Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
STS8N6LF6AG
  • В избранное
  • В сравнение
STS8N6LF6AG

STS8N6LF6AG

STS8N6LF6AG
;
STS8N6LF6AG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STS8N6LF6AG
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена STS8N6LF6AG при покупке от 1 шт 239.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STS8N6LF6AG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STS8N6LF6AG

STS8N6LF6AG STMicroelectronics MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальный ток: 8А
    • Количество выводов: 8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при малых потерь энергии
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Низкий уровень тока стока при отключенном канале
  • Минусы:
    • Необходимо учесть параметр Rds(on)
    • Требуется правильная проекция системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в схемах преобразования напряжения
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах бытовой техники
    • Промышленных системах управления
    • Системах преобразования энергии
Выбрано: Показать

Характеристики STS8N6LF6AG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1340 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.2W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    STS8N6

Техническая документация

 STS8N6LF6AG.pdf
pdf. 0 kb
  • 2655 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    239 ₽
  • 10
    150 ₽
  • 500
    77 ₽
  • 2500
    59 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STS8N6LF6AG
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена STS8N6LF6AG при покупке от 1 шт 239.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STS8N6LF6AG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STS8N6LF6AG

STS8N6LF6AG STMicroelectronics MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальный ток: 8А
    • Количество выводов: 8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при малых потерь энергии
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Низкий уровень тока стока при отключенном канале
  • Минусы:
    • Необходимо учесть параметр Rds(on)
    • Требуется правильная проекция системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в схемах преобразования напряжения
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах бытовой техники
    • Промышленных системах управления
    • Системах преобразования энергии
Выбрано: Показать

Характеристики STS8N6LF6AG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1340 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.2W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    STS8N6

Техническая документация

 STS8N6LF6AG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SPS03N60C3AKMA1MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3-11
    127Кешбэк 19 баллов
    BSC084P03NS3GATMA1MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
    127Кешбэк 19 баллов
    BSC059N04LS6ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
    129Кешбэк 19 баллов
    IPN50R1K4CEATMA1MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
    129Кешбэк 19 баллов
    IPN60R3K4CEATMA1MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
    129Кешбэк 19 баллов
    ISP25DP06LMSATMA1MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
    129Кешбэк 19 баллов
    IPS031N03LGAKMA1LV POWER MOS
    131Кешбэк 19 баллов
    IPSA70R360P7SAKMA1Транзистор: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
    131Кешбэк 19 баллов
    IPU80R4K5P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
    133Кешбэк 19 баллов
    IPA70R600P7SXKSA1MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
    135Кешбэк 20 баллов
    IPSA70R2K0P7SAKMA1MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
    137Кешбэк 20 баллов
    IPB136N08N3GATMA1N-CHANNEL POWER MOSFET
    139Кешбэк 20 баллов
    BSZ063N04LS6ATMA1MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
    141Кешбэк 21 балл
    IPD60R3K4CEAUMA1MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3
    141Кешбэк 21 балл
    IPS80R1K2P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
    142Кешбэк 21 балл
    ISP25DP06NMXTSA1MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
    146Кешбэк 21 балл
    BSP135IXTSA1SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
    146Кешбэк 21 балл
    BSC093N04LSGATMA1MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
    147Кешбэк 22 балла
    IPN70R2K0P7SATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
    150Кешбэк 22 балла
    IPU60R2K1CEAKMA1CONSUMER
    152Кешбэк 22 балла
    ISC045N03L5SATMA1MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
    156Кешбэк 23 балла
    BSC123N08NS3GATMA1MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
    157Кешбэк 23 балла
    IPN70R1K4P7SATMA1MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
    158Кешбэк 23 балла
    BSC0909NSATMA1MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
    162Кешбэк 24 балла
    IPS80R900P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
    163Кешбэк 24 балла
    BSC120N03LSGATMA1MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
    164Кешбэк 24 балла
    ISP16DP10LMXTSA1SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
    164Кешбэк 24 балла
    IPN50R950CEATMA1MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
    164Кешбэк 24 балла
    IPD60R1K5CEAUMA1MOSFET N-CH 650V 5A TO252
    166Кешбэк 24 балла
    IPN80R4K5P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
    168Кешбэк 25 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторные модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули триодных тиристоров
    IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП