Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STP5N60M2
  • В избранное
  • В сравнение
STP5N60M2

STP5N60M2

STP5N60M2
;
STP5N60M2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STP5N60M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220Все характеристики

Минимальная цена STP5N60M2 при покупке от 1 шт 205.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP5N60M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP5N60M2

STP5N60M2 STMICROELECTRONICS MOSFET N-Ч 600В 3,7А TO220

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 600 В
    • Номинальный ток: 3,7 А
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление (VGS=0 В): ≤1 Ом
    • Эффективная емкость: ≤140 нФ
    • Устройство крепления: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая надежность и долговечность
    • Минимальное тепловое сопротивление
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
    • Наличие дросселя или индуктивности может вызвать проблемы
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Блоки управления
    • Системы управления движками
    • Автомобильные системы
  • Применяется в:
    • Мелкоформатных электронных устройствах
    • Для управления нагрузками в различных приборах
    • В системах преобразования напряжений
Выбрано: Показать

Характеристики STP5N60M2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4Ohm @ 1.85A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    165 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP5N60

Техническая документация

 STP5N60M2.pdf
pdf. 0 kb
  • 598 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    205 ₽
  • 100
    149 ₽
  • 1000
    133 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STP5N60M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220Все характеристики

Минимальная цена STP5N60M2 при покупке от 1 шт 205.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP5N60M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP5N60M2

STP5N60M2 STMICROELECTRONICS MOSFET N-Ч 600В 3,7А TO220

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 600 В
    • Номинальный ток: 3,7 А
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление (VGS=0 В): ≤1 Ом
    • Эффективная емкость: ≤140 нФ
    • Устройство крепления: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая надежность и долговечность
    • Минимальное тепловое сопротивление
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
    • Наличие дросселя или индуктивности может вызвать проблемы
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Блоки управления
    • Системы управления движками
    • Автомобильные системы
  • Применяется в:
    • Мелкоформатных электронных устройствах
    • Для управления нагрузками в различных приборах
    • В системах преобразования напряжений
Выбрано: Показать

Характеристики STP5N60M2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4Ohm @ 1.85A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    165 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP5N60

Техническая документация

 STP5N60M2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTD70N03RТранзистор: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
    39.4Кешбэк 5 баллов
    NTHD2110TT1GMOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
    90Кешбэк 13 баллов
    NTLUS4195PZTAGMOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
    66Кешбэк 9 баллов
    FDU6612AMOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK
    77Кешбэк 11 баллов
    NVTFS4C13NWFTWGMOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
    259Кешбэк 38 баллов
    SI7812DN-T1-GE3MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
    527Кешбэк 79 баллов
    IPB100N06S205ATMA4MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
    752Кешбэк 112 баллов
    RZR020P01TLMOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
    122Кешбэк 18 баллов
    FDD6688MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
    182Кешбэк 27 баллов
    FQA10N60CMOSFET N-CH 600V 10A TO3P
    452Кешбэк 67 баллов
    FDMS86102LZMOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
    527Кешбэк 79 баллов
    SI3417DV-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
    124Кешбэк 18 баллов
    2V7002WT1GMOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
    53Кешбэк 7 баллов
    FQD20N06LETMMOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
    94Кешбэк 14 баллов
    NTD4804N-35GMOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
    139Кешбэк 20 баллов
    AO3418MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L
    86Кешбэк 12 баллов
    NTD4910NT4GMOSFET N-CH 30V 8.2A/37A DPAK
    53Кешбэк 7 баллов
    DMP31D0U-7MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
    84Кешбэк 12 баллов
    NVD4806NT4GMOSFET N-CH 30V 76A DPAK
    88Кешбэк 13 баллов
    SI3424CDV-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
    122Кешбэк 18 баллов
    NTD4806NT4GMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
    77Кешбэк 11 баллов
    NTD4969N-35GMOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
    56Кешбэк 8 баллов
    PMN30XPXMOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
    111Кешбэк 16 баллов
    AOD424MOSFET N-CH 20V 18A/45A TO252
    250Кешбэк 37 баллов
    5LP01C-TB-EMOSFET P-CH 50V 70MA 3CP
    22.5Кешбэк 3 балла
    5LP01SS-TL-HMOSFET P-CH 50V 70MA 3SSFP
    22.5Кешбэк 3 балла
    MCH3383-TL-HMOSFET P-CH 12V 3.5A SC70
    53Кешбэк 7 баллов
    2SK4096LSMOSFET N-CH 500V 7.1A TO220FI
    315Кешбэк 47 баллов
    DMN33D8LT-13MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
    36Кешбэк 5 баллов
    NTD4969NT4GMOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK
    53Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторные модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП