Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
TF412ST5G
  • В избранное
  • В сравнение
TF412ST5G

TF412ST5G

TF412ST5G
;
TF412ST5G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    TF412ST5G
  • Описание:
    Тиристор: JFET N-CH 30V 10MA SOT883Все характеристики

Минимальная цена TF412ST5G при покупке от 1 шт 87.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TF412ST5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TF412ST5G

TF412ST5G onsemi Тиристор: JFET N-CH 30V 10mA SOT883

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода: 30В
    • Ток: 10мА
    • Тип: JFET N-канальный
    • Пакет: SOT883
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Устойчивость к шумам и импульсным перенапряжениям
    • Малый размер и легкость применения в компактных устройствах
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с тиристорами других типов
    • Высокие требования к проектированию защитных схем
  • Общее назначение:
    • Контроль включений и выключений в электрических цепях
    • Регулировка скорости вращения электродвигателей
    • Защита электронных устройств от импульсных перенапряжений
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления скоростью вентиляторов и приводов
    • Защитные устройства для электронных систем
Выбрано: Показать

Характеристики TF412ST5G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.2 mA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    10 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    180 mV @ 1 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
  • Base Product Number
    TF412
  • 316327 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    87 ₽
  • 100
    37 ₽
  • 1000
    22.4 ₽
  • 5000
    20.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    TF412ST5G
  • Описание:
    Тиристор: JFET N-CH 30V 10MA SOT883Все характеристики

Минимальная цена TF412ST5G при покупке от 1 шт 87.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TF412ST5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TF412ST5G

TF412ST5G onsemi Тиристор: JFET N-CH 30V 10mA SOT883

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода: 30В
    • Ток: 10мА
    • Тип: JFET N-канальный
    • Пакет: SOT883
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Устойчивость к шумам и импульсным перенапряжениям
    • Малый размер и легкость применения в компактных устройствах
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с тиристорами других типов
    • Высокие требования к проектированию защитных схем
  • Общее назначение:
    • Контроль включений и выключений в электрических цепях
    • Регулировка скорости вращения электродвигателей
    • Защита электронных устройств от импульсных перенапряжений
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления скоростью вентиляторов и приводов
    • Защитные устройства для электронных систем
Выбрано: Показать

Характеристики TF412ST5G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.2 mA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    10 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    180 mV @ 1 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
  • Base Product Number
    TF412

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBF4393LT3GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    82Кешбэк 12 баллов
    MMBF5460Тиристор: JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
    80Кешбэк 12 баллов
    NSVJ3557SA3T1GJFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
    91Кешбэк 13 баллов
    MMBFJ175LT3GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    93Кешбэк 13 баллов
    2SK2394-6-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    124Кешбэк 18 баллов
    BSR58JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23
    82Кешбэк 12 баллов
    SMMBFJ175LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH 30V SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    J113SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    80Кешбэк 12 баллов
    MCH5908H-TL-EJFET 2N-CH 0.3W MCPH5
    202Кешбэк 30 баллов
    SMMBFJ177LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    TF256TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    91Кешбэк 13 баллов
    MMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    55Кешбэк 8 баллов
    MCH3914-7-TL-HJFET N-CH 50MA 300MW SC70FL/MCPH
    178Кешбэк 26 баллов
    MMBF5457Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    145Кешбэк 21 балл
    2SK932-22-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    133Кешбэк 19 баллов
    J109JFET N-CH 25V 625MW TO92
    64Кешбэк 9 баллов
    2SK880-BL(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    157Кешбэк 23 балла
    2SK880-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    157Кешбэк 23 балла
    P1087JFET P-CH 30V 350MW TO92
    847Кешбэк 127 баллов
    PN4391SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    795Кешбэк 119 баллов
    P1086JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    847Кешбэк 127 баллов
    PN4117JFET N-CH 40V 0.35W TO92
    695Кешбэк 104 балла
    2N4858AТиристор: JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
    2 842Кешбэк 426 баллов
    2N4391N CHANNEL J-FET T0-18
    2 701Кешбэк 405 баллов
    2N5116P-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 785Кешбэк 417 баллов
    2N4392N CHANNEL J-FET T0-18
    2 703Кешбэк 405 баллов
    2N4393N CHANNEL J-FET T0-18
    2 703Кешбэк 405 баллов
    2N4118AMOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF
    4 055Кешбэк 608 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП