Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
TAV1-541+
  • В избранное
  • В сравнение
TAV1-541+

TAV1-541+

TAV1-541+
;
TAV1-541+

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Mini-Circuits
  • Артикул:
    TAV1-541+
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V TE2769Все характеристики

Минимальная цена TAV1-541+ при покупке от 1 шт 2644.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TAV1-541+ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TAV1-541+

TAV1-541+ Mini-Circuits Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V TE2769

  • Основные параметры:
    • Тип: RF MOSFET E-PHEMT
  • Номинальное напряжение питания: 3В
  • Предел частот: до 54GHz
  • Максимальная мощность выходного сигнала: 10dBm
  • Коэффициент усиления: до 12dB
  • Плюсы:

    • Высокая скорость работы до 54ГГц, что делает его подходящим для радиочастотных применений.
  • Высокий коэффициент усиления (до 12дБ), что обеспечивает хорошую чувствительность приемника.
  • Малый размер, что позволяет использовать его в компактных устройствах.
  • Минусы:

    • Ограниченная мощность выходного сигнала (10dBm), что может быть недостаточно для некоторых приложений требующих высокую мощность.
  • Требуется низкое напряжение питания (3В), что может ограничить некоторые применения.
  • Общее назначение:

    • Применяется в радиочастотных устройствах, таких как:
    • Радиостанции
  • Системы спутниковой связи
  • Локаторы и радары
  • Радиолокационные системы
  • В каких устройствах применяется:

    • Телекоммуникационные системы
  • Мобильная связь
  • Системы спутниковой связи
  • Радиолокация и спутниковая навигация
  • Выбрано: Показать

    Характеристики TAV1-541+

    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Package
      Digi-Reel®
    • Тип транзистора
      E-pHEMT
    • Частота
      45MHz ~ 6GHz
    • Усиление
      18.6dB
    • Тестовое напряжение
      3 V
    • Уровень шума
      1.4dB @ 5.8GHz
    • Тестовый ток
      60 mA
    • Мощность передачи
      18.6dBm
    • Нормальное напряжение
      5 V
    • Корпус
      4-SMD, No Lead
    • Исполнение корпуса
      TE2769

    Техническая документация

     TAV1-541+.pdf
    pdf. 0 kb
    • 851 шт
      3-6 недель
    • Количество
      Цена
    • 1
      2 644 ₽
    • 20
      384 ₽
    • 100
      374 ₽
    • 500
      367 ₽
    • 1000
      314 ₽

    Кешбэк 1 балл

    Авторизируйтесь, чтобы
    снизить цену

    • В избранное
    • В сравнение
    • Производитель:
      Mini-Circuits
    • Артикул:
      TAV1-541+
    • Описание:
      Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V TE2769Все характеристики

    Минимальная цена TAV1-541+ при покупке от 1 шт 2644.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TAV1-541+ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

    Описание TAV1-541+

    TAV1-541+ Mini-Circuits Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V TE2769

    • Основные параметры:
      • Тип: RF MOSFET E-PHEMT
    • Номинальное напряжение питания: 3В
  • Предел частот: до 54GHz
  • Максимальная мощность выходного сигнала: 10dBm
  • Коэффициент усиления: до 12dB
  • Плюсы:

    • Высокая скорость работы до 54ГГц, что делает его подходящим для радиочастотных применений.
  • Высокий коэффициент усиления (до 12дБ), что обеспечивает хорошую чувствительность приемника.
  • Малый размер, что позволяет использовать его в компактных устройствах.
  • Минусы:

    • Ограниченная мощность выходного сигнала (10dBm), что может быть недостаточно для некоторых приложений требующих высокую мощность.
  • Требуется низкое напряжение питания (3В), что может ограничить некоторые применения.
  • Общее назначение:

    • Применяется в радиочастотных устройствах, таких как:
    • Радиостанции
  • Системы спутниковой связи
  • Локаторы и радары
  • Радиолокационные системы
  • В каких устройствах применяется:

    • Телекоммуникационные системы
  • Мобильная связь
  • Системы спутниковой связи
  • Радиолокация и спутниковая навигация
  • Выбрано: Показать

    Характеристики TAV1-541+

    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Package
      Digi-Reel®
    • Тип транзистора
      E-pHEMT
    • Частота
      45MHz ~ 6GHz
    • Усиление
      18.6dB
    • Тестовое напряжение
      3 V
    • Уровень шума
      1.4dB @ 5.8GHz
    • Тестовый ток
      60 mA
    • Мощность передачи
      18.6dBm
    • Нормальное напряжение
      5 V
    • Корпус
      4-SMD, No Lead
    • Исполнение корпуса
      TE2769

    Техническая документация

     TAV1-541+.pdf
    pdf. 0 kb

    Похожие товары

    Все товары
    Похожие товары
      PTVA123501FC-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-37248-2
      68 423Кешбэк 10 263 балла
      GTVA311801FA-V1-R250Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
      72 451Кешбэк 10 867 баллов
      GTVA311801FA-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
      83 436Кешбэк 12 515 баллов
      CG2H40120FТранзистор: 120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2
      91 965Кешбэк 13 794 балла
      PTVA127002EV-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36275-4
      102 391Кешбэк 15 358 баллов
      PTVA104501EH-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-33288-2
      107 034Кешбэк 16 055 баллов
      PTVA101K02EV-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36275-4
      158 648Кешбэк 23 797 баллов
      GTVA107001EC-V1-R0Транзистор: 700W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET
      246 420Кешбэк 36 963 балла
      GTVA101K42EV-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ
      389 786Кешбэк 58 467 баллов
      BF2040E6814HTSA1Транзистор: RF MOSFET N-CH 5V SOT143-4
      44Кешбэк 6 баллов
      TAV2-501+Транзистор: SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 400 - 3
      2 644Кешбэк 396 баллов
      TAV1-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V TE2769
      2 644Кешбэк 396 баллов
      TAV-581+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
      2 907Кешбэк 436 баллов
      TAV-551+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
      2 907Кешбэк 436 баллов
      TAV-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
      2 913Кешбэк 436 баллов
      SAV-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V SC70-4
      3 175Кешбэк 476 баллов
      TAV1-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769
      3 175Кешбэк 476 баллов
      SAV-551+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
      3 491Кешбэк 523 балла
      SAV-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
      3 491Кешбэк 523 балла
      SAV-581+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
      3 491Кешбэк 523 балла
      IGN1011L70Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
      49 470Кешбэк 7 420 баллов
      IGN0912LM500Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
      163 897Кешбэк 24 584 балла
      IGN2729M400R2Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND
      165 672Кешбэк 24 850 баллов
      CPH3313-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
      19.2Кешбэк 2 балла
      MCH6306-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
      19.2Кешбэк 2 балла
      CPH6335-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
      19.2Кешбэк 2 балла
      MCH6634-TL-EТранзистор: PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
      19.2Кешбэк 2 балла
      CPH6413-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
      23Кешбэк 3 балла
      CPH3338-T-TL-HPCH 4V DRIVE SERIES
      23Кешбэк 3 балла
      MCH6422-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
      27Кешбэк 4 балла

    Похожие категории

    Все товары
    Похожие категории
      Диоды силовые
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
      Модули драйверов питания
      Полевые транзисторы - Сборки
      Одиночные биполярные транзисторы
      Сборки биполярных транзисторов
      Тиристоры - SCR
      Диоды и транзисторы для регулирования тока
      Диоды выпрямительные - Одиночные
      Высокочастотные полевые транзисторы
      Высокочастотные диоды
      Тиристоры - SCR - модули
      Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
      Модули триодных тиристоров
      Программируемые однопереходные транзисторы
      Транзисторы - IGBT - модули
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
      Варикапы и Варакторы
      Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
      IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
      Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
      Диодные мосты - Модули
      Полевые транзисторы - Одиночные
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
      Диоды - мостовые выпрямители
       Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
      IGBT транзисторы
      Одиночные IGBT транзисторы
      Тиристоры - TRIACs
      Симисторы - Модули
      Диоды выпрямительные - Модули
      Диоды - выпрямители - массивы
      Одиночные триодные тиристоры
      Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
      Полевые транзисторы - Модули
      Диодные мосты
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
      Диоды - ВЧ
      Транзисторы специального назначения
      Высокочастотные биполярные транзисторы
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
      Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
      Симисторы
      Принадлежности для дискретных полупроводников
      Транзисторные модули
      Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
      Динисторы (DIAC, SIDAC)
      Диоды - выпрямители - одиночные
      Модули драйверов питания
      Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
      Биполярные транзисторы
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
      Диоды выпрямительные - Сборки
      Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
      Транзисторы - программируемые однопереходные
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
      Транзисторы - JFET
    Логотип ЭикомЭиком
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Наш Telegram
    Наш Яндекс.Дзен
    • Каталог товаров
    • Доставка
    • Оплата
    • Производители
    • Акции
    • Как купить
    • Кешбэк
    • Как сделать заказ
    • Загрузка BOM-листа
    • Возврат и обмен
    • Состояние заказа
    • О компании
    • Отзывы
    • Новости
    • Статьи
    • Вакансии
    • Правовая информация
    • Контакты
    8 800 550-00-22
    info@eicom.ru
    Пн-Пт 9:30 - 17:30
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Наш Telegram
    Наш Яндекс.Дзен
    Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
    © 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
    • visa
    • mastercard
    • Мир
    • Система быстрых платежей СБП