Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
TAV-551+
TAV-551+

TAV-551+

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Mini-Circuits
  • Артикул:
    TAV-551+
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873Все характеристики

Минимальная цена TAV-551+ при покупке от 1 шт 2818.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TAV-551+ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TAV-551+

  • Тип транзистора
    E-pHEMT
  • Частота
    6GHz
  • Усиление
    16.3dB
  • Тестовое напряжение
    3 V
  • Уровень шума
    1.7dB @ 5.8GHz
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Мощность передачи
    20.1dB
  • Нормальное напряжение
    5 V
  • Корпус
    4-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    FG873
Техническая документация
 TAV-551+.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 323 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 818 ₽
  • 20
    338 ₽
  • 100
    327 ₽
  • 200
    314 ₽
  • 500
    310 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Mini-Circuits
  • Артикул:
    TAV-551+
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873Все характеристики

Минимальная цена TAV-551+ при покупке от 1 шт 2818.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TAV-551+ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TAV-551+

  • Тип транзистора
    E-pHEMT
  • Частота
    6GHz
  • Усиление
    16.3dB
  • Тестовое напряжение
    3 V
  • Уровень шума
    1.7dB @ 5.8GHz
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Мощность передачи
    20.1dB
  • Нормальное напряжение
    5 V
  • Корпус
    4-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    FG873
Техническая документация
 TAV-551+.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLP05H6350XRGYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
    12 160Кешбэк 1 824 балла
    MCH6408-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    43Кешбэк 6 баллов
    BLP15H9S10ZТранзистор: BLP15H9S10/SOT1482/REELDP
    4 124Кешбэк 618 баллов
    MCH6306-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    18.7Кешбэк 2 балла
    SCH2822-TL-EТранзистор: PCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES
    13Кешбэк 1 балл
    ECH8301-TL-EP CHANNEL SILICON MOS FET
    62Кешбэк 9 баллов
    CGH25120FТранзистор: 120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET
    124 803Кешбэк 18 720 баллов
    IGN1214M300Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    186 516Кешбэк 27 977 баллов
    UPA509TA-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    54Кешбэк 8 баллов
    CGHV40050PТранзистор: 50W, GAN HEMT, 50V, DC-4.0GHZ, P
    58 125Кешбэк 8 718 баллов
    ASC2406HIGH POWER AMPLIFIER
    221 519Кешбэк 33 227 баллов
    A3G26D055N-1805Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18
    82 876Кешбэк 12 431 балл
    BLM8D1822S-50PBYRF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOPF
    9 361Кешбэк 1 404 балла
    BLC10G22XS-551AVTZТранзистор: BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/TRAYDP
    21 222Кешбэк 3 183 балла
    BLC9G22XS-400AVTZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.3DB SOT1258
    13 207Кешбэк 1 981 балл
    BLA9H0912LS-700GUТранзистор: BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
    59 411Кешбэк 8 911 баллов
    MCH6608-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    43Кешбэк 6 баллов
    BLF978PUТранзистор: BLF978P/SOT539/TRAY
    50 093Кешбэк 7 513 баллов
    CGH55030F1Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    43 889Кешбэк 6 583 балла
    NE3515S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    164Кешбэк 24 балла
    CPH6602-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    43Кешбэк 6 баллов
    CPH3338-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    39Кешбэк 5 баллов
    CPH6413-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    22.4Кешбэк 3 балла
    SCH2308-TL-EТранзистор: PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES
    33.6Кешбэк 5 баллов
    GTVA262711FA-V2-R0Транзистор: GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ
    25 767Кешбэк 3 865 баллов
    CG2H40045FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    63 832Кешбэк 9 574 балла
    TAV-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 818Кешбэк 422 балла
    BLA9G1011L-300UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A
    35 997Кешбэк 5 399 баллов
    CGH27015FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    24 253Кешбэк 3 637 баллов
    CPH3441-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    56Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП