Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STW37N60DM2AG
  • В избранное
  • В сравнение
STW37N60DM2AG

STW37N60DM2AG

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STW37N60DM2AG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 28A TO247Все характеристики

Минимальная цена STW37N60DM2AG при покупке от 1 шт 1483.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STW37N60DM2AG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STW37N60DM2AG

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110mOhm @ 14A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    54 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2400 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    210W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    STW37

Техническая документация

 STW37N60DM2AG.pdf
pdf. 0 kb
  • 600 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 483 ₽
  • 30
    860 ₽
  • 120
    724 ₽
  • 510
    634 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STW37N60DM2AG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 28A TO247Все характеристики

Минимальная цена STW37N60DM2AG при покупке от 1 шт 1483.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STW37N60DM2AG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STW37N60DM2AG

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110mOhm @ 14A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    54 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2400 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    210W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    STW37

Техническая документация

 STW37N60DM2AG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    QS6U24TRMOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
    116Кешбэк 17 баллов
    ZVN2110AMOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
    89Кешбэк 13 баллов
    STD20NF06T4MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
    225Кешбэк 33 балла
    STP5NK80ZMOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
    444Кешбэк 66 баллов
    FQB12P20TMMOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
    488Кешбэк 73 балла
    PSMN4R1-30YLC,115MOSFET N-CH 30V 92A LFPAK56
    209Кешбэк 31 балл
    IXFT16N120PMOSFET N-CH 1200V 16A TO268
    4 230Кешбэк 634 балла
    SI7611DN-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
    442Кешбэк 66 баллов
    NTMFS4C10NT1G-001Транзистор: MOSFET N-CH 30V 8.2A/46A 5DFN
    61Кешбэк 9 баллов
    DMP3020LSS-13MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
    136Кешбэк 20 баллов
    PSMN026-80YS,115MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
    225Кешбэк 33 балла
    FDB888011A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,
    483Кешбэк 72 балла
    IRFP17N50LPBFMOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
    1 554Кешбэк 233 балла
    SIR438DP-T1-GE3MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
    429Кешбэк 64 балла
    SI2309CDS-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
    124Кешбэк 18 баллов
    FDMS86200DCMOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
    921Кешбэк 138 баллов
    SI7115DN-T1-E3MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
    524Кешбэк 78 баллов
    SI4386DY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
    442Кешбэк 66 баллов
    SISA10DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
    227Кешбэк 34 балла
    BSP316PH6327XTSA1MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
    83Кешбэк 12 баллов
    PSMN012-100YS,115MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
    304Кешбэк 45 баллов
    STB34N65M5MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
    1 113Кешбэк 166 баллов
    ZVN4210AMOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
    188Кешбэк 28 баллов
    IXFR64N60PMOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
    3 828Кешбэк 574 балла
    C2M0080120DSICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
    6 113Кешбэк 916 баллов
    IRLR3110ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    365Кешбэк 54 балла
    IXTQ450P2MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
    1 187Кешбэк 178 баллов
    AON6294MOSFET N-CH 100V 17A/52A 8DFN
    163Кешбэк 24 балла
    IXTK200N10PMOSFET N-CH 100V 200A TO264
    2 415Кешбэк 362 балла
    STQ2HNK60ZR-APMOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
    152Кешбэк 22 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП