Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STU13NM60N
  • В избранное
  • В сравнение
STU13NM60N

STU13NM60N

STU13NM60N
;
STU13NM60N

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STU13NM60N
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 11A IPAKВсе характеристики

Минимальная цена STU13NM60N при покупке от 1 шт 666.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STU13NM60N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STU13NM60N

STU13NM60N STMicroelectronics MOSFET N-Ч

  • Номинальное напряжение: 600В
  • Максимальный ток: 11А
  • Тип пакета: IPAK (Интегральный пакет)

Основные параметры:

  • Напряжение при разрыве (VDS(ON)): 2.5В (макс.)
  • Тепловое сопротивление RθJC: 70°C/W (макс.)
  • Диодный канал: отсутствует

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность.
  • Компактный размер и легкий вес.
  • Эффективность работы при различных нагрузках.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами.
  • Необходимость использования дополнительного оборудования для монтажа.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах.
  • Преобразование и фильтрация тока.
  • Управление электрическими цепями.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Питание компьютеров и ноутбуков.
  • Промышленное оборудование.
  • Системы управления двигателем.
  • Солнечные батареи и системы энергоснабжения.
Выбрано: Показать

Характеристики STU13NM60N

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    790 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    90W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-251 (IPAK)
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    STU13

Техническая документация

 STU13NM60N.pdf
pdf. 0 kb
  • 679 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    666 ₽
  • 10
    433 ₽
  • 100
    332 ₽
  • 500
    278 ₽
  • 1000
    242 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STU13NM60N
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 11A IPAKВсе характеристики

Минимальная цена STU13NM60N при покупке от 1 шт 666.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STU13NM60N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STU13NM60N

STU13NM60N STMicroelectronics MOSFET N-Ч

  • Номинальное напряжение: 600В
  • Максимальный ток: 11А
  • Тип пакета: IPAK (Интегральный пакет)

Основные параметры:

  • Напряжение при разрыве (VDS(ON)): 2.5В (макс.)
  • Тепловое сопротивление RθJC: 70°C/W (макс.)
  • Диодный канал: отсутствует

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность.
  • Компактный размер и легкий вес.
  • Эффективность работы при различных нагрузках.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами.
  • Необходимость использования дополнительного оборудования для монтажа.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах.
  • Преобразование и фильтрация тока.
  • Управление электрическими цепями.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Питание компьютеров и ноутбуков.
  • Промышленное оборудование.
  • Системы управления двигателем.
  • Солнечные батареи и системы энергоснабжения.
Выбрано: Показать

Характеристики STU13NM60N

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    790 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    90W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-251 (IPAK)
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    STU13

Техническая документация

 STU13NM60N.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTD70N03RТранзистор: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
    39.4Кешбэк 5 баллов
    NTHD2110TT1GMOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
    90Кешбэк 13 баллов
    NTLUS4195PZTAGMOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
    66Кешбэк 9 баллов
    FDU6612AMOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK
    77Кешбэк 11 баллов
    NVTFS4C13NWFTWGMOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
    259Кешбэк 38 баллов
    SI7812DN-T1-GE3MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
    527Кешбэк 79 баллов
    IPB100N06S205ATMA4MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
    752Кешбэк 112 баллов
    RZR020P01TLMOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
    122Кешбэк 18 баллов
    FDD6688MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
    182Кешбэк 27 баллов
    FQA10N60CMOSFET N-CH 600V 10A TO3P
    452Кешбэк 67 баллов
    FDMS86102LZMOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
    527Кешбэк 79 баллов
    SI3417DV-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
    124Кешбэк 18 баллов
    2V7002WT1GMOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
    53Кешбэк 7 баллов
    FQD20N06LETMMOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
    94Кешбэк 14 баллов
    NTD4804N-35GMOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
    139Кешбэк 20 баллов
    AO3418MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L
    86Кешбэк 12 баллов
    NTD4910NT4GMOSFET N-CH 30V 8.2A/37A DPAK
    53Кешбэк 7 баллов
    DMP31D0U-7MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
    84Кешбэк 12 баллов
    NVD4806NT4GMOSFET N-CH 30V 76A DPAK
    88Кешбэк 13 баллов
    SI3424CDV-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
    122Кешбэк 18 баллов
    NTD4806NT4GMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
    77Кешбэк 11 баллов
    NTD4969N-35GMOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
    56Кешбэк 8 баллов
    PMN30XPXMOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
    111Кешбэк 16 баллов
    AOD424MOSFET N-CH 20V 18A/45A TO252
    250Кешбэк 37 баллов
    5LP01C-TB-EMOSFET P-CH 50V 70MA 3CP
    22.5Кешбэк 3 балла
    5LP01SS-TL-HMOSFET P-CH 50V 70MA 3SSFP
    22.5Кешбэк 3 балла
    MCH3383-TL-HMOSFET P-CH 12V 3.5A SC70
    53Кешбэк 7 баллов
    2SK4096LSMOSFET N-CH 500V 7.1A TO220FI
    315Кешбэк 47 баллов
    DMN33D8LT-13MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
    36Кешбэк 5 баллов
    NTD4969NT4GMOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK
    53Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторные модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП