Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SUM70040M-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SUM70040M-GE3

SUM70040M-GE3

SUM70040M-GE3
;
SUM70040M-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SUM70040M-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена SUM70040M-GE3 при покупке от 1 шт 765.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SUM70040M-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SUM70040M-GE3

Суммарные характеристики:

  • Модель: SUM70040M-GE3
  • Производитель: Vishay Semiconductors
  • Тип: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение: 100В
  • Номинальный ток: 120А
  • Пакет: TO263-7

Основные параметры:

  • VDS(on): 2.5В (максимальное)
  • RDS(on): 0.019Ω (при VGS = 10В)
  • Температурный коэффициент RDS(on): +300mΩ/°C (при VGS = 10В)
  • Коэффициент усиления (Kon): 300μA/V
  • Термический сопротивление RθJA: 85°C/W

Преимущества:

  • Низкое значение RDS(on): обеспечивает минимальные потери энергии при работе.
  • Высокая скорость переключения: позволяет использовать MOSFET в высокочастотных системах.
  • Устойчивость к перегреву: благодаря низкому коэффициенту теплового сопротивления.
  • Высокая надежность: за счет использования качественных материалов и технологий производства.

Недостатки:

  • Высокие цены: по сравнению с менее производительными MOSFET.
  • Требуются дополнительные компоненты: для эффективного охлаждения при больших нагрузках.
  • Могут быть чувствительны к шуму: особенно при низком значении RDS(on).

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах.
  • Переключение больших токов в силовых системах.
  • Изоляция логических цепей от силовых цепей.
  • Управление мощными электродвигателями.

Применение:

  • Автомобильная электроника.
  • Системы управления двигателей.
  • Мощные преобразователи.
  • Бытовые приборы с высокой потребляемой мощностью.
Выбрано: Показать

Характеристики SUM70040M-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    120 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5100 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263-7
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Base Product Number
    SUM70040

Техническая документация

 SUM70040M-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 598 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    765 ₽
  • 10
    503 ₽
  • 100
    378 ₽
  • 500
    361 ₽
  • 800
    259 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SUM70040M-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена SUM70040M-GE3 при покупке от 1 шт 765.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SUM70040M-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SUM70040M-GE3

Суммарные характеристики:

  • Модель: SUM70040M-GE3
  • Производитель: Vishay Semiconductors
  • Тип: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение: 100В
  • Номинальный ток: 120А
  • Пакет: TO263-7

Основные параметры:

  • VDS(on): 2.5В (максимальное)
  • RDS(on): 0.019Ω (при VGS = 10В)
  • Температурный коэффициент RDS(on): +300mΩ/°C (при VGS = 10В)
  • Коэффициент усиления (Kon): 300μA/V
  • Термический сопротивление RθJA: 85°C/W

Преимущества:

  • Низкое значение RDS(on): обеспечивает минимальные потери энергии при работе.
  • Высокая скорость переключения: позволяет использовать MOSFET в высокочастотных системах.
  • Устойчивость к перегреву: благодаря низкому коэффициенту теплового сопротивления.
  • Высокая надежность: за счет использования качественных материалов и технологий производства.

Недостатки:

  • Высокие цены: по сравнению с менее производительными MOSFET.
  • Требуются дополнительные компоненты: для эффективного охлаждения при больших нагрузках.
  • Могут быть чувствительны к шуму: особенно при низком значении RDS(on).

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах.
  • Переключение больших токов в силовых системах.
  • Изоляция логических цепей от силовых цепей.
  • Управление мощными электродвигателями.

Применение:

  • Автомобильная электроника.
  • Системы управления двигателей.
  • Мощные преобразователи.
  • Бытовые приборы с высокой потребляемой мощностью.
Выбрано: Показать

Характеристики SUM70040M-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    120 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5100 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263-7
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Base Product Number
    SUM70040

Техническая документация

 SUM70040M-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI7450DP-T1-E3MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
    726Кешбэк 108 баллов
    SI7848BDP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
    729Кешбэк 109 баллов
    IRFZ48PBFMOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    729Кешбэк 109 баллов
    IRF740STRRPBFMOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
    729Кешбэк 109 баллов
    SUD19N20-90-E3MOSFET N-CH 200V 19A TO252
    733Кешбэк 109 баллов
    SI7848BDP-T1-E3MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
    739Кешбэк 110 баллов
    SI7852DP-T1-E3Транзистор: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
    745Кешбэк 111 баллов
    SI7852DP-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
    745Кешбэк 111 баллов
    IRF840LCSPBFMOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
    756Кешбэк 113 баллов
    IRFZ48SPBFMOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
    763Кешбэк 114 баллов
    SUP70040E-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
    763Кешбэк 114 баллов
    SUM70040M-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
    765Кешбэк 114 баллов
    SI7434DP-T1-E3
    822Кешбэк 123 балла
    SI7434DP-T1-GE3MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
    828Кешбэк 124 балла
    IRFS9N60ATRRPBFMOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    864Кешбэк 129 баллов
    IRFZ48RSPBFMOSFET N-CH 60V 50A TO263
    864Кешбэк 129 баллов
    SI7431DP-T1-GE3MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
    907Кешбэк 136 баллов
    SUM110P04-04L-E3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
    909Кешбэк 136 баллов
    IRFIB7N50APBFMOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
    928Кешбэк 139 баллов
    SIHP21N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
    951Кешбэк 142 балла
    SI7880ADP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    956Кешбэк 143 балла
    IRFBC40SPBFMOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
    1 011Кешбэк 151 балл
    SI7439DP-T1-E3MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
    1 043Кешбэк 156 баллов
    IRFP448PBFMOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
    1 060Кешбэк 159 баллов
    SIHF30N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 29A TO220
    1 088Кешбэк 163 балла
    SUM90N03-2M2P-E3MOSFET N-CH 30V 90A TO263
    1 094Кешбэк 164 балла
    IRFP048PBFMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
    1 107Кешбэк 166 баллов
    IRFPF30PBFMOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
    1 170Кешбэк 175 баллов
    SUM85N15-19-E3MOSFET N-CH 150V 85A TO263
    1 191Кешбэк 178 баллов
    IRFP350LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
    1 380Кешбэк 207 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП