Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
TAV1-331+
  • В избранное
  • В сравнение
TAV1-331+

TAV1-331+

TAV1-331+
;
TAV1-331+

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Mini-Circuits
  • Артикул:
    TAV1-331+
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769Все характеристики

Минимальная цена TAV1-331+ при покупке от 1 шт 3055.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TAV1-331+ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TAV1-331+

TAV1-331+ Mini-Circuits Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769

  • Основные параметры:
    • Входное напряжение: 4 В
    • Тип: RF MOSFET D-PHEMT
    • Максимальная частота: до 20 ГГц
    • Номинальная мощность: 10 Вт
    • Коэффициент усиления: 20 дБ
    • Рабочий диапазон температур: -55°C до +125°C
  • Плюсы:
    • Высокая скорость передачи данных
    • Устойчивость к помехам
    • Эффективное использование спектра
    • Низкое энергопотребление
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требует специализированного оборудования для тестирования
    • Ограниченный температурный диапазон
  • Общее назначение:
    • Радиолокационное оборудование
    • Системы связи
    • Аналоговые и цифровые радиочастотные системы
    • Модуляторы и дес modуляторы
  • Применение:
    • Лучи для мобильной связи
    • Станции спутниковой связи
    • Антенны для военных и гражданских радиолокационных систем
    • Профессиональное радиооборудование
Выбрано: Показать

Характеристики TAV1-331+

  • Тип транзистора
    D-pHEMT
  • Частота
    4GHz
  • Усиление
    24.6dB
  • Тестовое напряжение
    4 V
  • Current Rating (Amps)
    228mA
  • Уровень шума
    1dB @ 4GHz
  • Тестовый ток
    60 mA
  • Мощность передачи
    21.3dBm
  • Нормальное напряжение
    5 V
  • Корпус
    4-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    TE2769

Техническая документация

 TAV1-331+.pdf
pdf. 0 kb
  • 86 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 055 ₽
  • 20
    396 ₽
  • 500
    371 ₽
  • 1000
    348 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Mini-Circuits
  • Артикул:
    TAV1-331+
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769Все характеристики

Минимальная цена TAV1-331+ при покупке от 1 шт 3055.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TAV1-331+ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TAV1-331+

TAV1-331+ Mini-Circuits Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769

  • Основные параметры:
    • Входное напряжение: 4 В
    • Тип: RF MOSFET D-PHEMT
    • Максимальная частота: до 20 ГГц
    • Номинальная мощность: 10 Вт
    • Коэффициент усиления: 20 дБ
    • Рабочий диапазон температур: -55°C до +125°C
  • Плюсы:
    • Высокая скорость передачи данных
    • Устойчивость к помехам
    • Эффективное использование спектра
    • Низкое энергопотребление
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требует специализированного оборудования для тестирования
    • Ограниченный температурный диапазон
  • Общее назначение:
    • Радиолокационное оборудование
    • Системы связи
    • Аналоговые и цифровые радиочастотные системы
    • Модуляторы и дес modуляторы
  • Применение:
    • Лучи для мобильной связи
    • Станции спутниковой связи
    • Антенны для военных и гражданских радиолокационных систем
    • Профессиональное радиооборудование
Выбрано: Показать

Характеристики TAV1-331+

  • Тип транзистора
    D-pHEMT
  • Частота
    4GHz
  • Усиление
    24.6dB
  • Тестовое напряжение
    4 V
  • Current Rating (Amps)
    228mA
  • Уровень шума
    1dB @ 4GHz
  • Тестовый ток
    60 mA
  • Мощность передачи
    21.3dBm
  • Нормальное напряжение
    5 V
  • Корпус
    4-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    TE2769

Техническая документация

 TAV1-331+.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AFM907NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN
    800Кешбэк 120 баллов
    CE3512K2-C1Транзистор: RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
    309Кешбэк 46 баллов
    CPH3303-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    43Кешбэк 6 баллов
    CPH5811-TL-ENCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES
    56Кешбэк 8 баллов
    J211-D74ZJFET N-CH 25V 20MA TO92
    52Кешбэк 7 баллов
    2SJ659-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    137Кешбэк 20 баллов
    STB60N06HDT4Транзистор: NFET D2PAK SPCL 60V TR
    232Кешбэк 34 балла
    NE3512S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    178Кешбэк 26 баллов
    BFL4036-SNCH 10V DRIVE SERIES
    117Кешбэк 17 баллов
    FSS172-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    83Кешбэк 12 баллов
    MCH6608-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    43Кешбэк 6 баллов
    NTD4860NT4HТранзистор: NFET DPAK 25V 65A 0.0075R
    85Кешбэк 12 баллов
    BFL4037-SNCH 10V DRIVE SERIES
    132Кешбэк 19 баллов
    NTD4865NT4HТранзистор: NFET DPAK 25V 44A 0.0011R
    48Кешбэк 7 баллов
    TPIC46L02DBLEМикросхема: LOW SIDE PRE FET DRIVER
    196Кешбэк 29 баллов
    2SK853A(1)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    43Кешбэк 6 баллов
    CPH3408-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    89Кешбэк 13 баллов
    CPH5819-TL-ENCH+SBD 4V DRIVE SERIES
    31.5Кешбэк 4 балла
    MCH6415-TL-ENCH 1.8V DRIVE SERIES
    48Кешбэк 7 баллов
    2SK3984-ZK-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    196Кешбэк 29 баллов
    CE3520K3-C1Транзистор: RF FET 4V 20GHZ 4MICROX
    422Кешбэк 63 балла
    FDMC0223Транзистор: N-CHANNEL POWER TRENCH SYNCFET
    41Кешбэк 6 баллов
    2SJ266-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    224Кешбэк 33 балла
    CPH3426-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    43Кешбэк 6 баллов
    CPH3338-T-TL-HPCH 4V DRIVE SERIES
    22.2Кешбэк 3 балла
    FSS262-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    85Кешбэк 12 баллов
    CPH6302-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    107Кешбэк 16 баллов
    MCH6634-TL-EТранзистор: PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SK2617ALS-CB11NCH 15V DRIVE SERIES
    369Кешбэк 55 баллов
    2SK3617-ENCH 4V DRIVE SERIES
    150Кешбэк 22 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП