Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
TK430A60F,S4X(S
  • В избранное
  • В сравнение
TK430A60F,S4X(S

TK430A60F,S4X(S

TK430A60F,S4X(S
;
TK430A60F,S4X(S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    TOSHIBA
  • Артикул:
    TK430A60F,S4X(S
  • Описание:
    MOSFET N-CHВсе характеристики

Минимальная цена TK430A60F,S4X(S при покупке от 1 шт 736.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK430A60F,S4X(S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK430A60F,S4X(S

TK430A60F,S4X(S — это N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Toshiba.

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: N-канальный MOSFET.
    • Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 600В (предположительно, так как "60" в номере часто указывает на это).
    • Максимальный ток стока (Id): 43А (предположительно, так как "430" в номере часто указывает на это, деленное на 10).
    • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Низкое (типично для мощных MOSFET).
    • Корпус: S4X(S) — вероятно, это какой-то вариант TO-247 или аналогичного силового корпуса, обеспечивающий хорошее рассеивание тепла.
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение пробоя: Позволяет использовать в высоковольтных приложениях.
    • Высокий ток: Подходит для мощных нагрузок.
    • Низкое сопротивление открытого канала: Минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
    • Высокая скорость переключения: Важно для импульсных источников питания и преобразователей.
    • Надежность: Продукция Toshiba обычно отличается высоким качеством.
  • Минусы:
    • Стоимость: Мощные MOSFET могут быть дороже менее мощных аналогов.
    • Требования к охлаждению: Из-за высоких токов и напряжений может потребоваться эффективное охлаждение (радиатор).
    • Чувствительность к статическому электричеству: Как и все MOSFET, требует осторожного обращения.
  • Общее назначение:
    • MOSFETы этого типа предназначены для использования в качестве ключей в силовых цепях, где требуется управление большими токами и высокими напряжениями.
    • Применяются для эффективного переключения и регулирования мощности.
  • В каких устройствах применяется:
    • Импульсные источники питания (SMPS): В преобразователях напряжения, инверторах.
    • Источники бесперебойного питания (ИБП): В цепях преобразования постоянного напряжения в переменное.
    • Электродвигатели: В схемах управления двигателями (частотные преобразователи, контроллеры).
    • Сварочное оборудование: В инверторных сварочных аппаратах.
    • Осветительное оборудование: В мощных светодиодных драйверах, балластах.
    • Индукционные нагреватели.
    • Промышленная электроника: В различных силовых модулях и системах управления.
Выбрано: Показать

Характеристики TK430A60F,S4X(S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    430mOhm @ 6.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1.75mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1940 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack

Техническая документация

 TK430A60F,S4X(S.pdf
pdf. 0 kb
  • 325 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    736 ₽
  • 10
    444 ₽
  • 100
    338 ₽
  • 500
    277 ₽
  • 1000
    259 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    TOSHIBA
  • Артикул:
    TK430A60F,S4X(S
  • Описание:
    MOSFET N-CHВсе характеристики

Минимальная цена TK430A60F,S4X(S при покупке от 1 шт 736.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK430A60F,S4X(S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK430A60F,S4X(S

TK430A60F,S4X(S — это N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Toshiba.

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: N-канальный MOSFET.
    • Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 600В (предположительно, так как "60" в номере часто указывает на это).
    • Максимальный ток стока (Id): 43А (предположительно, так как "430" в номере часто указывает на это, деленное на 10).
    • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Низкое (типично для мощных MOSFET).
    • Корпус: S4X(S) — вероятно, это какой-то вариант TO-247 или аналогичного силового корпуса, обеспечивающий хорошее рассеивание тепла.
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение пробоя: Позволяет использовать в высоковольтных приложениях.
    • Высокий ток: Подходит для мощных нагрузок.
    • Низкое сопротивление открытого канала: Минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
    • Высокая скорость переключения: Важно для импульсных источников питания и преобразователей.
    • Надежность: Продукция Toshiba обычно отличается высоким качеством.
  • Минусы:
    • Стоимость: Мощные MOSFET могут быть дороже менее мощных аналогов.
    • Требования к охлаждению: Из-за высоких токов и напряжений может потребоваться эффективное охлаждение (радиатор).
    • Чувствительность к статическому электричеству: Как и все MOSFET, требует осторожного обращения.
  • Общее назначение:
    • MOSFETы этого типа предназначены для использования в качестве ключей в силовых цепях, где требуется управление большими токами и высокими напряжениями.
    • Применяются для эффективного переключения и регулирования мощности.
  • В каких устройствах применяется:
    • Импульсные источники питания (SMPS): В преобразователях напряжения, инверторах.
    • Источники бесперебойного питания (ИБП): В цепях преобразования постоянного напряжения в переменное.
    • Электродвигатели: В схемах управления двигателями (частотные преобразователи, контроллеры).
    • Сварочное оборудование: В инверторных сварочных аппаратах.
    • Осветительное оборудование: В мощных светодиодных драйверах, балластах.
    • Индукционные нагреватели.
    • Промышленная электроника: В различных силовых модулях и системах управления.
Выбрано: Показать

Характеристики TK430A60F,S4X(S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    430mOhm @ 6.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1.75mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1940 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack

Техническая документация

 TK430A60F,S4X(S.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TK6R7A10PL,S4XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    457Кешбэк 68 баллов
    TPHR9003NL1,LQUMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
    459Кешбэк 68 баллов
    TK4R4P06PL,RQMOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
    460Кешбэк 69 баллов
    TPH4R10ANL,L1QMOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
    462Кешбэк 69 баллов
    TPH2R408QM,L1QMOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
    470Кешбэк 70 баллов
    TK5R1A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
    472Кешбэк 70 баллов
    XPH3R206NC,L1XHQMOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
    482Кешбэк 72 балла
    TPHR7904PB,L1XHQMOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
    494Кешбэк 74 балла
    TK380P60Y,RQMOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
    503Кешбэк 75 баллов
    TK290P65Y,RQMOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
    503Кешбэк 75 баллов
    TK33S10N1L,LQMOSFET N-CH 100V 33A DPAK
    511Кешбэк 76 баллов
    TK560A65Y,S4XMOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
    523Кешбэк 78 баллов
    TK1R5R04PB,LXGQMOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
    546Кешбэк 81 балл
    TK290A65Y,S4XMOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
    548Кешбэк 82 балла
    TK3R2E06PL,S1XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    550Кешбэк 82 балла
    TK290A60Y,S4XMOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
    562Кешбэк 84 балла
    XPW4R10ANB,L1XHQMOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
    593Кешбэк 88 баллов
    TK4R1A10PL,S4XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    614Кешбэк 92 балла
    TK3R2A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
    670Кешбэк 100 баллов
    TK17A65W,S5XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    727Кешбэк 109 баллов
    TK430A60F,S4X(SMOSFET N-CH
    737Кешбэк 110 баллов
    TK160F10N1L,LQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
    742Кешбэк 111 баллов
    TK2R4A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
    744Кешбэк 111 баллов
    TPW1R005PL,L1QMOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
    769Кешбэк 115 баллов
    TK190A65Z,S4XТранзистор: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
    816Кешбэк 122 балла
    TK10A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
    847Кешбэк 127 баллов
    XK1R9F10QB,LXGQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
    890Кешбэк 133 балла
    TK190U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
    894Кешбэк 134 балла
    TK160F10N1L,LXGQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
    905Кешбэк 135 баллов
    TK12A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
    909Кешбэк 136 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторные модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП