Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
SZMM5Z10VT5GF
  • В избранное
  • В сравнение
SZMM5Z10VT5GF

SZMM5Z10VT5GF

SZMM5Z10VT5GF
;
SZMM5Z10VT5GF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    SZMM5Z10VT5GF
  • Описание:
    SZMM5Z10VT5G/SOD523/SC-79Все характеристики

Минимальная цена SZMM5Z10VT5GF при покупке от 1 шт 42.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SZMM5Z10VT5GF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SZMM5Z10VT5GF

SZMM5Z10VT5GF Nexperia USA Inc.

  • Тип компонента: Маломощный полупроводниковый транзистор
  • Марка: Nexperia
  • Обозначение: SZMM5Z10VT5G/SOD523/SC-79

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VCEO): 10 В
  • Максимальное токовое напряжение (VBR(SD)): 60 В
  • Номинальный ток (IC): 100 мА
  • Температурный коэффициент: -2%/°C
  • Оболочка: SOD523, SC-79

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Компактные размеры
  • Доступность и широкий ассортимент

Минусы:

  • Малая мощность
  • Не подходит для высокотоковых приложений
  • Низкий коэффициент срабатывания

Общее назначение:

  • Защита электронных схем от перенапряжений
  • Распределение сигналов в цифровых системах
  • Использование в логических цепях

Применяется в:

  • Мобильных устройствах
  • Периферийном оборудовании
  • Игровой технике
  • Автомобильных системах
Выбрано: Показать

Характеристики SZMM5Z10VT5GF

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    10 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    300 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    10 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 nA @ 7 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 100 mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-79, SOD-523
  • Исполнение корпуса
    SOD-523

Техническая документация

 SZMM5Z10VT5GF.pdf
pdf. 0 kb
  • 29621 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    42 ₽
  • 100
    15.7 ₽
  • 1000
    10.1 ₽
  • 5000
    7.7 ₽
  • 20000
    6.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    SZMM5Z10VT5GF
  • Описание:
    SZMM5Z10VT5G/SOD523/SC-79Все характеристики

Минимальная цена SZMM5Z10VT5GF при покупке от 1 шт 42.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SZMM5Z10VT5GF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SZMM5Z10VT5GF

SZMM5Z10VT5GF Nexperia USA Inc.

  • Тип компонента: Маломощный полупроводниковый транзистор
  • Марка: Nexperia
  • Обозначение: SZMM5Z10VT5G/SOD523/SC-79

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VCEO): 10 В
  • Максимальное токовое напряжение (VBR(SD)): 60 В
  • Номинальный ток (IC): 100 мА
  • Температурный коэффициент: -2%/°C
  • Оболочка: SOD523, SC-79

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Компактные размеры
  • Доступность и широкий ассортимент

Минусы:

  • Малая мощность
  • Не подходит для высокотоковых приложений
  • Низкий коэффициент срабатывания

Общее назначение:

  • Защита электронных схем от перенапряжений
  • Распределение сигналов в цифровых системах
  • Использование в логических цепях

Применяется в:

  • Мобильных устройствах
  • Периферийном оборудовании
  • Игровой технике
  • Автомобильных системах
Выбрано: Показать

Характеристики SZMM5Z10VT5GF

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    10 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    300 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    10 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 nA @ 7 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 100 mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-79, SOD-523
  • Исполнение корпуса
    SOD-523

Техническая документация

 SZMM5Z10VT5GF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMSZ5257B-E3-08Диод: DIODE ZENER 33V 500MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    BZX384C36-HE3-08Диод: DIODE ZENER 36V 200MW SOD323
    29Кешбэк 4 балла
    BZX84C8V2-G3-08DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT23-3
    29Кешбэк 4 балла
    BZX384B22-E3-08Диод: DIODE ZENER 22V 200MW SOD323
    29Кешбэк 4 балла
    MMSZ4682-E3-08Диод: DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    BZT52C33-E3-08Диод: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    MMSZ4706-E3-08DIODE ZENER 19V 500MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    BZT52C22-E3-08Диод: DIODE ZENER 22V 410MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    BZX85C75-TAPДиод: DIODE ZENER 75V 1.3W DO41
    29Кешбэк 4 балла
    BZX84C6V8-G3-08Диод: DIODE ZENER 6.8V 300MW SOT23-3
    29Кешбэк 4 балла
    MMSZ5265B-E3-08Диод: DIODE ZENER 62V 500MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    BZX384C8V2-HE3-08Диод: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323
    29Кешбэк 4 балла
    MMSZ4681-E3-08Диод: DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    MMSZ4688-E3-08Диод: DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    MMSZ4717-E3-08DIODE ZENER 43V 500MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    BZT52C24-E3-08Диод: DIODE ZENER 24V 410MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    BZT52C20-E3-08Диод: DIODE ZENER 20V 410MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    BZM55C39-TRDIODE ZENER 39V 500MW MICROMELF
    29Кешбэк 4 балла
    BZX384B13-E3-08DIODE ZENER 13V 200MW SOD323
    29Кешбэк 4 балла
    BZX84C5V1-G3-08Диод: DIODE ZENER 5.1V 300MW SOT23-3
    29Кешбэк 4 балла
    BZT52C56-E3-08Диод: DIODE ZENER 56V 410MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    BZX384C3V0-HE3-08Диод: DIODE ZENER 3V 200MW SOD323
    29Кешбэк 4 балла
    BZX84C12-G3-08Диод: DIODE ZENER 12V 300MW SOT23-3
    29Кешбэк 4 балла
    BZX384B7V5-E3-08DIODE ZENER 7.5V 200MW SOD323
    29Кешбэк 4 балла
    GDZ36B-E3-08Диод: DIODE ZENER 36V 200MW SOD323
    29Кешбэк 4 балла
    BZM55C7V5-TR3DIODE ZENER 7.5V 500MW MICROMELF
    29Кешбэк 4 балла
    BZT52C2V4-E3-08Диод: DIODE ZENER 2.4V 410MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    MMSZ5231B-E3-18Диод: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    BZT52C4V3-E3-18Диод: DIODE ZENER 4.3V 410MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    MMSZ4685-E3-18DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123
    29Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП