Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STP24N60M2
  • В избранное
  • В сравнение
STP24N60M2

STP24N60M2

STP24N60M2
;
STP24N60M2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP24N60M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 18A TO220Все характеристики

Минимальная цена STP24N60M2 при покупке от 1 шт 625.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP24N60M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP24N60M2

STP24N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 18A TO220

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Размерный ток (ID(on)): 18А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-режиме
    • Малое энергетическое затратное сопротивление
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Простота использования и управления
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная проектировка для управления
    • Возможны проблемы с тепловым дизайном при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в электронных системах управления
    • Работа в трансформаторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Приборы для домашнего использования
    • Электронные устройства для управления мощностью
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики STP24N60M2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1060 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP24

Техническая документация

 STP24N60M2.pdf
pdf. 0 kb
  • 34 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    625 ₽
  • 3
    508 ₽
  • 10
    422 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP24N60M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 18A TO220Все характеристики

Минимальная цена STP24N60M2 при покупке от 1 шт 625.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP24N60M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP24N60M2

STP24N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 18A TO220

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Размерный ток (ID(on)): 18А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-режиме
    • Малое энергетическое затратное сопротивление
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Простота использования и управления
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная проектировка для управления
    • Возможны проблемы с тепловым дизайном при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в электронных системах управления
    • Работа в трансформаторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Приборы для домашнего использования
    • Электронные устройства для управления мощностью
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики STP24N60M2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1060 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP24

Техническая документация

 STP24N60M2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STF11NM50NMOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
    832Кешбэк 124 балла
    STP20NM50FDMOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
    711Кешбэк 106 баллов
    STP20N95K5MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220-3
    908Кешбэк 136 баллов
    STF40N60M2MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
    1 044Кешбэк 156 баллов
    STP15N95K5MOSFET N-CH 950V 12A TO220
    852Кешбэк 127 баллов
    STP12N120K5MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
    1 504Кешбэк 225 баллов
    STP3NK80ZMOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB
    393Кешбэк 58 баллов
    STF42N65M5MOSFET N-CH 650V 33A TO220FP
    1 124Кешбэк 168 баллов
    STW11NM80MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
    1 000Кешбэк 150 баллов
    STW75NF20MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
    835Кешбэк 125 баллов
    STF45N10F7MOSFET N-CH 100V 30A TO220FP
    550Кешбэк 82 балла
    STP315N10F7MOSFET N-CH 100V 180A TO220
    883Кешбэк 132 балла
    STF12N120K5MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
    2 020Кешбэк 303 балла
    STD7LN80K5MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
    455Кешбэк 68 баллов
    STP40NF10LТранзистор: MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
    440Кешбэк 66 баллов
    STP30NF20MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
    462Кешбэк 69 баллов
    STF21N65M5MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP
    859Кешбэк 128 баллов
    STP28N60DM2MOSFET N-CH 600V 21A TO220
    782Кешбэк 117 баллов
    STF13N80K5MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
    766Кешбэк 114 баллов
    STP11NM60NDMOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
    674Кешбэк 101 балл
    STP57N65M5Транзистор: MOSFET N-CH 650V 42A TO220
    1 775Кешбэк 266 баллов
    STW4N150MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
    958Кешбэк 143 балла
    STF10N65K3Транзистор: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
    272Кешбэк 40 баллов
    STF16N65M5Транзистор: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
    550Кешбэк 82 балла
    STF15N80K5MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
    764Кешбэк 114 баллов
    STL110NS3LLH7
    89Кешбэк 13 баллов
    STP24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A TO220
    625Кешбэк 93 балла
    STP12N50M2MOSFET N-CH 500V 10A TO220
    386Кешбэк 57 баллов
    STW20NM50FDMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
    1 237Кешбэк 185 баллов
    STW28NM50NТранзистор: MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
    1 548Кешбэк 232 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП