Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STP12N50M2
  • В избранное
  • В сравнение
STP12N50M2

STP12N50M2

STP12N50M2
;
STP12N50M2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP12N50M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 10A TO220Все характеристики

Минимальная цена STP12N50M2 при покупке от 1 шт 386.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP12N50M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP12N50M2

STP12N50M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 10A TO220

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 500В
    • Номинальный ток: 10А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Контейнер: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективная работа при больших напряжениях
    • Малый тепловой сопротивление
    • Малое сопротивление при включенном состоянии
  • Минусы:
    • Сложность в проектировании схем для работы при очень высоких частотах
    • Требует дополнительного охлаждения при работе под нагрузками
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Уменьшение потерь энергии в электрических системах
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Устройства питания
    • Электропитание компьютеров и серверов
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики STP12N50M2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    560 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    85W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP12

Техническая документация

 STP12N50M2.pdf
pdf. 0 kb
  • 33 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    386 ₽
  • 10
    181 ₽
  • 50
    172 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP12N50M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 10A TO220Все характеристики

Минимальная цена STP12N50M2 при покупке от 1 шт 386.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP12N50M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP12N50M2

STP12N50M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 10A TO220

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 500В
    • Номинальный ток: 10А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Контейнер: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективная работа при больших напряжениях
    • Малый тепловой сопротивление
    • Малое сопротивление при включенном состоянии
  • Минусы:
    • Сложность в проектировании схем для работы при очень высоких частотах
    • Требует дополнительного охлаждения при работе под нагрузками
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Уменьшение потерь энергии в электрических системах
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Устройства питания
    • Электропитание компьютеров и серверов
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики STP12N50M2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    560 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    85W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP12

Техническая документация

 STP12N50M2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DN3145N8-GMOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
    164Кешбэк 24 балла
    LND150K1-GТранзистор: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
    91Кешбэк 13 баллов
    VN2110K1-GMOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
    117Кешбэк 17 баллов
    LND250K1-GMOSFET N-CH 500V 13MA SOT23
    97Кешбэк 14 баллов
    DN3135K1-GMOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
    126Кешбэк 18 баллов
    TP5322K1-GMOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB
    137Кешбэк 20 баллов
    TN5325K1-GMOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
    124Кешбэк 18 баллов
    DN3545N8-GТранзистор: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
    181Кешбэк 27 баллов
    LND150N8-GMOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
    144Кешбэк 21 балл
    TN2540N8-GMOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
    305Кешбэк 45 баллов
    VN2450N8-GMOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA
    274Кешбэк 41 балл
    DN2540N8-GMOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
    194Кешбэк 29 баллов
    VP2110K1-GMOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
    152Кешбэк 22 балла
    TN0620N3-G-P002MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
    316Кешбэк 47 баллов
    VN2222LL-GТранзистор: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
    99Кешбэк 14 баллов
    MIC94052YC6-TRMOSFET P-CH 6V 2A SC70-6
    139Кешбэк 20 баллов
    MIC94051YM4-TRMOSFET P-CH 6V 1.8A SOT143
    117Кешбэк 17 баллов
    LND150N3-GТранзистор: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
    110Кешбэк 16 баллов
    TP0610T-GMOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
    168Кешбэк 25 баллов
    DN3525N8-GMOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
    161Кешбэк 24 балла
    VN2460N8-GMOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA
    281Кешбэк 42 балла
    TN0104N8-GMOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
    261Кешбэк 39 баллов
    TN2435N8-GMOSFET N-CH 350V 365MA TO243AA
    305Кешбэк 45 баллов
    TN0106N3-G-P003MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
    212Кешбэк 31 балл
    TP2104K1-GMOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
    148Кешбэк 22 балла
    DN1509N8-GMOSFET N-CH 90V 360MA TO243AA
    174Кешбэк 26 баллов
    TN2106K1-GMOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
    117Кешбэк 17 баллов
    TN2124K1-GТранзистор: MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB
    157Кешбэк 23 балла
    TP5335K1-GMOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
    115Кешбэк 17 баллов
    DN2450K4-GMOSFET N-CH 500V 350MA TO252
    152Кешбэк 22 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП