Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
TAV-551+
TAV-551+

TAV-551+

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Mini-Circuits
  • Артикул:
    TAV-551+
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873Все характеристики

Минимальная цена TAV-551+ при покупке от 1 шт 348.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TAV-551+ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TAV-551+

  • Тип транзистора
    E-pHEMT
  • Частота
    6GHz
  • Усиление
    16.3dB
  • Тестовое напряжение
    3 V
  • Уровень шума
    1.7dB @ 5.8GHz
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Мощность передачи
    20.1dB
  • Нормальное напряжение
    5 V
  • Корпус
    4-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    FG873
Техническая документация
 TAV-551+.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 355 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    348 ₽
  • 100
    337 ₽
  • 200
    321 ₽
  • 500
    318 ₽
  • 1000
    297 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Mini-Circuits
  • Артикул:
    TAV-551+
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873Все характеристики

Минимальная цена TAV-551+ при покупке от 1 шт 348.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TAV-551+ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TAV-551+

  • Тип транзистора
    E-pHEMT
  • Частота
    6GHz
  • Усиление
    16.3dB
  • Тестовое напряжение
    3 V
  • Уровень шума
    1.7dB @ 5.8GHz
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Мощность передачи
    20.1dB
  • Нормальное напряжение
    5 V
  • Корпус
    4-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    FG873
Техническая документация
 TAV-551+.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF989SUТранзистор: BLF989S/SOT539/TRAY
    BLP15M9S100ZТранзистор: BLP15M9S100/SOT1482/REELDP
    2SK852-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    CPH5805-TL-ENCH+SBD 4V DRIVE SERIES
    RF2L16180CB4Транзистор: 180 W, 28 V, 1.3 TO 1.6 GHZ RF P
    TA9210DPA RF GAN PWR 12.5W .03-4GHZ 32V
    BLP05H6700XRGYТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
    ART1K6FHUТранзистор: ART1K6FH/SOT539/TRAY
    CPH3417-TL-ENCH 1.8V DRIVE SERIES
    BLA1011-300Транзистор: RF PFET, 1-ELEMENT, L BAND, SILI
    PTVA123501EC-V2-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36248-2
    MWT-PH33FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    BLC10G20LS-240PWTZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-3
    SCH2822-TL-EТранзистор: PCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES
    WPGM0206012Транзистор: RF GAN HEMT MMIC 2pcs/pack
    BLC2425M10LS250ZТранзистор: BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP
    VRF151MPТранзистор: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174
    BLP9LA25SGZТранзистор: BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP
    2SK1847-TB-ENCH 4V DRIVE SERIES
    CGHV1J006D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 40V DIE
    BLC10G18XS-360AVTZТранзистор: BLC10G18XS-360AV/SOT1258/TRAYD
    94-2402Транзистор: IRF530 - 400V HEXFET, N-CHANNEL
    TPIC46L02DBLEМикросхема: LOW SIDE PRE FET DRIVER
    CG2H80030D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V DIE
    TA9310EPA RF GAN PWR 20W .03-4GHZ 32V
    NE3513M04-T2B-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    GTRA362802FC-V1-R0Транзистор: 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    CE3512K2Транзистор: RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
    2SK1920-ENCH 10V DRIVE SERIES
    BLF888ESUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП