Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
TK10A80W,S4X
  • В избранное
  • В сравнение
TK10A80W,S4X

TK10A80W,S4X

TK10A80W,S4X
;
TK10A80W,S4X

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TK10A80W,S4X
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SISВсе характеристики

Минимальная цена TK10A80W,S4X при покупке от 1 шт 770.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK10A80W,S4X с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TK10A80W,S4X

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    550mOhm @ 4.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 450µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1150 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    40W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    TK10A80

Техническая документация

 TK10A80W,S4X.pdf
pdf. 0 kb
  • 188 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    770 ₽
  • 10
    427 ₽
  • 100
    388 ₽
  • 500
    311 ₽
  • 1000
    294 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TK10A80W,S4X
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SISВсе характеристики

Минимальная цена TK10A80W,S4X при покупке от 1 шт 770.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK10A80W,S4X с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TK10A80W,S4X

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    550mOhm @ 4.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 450µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1150 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    40W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    TK10A80

Техническая документация

 TK10A80W,S4X.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PJW4P06A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    112Кешбэк 16 баллов
    IXFH120N30X3MOSFET N-CH 300V 120A TO247
    3 300Кешбэк 495 баллов
    RF1K4915696N-CHANNEL POWER MOSFET
    225Кешбэк 33 балла
    IPTC012N08NM5ATMA1MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP
    1 517Кешбэк 227 баллов
    IAUA180N04S5N012AUMA1MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
    378Кешбэк 56 баллов
    NTMFS1D7N03CGT1GMOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
    242Кешбэк 36 баллов
    RFP50N05N-CHANNEL POWER MOSFET
    252Кешбэк 37 баллов
    SIHP35N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
    1 195Кешбэк 179 баллов
    PMPB13UPXMOSFET P-CH 12V 9.1A DFN2020MD-6
    190Кешбэк 28 баллов
    G3R12MT12K1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
    11 551Кешбэк 1 732 балла
    IPA60R280P7SXKSA1MOSFET N-CH 600V 12A TO220
    298Кешбэк 44 балла
    NVTFS5C673NLWFTAGMOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
    321Кешбэк 48 баллов
    NTHL019N60S5FSUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
    3 217Кешбэк 482 балла
    IAUC120N06S5L032ATMA1MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
    365Кешбэк 54 балла
    PMPB07R3VPXPMPB07R3VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
    201Кешбэк 30 баллов
    NVMFS3D6N10MCLT1GMOSFET N-CH 100V 20A/132A 5DFN
    809Кешбэк 121 балл
    SSM3J355R,LFMOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
    80Кешбэк 12 баллов
    NTTFS5C454NLTWGMOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
    501Кешбэк 75 баллов
    BSS123_R1_00001Транзистор: SOT-23, MOSFET
    37Кешбэк 5 баллов
    AUIRF2907ZS-7PAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    529Кешбэк 79 баллов
    G12P04KP40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
    151Кешбэк 22 балла
    BSC059N04LS6ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
    125Кешбэк 18 баллов
    SPA08N80C3XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP
    550Кешбэк 82 балла
    IPN80R1K4P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
    203Кешбэк 30 баллов
    RQ3E100ATTBТранзистор: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
    168Кешбэк 25 баллов
    DMP2035UFDF-7MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
    119Кешбэк 17 баллов
    2SK3404-Z-E2-AZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    380Кешбэк 57 баллов
    GC20N65TN650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
    818Кешбэк 122 балла
    NTH4LN067N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 858Кешбэк 278 баллов
    EPC7014UBCGAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
    34 555Кешбэк 5 183 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП