Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
TA9110K
  • В избранное
  • В сравнение
TA9110K

TA9110K

TA9110K
;
TA9110K

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Tagore Technology
  • Артикул:
    TA9110K
  • Описание:
    PA RF GAN PWR 6W .03-4GHZ 32VВсе характеристики

Минимальная цена TA9110K при покупке от 1 шт 5076.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TA9110K с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TA9110K

TA9110K Tagore Technology PA RF GAN PWR 6W .03-4GHZ 32V — это усилитель радиочастотного сигнала (RF PA) с генератором амплитудной модуляции (GAN). Основные характеристики:

  • Мощность выхода: 6 Вт
  • Частотный диапазон: 0.3 ГГц - 4 ГГц
  • Напряжение питания: 32 В

Плюсы:

  • Высокая мощность выходного сигнала
  • Широкий частотный диапазон
  • Устойчивость к изменениям температуры

Минусы:

  • Требует высокого напряжения питания (32 В)
  • Сложность в установке и настройке

Общее назначение: TA9110K используется для усиления радиочастотных сигналов в различных приложениях, требующих высокую мощность и широкий диапазон частот.

Применяется в:

  • Радиосвязь и спутниковое телевидение
  • Беспроводные сети и системы управления
  • Мобильная связь
  • Инфраструктура связи
Выбрано: Показать

Характеристики TA9110K

  • Тип транзистора
    GaN HEMT
  • Частота
    30MHz ~ 4GHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    500mA
  • Тестовый ток
    40 mA
  • Мощность передачи
    6W
  • Нормальное напряжение
    120 V
  • Base Product Number
    TA9110

Техническая документация

 TA9110K.pdf
pdf. 0 kb
  • 773 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 076 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Tagore Technology
  • Артикул:
    TA9110K
  • Описание:
    PA RF GAN PWR 6W .03-4GHZ 32VВсе характеристики

Минимальная цена TA9110K при покупке от 1 шт 5076.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TA9110K с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TA9110K

TA9110K Tagore Technology PA RF GAN PWR 6W .03-4GHZ 32V — это усилитель радиочастотного сигнала (RF PA) с генератором амплитудной модуляции (GAN). Основные характеристики:

  • Мощность выхода: 6 Вт
  • Частотный диапазон: 0.3 ГГц - 4 ГГц
  • Напряжение питания: 32 В

Плюсы:

  • Высокая мощность выходного сигнала
  • Широкий частотный диапазон
  • Устойчивость к изменениям температуры

Минусы:

  • Требует высокого напряжения питания (32 В)
  • Сложность в установке и настройке

Общее назначение: TA9110K используется для усиления радиочастотных сигналов в различных приложениях, требующих высокую мощность и широкий диапазон частот.

Применяется в:

  • Радиосвязь и спутниковое телевидение
  • Беспроводные сети и системы управления
  • Мобильная связь
  • Инфраструктура связи
Выбрано: Показать

Характеристики TA9110K

  • Тип транзистора
    GaN HEMT
  • Частота
    30MHz ~ 4GHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    500mA
  • Тестовый ток
    40 mA
  • Мощность передачи
    6W
  • Нормальное напряжение
    120 V
  • Base Product Number
    TA9110

Техническая документация

 TA9110K.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    A3G26D055N-2110Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22
    128 089Кешбэк 19 213 баллов
    AFV10700HSR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI780S-4L
    133 366Кешбэк 20 004 балла
    TA9110KPA RF GAN PWR 6W .03-4GHZ 32V
    5 076Кешбэк 761 балл
    WP48007025Транзистор: RF GaN HEMT 48V DIE DC~7GHZ, 25W
    15 992Кешбэк 2 398 баллов
    WP4806025UHТранзистор: RF GaN HEMT 48V DC ~ 6GHZ, 25W
    25 881Кешбэк 3 882 балла
    SP6122ACUМикросхема: LOW VOLTAGE PFET BUCK CONTROLLER
    93Кешбэк 13 баллов
    2SK1482-T-AZSMALL SIGNAL FET
    114Кешбэк 17 баллов
    MRF300ANТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
    16 268Кешбэк 2 440 баллов
    2SK2552-T1-ASMALL SIGNAL FET
    42Кешбэк 6 баллов
    2SK3718-T1-AТранзистор: N-CHANNEL J-FET
    45.5Кешбэк 6 баллов
    2SK3749(91)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    51Кешбэк 7 баллов
    UPA608T(0)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    51Кешбэк 7 баллов
    UPA608T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    51Кешбэк 7 баллов
    2SK238-T1B-AТранзистор: RF SMALL SIGNAL FET
    66Кешбэк 9 баллов
    2SK3105-T1B-ASMALL SIGNAL FET
    139Кешбэк 20 баллов
    NE3512S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    182Кешбэк 27 баллов
    NE3503M04-T2B-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    230Кешбэк 34 балла
    2SK3113-Z-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    330Кешбэк 49 баллов
    MWT-PH33FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    3 289Кешбэк 493 балла
    MWT-5FТранзистор: GAAS MESFET
    13 247Кешбэк 1 987 баллов
    CGH60008D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V DIE
    6 440Кешбэк 966 баллов
    CGH27030SТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 12DFN
    17 486Кешбэк 2 622 балла
    GTVA262711FA-V2-R0Транзистор: GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ
    26 200Кешбэк 3 930 баллов
    CG2H80015D-GP4Транзистор: RF DISCRETE
    26 618Кешбэк 3 992 балла
    CGH60030D-GP4RF MOSFET HEMT 28V DIE
    38 318Кешбэк 5 747 баллов
    GTRA362002FC-V1-R0Транзистор: 200W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    40 262Кешбэк 6 039 баллов
    GTRA362802FC-V1-R0Транзистор: 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    46 457Кешбэк 6 968 баллов
    GTRA364002FC-V1-R0Транзистор: 400W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    52 773Кешбэк 7 915 баллов
    GTRA384802FC-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ
    55 748Кешбэк 8 362 балла
    CGH27060FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    63 420Кешбэк 9 513 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП