость (VDS(on)): 100В
    • Максимальный ток стока (ID(max)): 110А
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Форм-фактор: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе
    • Малый ток утечки
    • Низкий коэффициент температурной зависимости
    • Малые размеры и легкость
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрева и перетока
    • Необходимо соблюдение правил по охлаждению
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электропитании устройств
    • Переключение высоких токов
    • Усиление сигналов
    • Контроль работы других компонентов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Питание и управление электронными устройствами
    • Промышленное оборудование
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики STP120NF10

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    110A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5mOhm @ 60A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    233 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5200 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    312W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP120

Техническая документация

 STP120NF10.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GKI07301MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN
    260Кешбэк 39 баллов
    IRF9332TRPBFMOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
    310Кешбэк 46 баллов
    IRLR2705TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
    166Кешбэк 24 балла
    ZXMN10A11GTAMOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
    195Кешбэк 29 баллов
    BUK7Y8R7-60EXMOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
    376Кешбэк 56 баллов
    IPA60R385CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
    550Кешбэк 82 балла
    BUK9612-55B,118MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    627Кешбэк 94 балла
    IRF9610PBFMOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
    209Кешбэк 31 балл
    IXTA62N15PMOSFET N-CH 150V 62A TO263
    812Кешбэк 121 балл
    IXFH170N10PMOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
    2 435Кешбэк 365 баллов
    IXTP76P10TMOSFET P-CH 100V 76A TO220AB
    1 240Кешбэк 186 баллов
    IRFB3806PBFMOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
    288Кешбэк 43 балла
    HUF75852G3Транзистор: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
    2 558Кешбэк 383 балла
    IXTP110N055T2MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
    601Кешбэк 90 баллов
    IXTA6N50D2MOSFET N-CH 500V 6A TO263
    1 848Кешбэк 277 баллов
    IXFH15N100Q3MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
    3 332Кешбэк 499 баллов
    IXFX180N25TMOSFET N-CH 250V 180A PLUS247-3
    3 164Кешбэк 474 балла
    IRFZ44PBFMOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    323Кешбэк 48 баллов
    IXTA180N10TMOSFET N-CH 100V 180A TO263
    1 147Кешбэк 172 балла
    IXTH8P50MOSFET P-CH 500V 8A TO247
    1 647Кешбэк 247 баллов
    IXFX80N50PMOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3
    3 120Кешбэк 468 баллов
    IXFK140N20PMOSFET N-CH 200V 140A TO264AA
    3 201Кешбэк 480 баллов
    STFI20NM65NMOSFET N-CH 650V 15A I2PAKFP
    810Кешбэк 121 балл
    IRF6794MTR1PBFMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
    407Кешбэк 61 балл
    STP32N65M5MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
    1 214Кешбэк 182 балла
    IXTH88N30PMOSFET N-CH 300V 88A TO247
    1 937Кешбэк 290 баллов
    IXTA08N100D2MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
    725Кешбэк 108 баллов
    SIHF28N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 28A TO220
    1 254Кешбэк 188 баллов
    IRF840BPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
    377Кешбэк 56 баллов
    IXFA12N50PMOSFET N-CH 500V 12A TO263
    604Кешбэк 90 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП