Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранители
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
TBAS16,LM
  • В избранное
  • В сравнение
TBAS16,LM

TBAS16,LM

TBAS16,LM
;
TBAS16,LM

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    TBAS16,LM
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена TBAS16,LM при покупке от 1 шт 18.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TBAS16,LM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TBAS16,LM

Технические характеристики:

  • Модель: TBAS16, LM Toshiba Semiconductor and Storage DIODE
  • Прилагаемое напряжение (VRRM): 80В
  • Ток прямого тока (ISM): 215mA
  • Форм-фактор: SOT23-3

Основные преимущества:

  • Высокая надежность: Производство Toshiba обеспечивает высокую стабильность и долговечность.
  • Компактность: Форм-фактор SOT23-3 позволяет использовать диоды в компактных устройствах.
  • Низкий ток шунтирующего тока: Пониженный ток шунтирования обеспечивает более эффективное использование энергии.

Основные недостатки:

  • Ограниченная мощность: Диод не предназначен для работы при высоких токах или напряжениях.
  • Отсутствие защиты: Не содержит встроенных защитных функций против перегрева или перетока.

Общее назначение:

  • Защита от обратного тока в электронных схемах.
  • Шунтирование при возникновении обратного напряжения.
  • Использование в различных типах устройств, требующих защиты диодами.

Применение:

  • Маломощные электронные устройства.
  • Системы питания.
  • Автомобильные электронные системы.
  • Устройства с ограниченным пространством.
Выбрано: Показать

Характеристики TBAS16,LM

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    80 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    215mA
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-3 Flat Leads
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    TBAS16

Техническая документация

 TBAS16,LM.pdf
pdf. 0 kb
  • 5609 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18.7 ₽
  • 100
    12.4 ₽
  • 1000
    7.9 ₽
  • 6000
    4.7 ₽
  • 15000
    4.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    TBAS16,LM
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена TBAS16,LM при покупке от 1 шт 18.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TBAS16,LM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TBAS16,LM

Технические характеристики:

  • Модель: TBAS16, LM Toshiba Semiconductor and Storage DIODE
  • Прилагаемое напряжение (VRRM): 80В
  • Ток прямого тока (ISM): 215mA
  • Форм-фактор: SOT23-3

Основные преимущества:

  • Высокая надежность: Производство Toshiba обеспечивает высокую стабильность и долговечность.
  • Компактность: Форм-фактор SOT23-3 позволяет использовать диоды в компактных устройствах.
  • Низкий ток шунтирующего тока: Пониженный ток шунтирования обеспечивает более эффективное использование энергии.

Основные недостатки:

  • Ограниченная мощность: Диод не предназначен для работы при высоких токах или напряжениях.
  • Отсутствие защиты: Не содержит встроенных защитных функций против перегрева или перетока.

Общее назначение:

  • Защита от обратного тока в электронных схемах.
  • Шунтирование при возникновении обратного напряжения.
  • Использование в различных типах устройств, требующих защиты диодами.

Применение:

  • Маломощные электронные устройства.
  • Системы питания.
  • Автомобильные электронные системы.
  • Устройства с ограниченным пространством.
Выбрано: Показать

Характеристики TBAS16,LM

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    80 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    215mA
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-3 Flat Leads
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    TBAS16

Техническая документация

 TBAS16,LM.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RS2MFS500NS, 2A, 1000V, FAST RECOVERY
    71Кешбэк 10 баллов
    HS1MFL75NS 1A 1000V HIGH EFFICIENT REC
    47Кешбэк 7 баллов
    TST10L200CWDIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
    241Кешбэк 36 баллов
    TST40L100CWDIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
    403Кешбэк 60 баллов
    CUHS20F30,H3FSCHOTTKY BARRIER DIODE, 30V/2A,
    67Кешбэк 10 баллов
    CLS10F40,L3FSS SCHOTTKY BARRIER DIODE, HIGH-
    84Кешбэк 12 баллов
    CUHS20F40,H3FSCHOTTKY BARRIER DIODE, 40V/2A,
    71Кешбэк 10 баллов
    CUHS20S40,H3FSCHOTTKY BARRIER DIODE, LOW VF,
    73Кешбэк 10 баллов
    CUHS15S30,H3FSBD SINGLE 30V, 1.5A, IN 2 PIN U
    67Кешбэк 10 баллов
    1SS321,LFSMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
    37Кешбэк 5 баллов
    CUHS20S30,H3FSCHOTTKY BARRIER DIODE, LOW VF,
    73Кешбэк 10 баллов
    CUHS10F60,H3FSMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
    39Кешбэк 5 баллов
    CCS15F40,L3FDIODE SCHOTTKY 40V 1.5A CST2C
    50Кешбэк 7 баллов
    1SS403E,L3FSINGLE SWITCHING DIODE 200V 0.1A
    37Кешбэк 5 баллов
    CRG07(TE85L,Q,M)Диод: DIODE GEN PURP 400V 700MA S-FLAT
    78Кешбэк 11 баллов
    TBAS16,LMDIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3
    18.7Кешбэк 2 балла
    1SS385FV,L3FSMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
    33.6Кешбэк 5 баллов
    CBS05F30,L3FX34 PB-F CST2B SBD DIODE VR:30V,
    515Кешбэк 77 баллов
    CUS357,H3FSMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
    32Кешбэк 4 балла
    CRS15I40A(TE85L,QMDIODE SCHOTTKY 40V 1.5A S-FLAT
    110Кешбэк 16 баллов
    CMS15I40A(TE12L,QMDIODE SCHOTTKY 40V 1.5A M-FLAT
    161Кешбэк 24 балла
    CRS15I30A(TE85L,QMDIODE SCHOTTKY 30V 1.5A S-FLAT
    110Кешбэк 16 баллов
    CMS17(TE12L,Q,M)DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
    134Кешбэк 20 баллов
    CMH07(TE12L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
    151Кешбэк 22 балла
    BAS516,L3FDIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
    30Кешбэк 4 балла
    CMS30I30A(TE12L,QMDIODE SCHOTTKY 30V 3A M-FLAT
    112Кешбэк 16 баллов
    CMS30I40A(TE12L,QMDIODE SCHOTTKY 40V 3A M-FLAT
    164Кешбэк 24 балла
    CRH02(TE85L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 500MA S-FLAT
    78Кешбэк 11 баллов
    TRS2E65F,S1QPB-F DIODE TO-220-2L IF=2A VRRM=
    340Кешбэк 51 балл
    CRF02(TE85L,Q,M)Диод: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
    108Кешбэк 16 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули триодных тиристоров
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторные модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП