Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
TAV-551+
TAV-551+

TAV-551+

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Mini-Circuits
  • Артикул:
    TAV-551+
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873Все характеристики

Минимальная цена TAV-551+ при покупке от 1 шт 2846.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TAV-551+ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TAV-551+

  • Тип транзистора
    E-pHEMT
  • Частота
    6GHz
  • Усиление
    16.3dB
  • Тестовое напряжение
    3 V
  • Уровень шума
    1.7dB @ 5.8GHz
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Мощность передачи
    20.1dB
  • Нормальное напряжение
    5 V
  • Корпус
    4-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    FG873
Техническая документация
 TAV-551+.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 323 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 846 ₽
  • 20
    341 ₽
  • 100
    330 ₽
  • 200
    317 ₽
  • 500
    313 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Mini-Circuits
  • Артикул:
    TAV-551+
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873Все характеристики

Минимальная цена TAV-551+ при покупке от 1 шт 2846.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TAV-551+ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TAV-551+

  • Тип транзистора
    E-pHEMT
  • Частота
    6GHz
  • Усиление
    16.3dB
  • Тестовое напряжение
    3 V
  • Уровень шума
    1.7dB @ 5.8GHz
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Мощность передачи
    20.1dB
  • Нормальное напряжение
    5 V
  • Корпус
    4-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    FG873
Техническая документация
 TAV-551+.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLS9G3135L-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A
    68 137Кешбэк 10 220 баллов
    EC4303C-TLPCH 4V DRIVE SERIES
    13.2Кешбэк 1 балл
    BLC9G21LS-60AVZТранзистор: BLC9G21LS-60AV/SOT1275/TRAYDP
    10 145Кешбэк 1 521 балл
    BLF984PUТранзистор: BLF984P/SOT1121/TRAY
    32 352Кешбэк 4 852 балла
    BLS9G2735LS-50UТранзистор: RF MOSFET LDMOS SOT1135B
    17 232Кешбэк 2 584 балла
    CPH5811-TL-ENCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES
    57Кешбэк 8 баллов
    NE3512S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    181Кешбэк 27 баллов
    BLP2425M10S250PYТранзистор: BLP2425M10S250P/OMP780/REELDP
    12 379Кешбэк 1 856 баллов
    2SJ637-EPCH 4V DRIVE SERIES
    121Кешбэк 18 баллов
    CGHV38375FТранзистор: 400W 50V GAN HEMT, 2.75-3.75GHZ
    217 516Кешбэк 32 627 баллов
    BLC9G20LS-150PVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V SOT12753
    11 432Кешбэк 1 714 баллов
    2SK3819-DL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    264Кешбэк 39 баллов
    MWT-PH27FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    3 022Кешбэк 453 балла
    2SK3820-DL-1EXNCH 4V DRIVE SERIES
    253Кешбэк 37 баллов
    BLF989EUТранзистор: BLF989E/SOT539/TRAY
    48 555Кешбэк 7 283 балла
    MMRF5017HSR5Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S
    143 309Кешбэк 21 496 баллов
    CGH35240FТранзистор: 240W GAN HEMT 28V 3.1-3.5GHZ FET
    94 219Кешбэк 14 132 балла
    BLF974PUТранзистор: BLF974P/SOT539/TRAY
    41 421Кешбэк 6 213 баллов
    2SK1069-4-TL-EN-CHANNEL JUNCTION SILICON FET
    320Кешбэк 48 баллов
    CGHV40050PТранзистор: 50W, GAN HEMT, 50V, DC-4.0GHZ, P
    58 700Кешбэк 8 805 баллов
    WP2806025UHТранзистор: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 25W
    25 180Кешбэк 3 777 баллов
    BLC9G24XS-170AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12753
    11 195Кешбэк 1 679 баллов
    BLF888BS,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539B
    46 142Кешбэк 6 921 балл
    MRF300ANТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
    18 775Кешбэк 2 816 баллов
    PTVA030121EA-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36265-2
    9 033Кешбэк 1 354 балла
    BLF0910H6LS500UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751
    27 169Кешбэк 4 075 баллов
    MCH3319-TL-EPCH 1.8V DRIVE SERIES
    26.4Кешбэк 3 балла
    BLA9H0912LS-250GUТранзистор: BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY
    47 111Кешбэк 7 066 баллов
    BLS9G3135LS-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
    57 916Кешбэк 8 687 баллов
    CLF3H0060S-30UТранзистор: CLF3H0060S-30U/SOT1227/TRAY
    48 387Кешбэк 7 258 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП