Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
TK430A60F,S4X(S
  • В избранное
  • В сравнение
TK430A60F,S4X(S

TK430A60F,S4X(S

TK430A60F,S4X(S
;
TK430A60F,S4X(S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    TOSHIBA
  • Артикул:
    TK430A60F,S4X(S
  • Описание:
    MOSFET N-CHВсе характеристики

Минимальная цена TK430A60F,S4X(S при покупке от 1 шт 657.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK430A60F,S4X(S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK430A60F,S4X(S

TK430A60F,S4X(S — это N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Toshiba.

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: N-канальный MOSFET.
    • Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 600В (предположительно, так как "60" в номере часто указывает на это).
    • Максимальный ток стока (Id): 43А (предположительно, так как "430" в номере часто указывает на это, деленное на 10).
    • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Низкое (типично для мощных MOSFET).
    • Корпус: S4X(S) — вероятно, это какой-то вариант TO-247 или аналогичного силового корпуса, обеспечивающий хорошее рассеивание тепла.
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение пробоя: Позволяет использовать в высоковольтных приложениях.
    • Высокий ток: Подходит для мощных нагрузок.
    • Низкое сопротивление открытого канала: Минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
    • Высокая скорость переключения: Важно для импульсных источников питания и преобразователей.
    • Надежность: Продукция Toshiba обычно отличается высоким качеством.
  • Минусы:
    • Стоимость: Мощные MOSFET могут быть дороже менее мощных аналогов.
    • Требования к охлаждению: Из-за высоких токов и напряжений может потребоваться эффективное охлаждение (радиатор).
    • Чувствительность к статическому электричеству: Как и все MOSFET, требует осторожного обращения.
  • Общее назначение:
    • MOSFETы этого типа предназначены для использования в качестве ключей в силовых цепях, где требуется управление большими токами и высокими напряжениями.
    • Применяются для эффективного переключения и регулирования мощности.
  • В каких устройствах применяется:
    • Импульсные источники питания (SMPS): В преобразователях напряжения, инверторах.
    • Источники бесперебойного питания (ИБП): В цепях преобразования постоянного напряжения в переменное.
    • Электродвигатели: В схемах управления двигателями (частотные преобразователи, контроллеры).
    • Сварочное оборудование: В инверторных сварочных аппаратах.
    • Осветительное оборудование: В мощных светодиодных драйверах, балластах.
    • Индукционные нагреватели.
    • Промышленная электроника: В различных силовых модулях и системах управления.
Выбрано: Показать

Характеристики TK430A60F,S4X(S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    430mOhm @ 6.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1.75mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1940 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack

Техническая документация

 TK430A60F,S4X(S.pdf
pdf. 0 kb
  • 325 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    657 ₽
  • 10
    424 ₽
  • 100
    312 ₽
  • 500
    264 ₽
  • 1000
    242 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    TOSHIBA
  • Артикул:
    TK430A60F,S4X(S
  • Описание:
    MOSFET N-CHВсе характеристики

Минимальная цена TK430A60F,S4X(S при покупке от 1 шт 657.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK430A60F,S4X(S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK430A60F,S4X(S

TK430A60F,S4X(S — это N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Toshiba.

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: N-канальный MOSFET.
    • Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 600В (предположительно, так как "60" в номере часто указывает на это).
    • Максимальный ток стока (Id): 43А (предположительно, так как "430" в номере часто указывает на это, деленное на 10).
    • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Низкое (типично для мощных MOSFET).
    • Корпус: S4X(S) — вероятно, это какой-то вариант TO-247 или аналогичного силового корпуса, обеспечивающий хорошее рассеивание тепла.
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение пробоя: Позволяет использовать в высоковольтных приложениях.
    • Высокий ток: Подходит для мощных нагрузок.
    • Низкое сопротивление открытого канала: Минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
    • Высокая скорость переключения: Важно для импульсных источников питания и преобразователей.
    • Надежность: Продукция Toshiba обычно отличается высоким качеством.
  • Минусы:
    • Стоимость: Мощные MOSFET могут быть дороже менее мощных аналогов.
    • Требования к охлаждению: Из-за высоких токов и напряжений может потребоваться эффективное охлаждение (радиатор).
    • Чувствительность к статическому электричеству: Как и все MOSFET, требует осторожного обращения.
  • Общее назначение:
    • MOSFETы этого типа предназначены для использования в качестве ключей в силовых цепях, где требуется управление большими токами и высокими напряжениями.
    • Применяются для эффективного переключения и регулирования мощности.
  • В каких устройствах применяется:
    • Импульсные источники питания (SMPS): В преобразователях напряжения, инверторах.
    • Источники бесперебойного питания (ИБП): В цепях преобразования постоянного напряжения в переменное.
    • Электродвигатели: В схемах управления двигателями (частотные преобразователи, контроллеры).
    • Сварочное оборудование: В инверторных сварочных аппаратах.
    • Осветительное оборудование: В мощных светодиодных драйверах, балластах.
    • Индукционные нагреватели.
    • Промышленная электроника: В различных силовых модулях и системах управления.
Выбрано: Показать

Характеристики TK430A60F,S4X(S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    430mOhm @ 6.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1.75mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1940 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack

Техническая документация

 TK430A60F,S4X(S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    YJL3401AP-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
    9.7Кешбэк 1 балл
    SIDR610DP-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
    824Кешбэк 123 балла
    AONR66922MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
    367Кешбэк 55 баллов
    BS170-D75ZMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
    49Кешбэк 7 баллов
    BSZ0589NSATMA1MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
    196Кешбэк 29 баллов
    FDBL86566-F085MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
    467Кешбэк 70 баллов
    IRFL210TRPBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
    230Кешбэк 34 балла
    DMP2110UW-7MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
    70Кешбэк 10 баллов
    SIDR392DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
    582Кешбэк 87 баллов
    SISH112DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
    376Кешбэк 56 баллов
    2SK1274-T-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    141Кешбэк 21 балл
    SQ1464EEH-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
    91Кешбэк 13 баллов
    MTSF3N03HDR2SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    59Кешбэк 8 баллов
    IAUA250N04S6N005AUMA1OPTIMOS POWER MOSFET
    580Кешбэк 87 баллов
    NTD360N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    493Кешбэк 73 балла
    SIHJ6N65E-T1-GE3MOSFET N-CH 650V 5.6A PPAK SO-8
    545Кешбэк 81 балл
    SQS486CENW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
    185Кешбэк 27 баллов
    IPD50P04P413ATMA2MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
    300Кешбэк 45 баллов
    RQ6E045TNTRMOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
    130Кешбэк 19 баллов
    ISC036N04NM5ATMA140V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
    252Кешбэк 37 баллов
    IPB60R280P7ATMA1MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
    434Кешбэк 65 баллов
    SSM6K810R,LFSMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
    133Кешбэк 19 баллов
    SUD19P06-60-BE3MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
    319Кешбэк 47 баллов
    FDMS3D5N08LCMOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN
    661Кешбэк 99 баллов
    SISS61DN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
    241Кешбэк 36 баллов
    IRFPC423.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL
    296Кешбэк 44 балла
    SSM3J371R,LXHFSMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
    87Кешбэк 13 баллов
    SQJ488EP-T1_BE3MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
    427Кешбэк 64 балла
    SQJ488EP-T1_GE3MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
    426Кешбэк 63 балла
    PJS6417_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП