Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
TK6A65D(STA4,Q,M)
  • В избранное
  • В сравнение
TK6A65D(STA4,Q,M)

TK6A65D(STA4,Q,M)

TK6A65D(STA4,Q,M)
;
TK6A65D(STA4,Q,M)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    TOSHIBA
  • Артикул:
    TK6A65D(STA4,Q,M)
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SISВсе характеристики

Минимальная цена TK6A65D(STA4,Q,M) при покупке от 1 шт 433.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK6A65D(STA4,Q,M) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK6A65D(STA4,Q,M)

Транзистор TK6A65D(STA4,Q,M) TOSHIBA:

  • MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение блокировки VGS = 650В
  • Номинальный ток нагрузки ID = 6А
  • Пакет: TO220SIS

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Низкое сопротивление ресистора ввода (RON)
  • Малый тепловыделение

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуют дополнительного управления

Общее назначение:

  • Переключение электрических цепей
  • Регулировка мощности в различных устройствах
  • Использование в системах управления двигателей

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Питание электронных устройств
  • Измерительная техника
  • Коммунальное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики TK6A65D(STA4,Q,M)

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.11Ohm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1050 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    TK6A65

Техническая документация

 TK6A65D(STA4,Q,M).pdf
pdf. 0 kb
  • 589 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    433 ₽
  • 5
    336 ₽
  • 10
    296 ₽
  • 50
    228 ₽
  • 100
    205 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    TOSHIBA
  • Артикул:
    TK6A65D(STA4,Q,M)
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SISВсе характеристики

Минимальная цена TK6A65D(STA4,Q,M) при покупке от 1 шт 433.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK6A65D(STA4,Q,M) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK6A65D(STA4,Q,M)

Транзистор TK6A65D(STA4,Q,M) TOSHIBA:

  • MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение блокировки VGS = 650В
  • Номинальный ток нагрузки ID = 6А
  • Пакет: TO220SIS

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Низкое сопротивление ресистора ввода (RON)
  • Малый тепловыделение

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуют дополнительного управления

Общее назначение:

  • Переключение электрических цепей
  • Регулировка мощности в различных устройствах
  • Использование в системах управления двигателей

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Питание электронных устройств
  • Измерительная техника
  • Коммунальное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики TK6A65D(STA4,Q,M)

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.11Ohm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1050 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    TK6A65

Техническая документация

 TK6A65D(STA4,Q,M).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTS4001NT1GТранзистор: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
    33Кешбэк 4 балла
    2N7002WT1GТранзистор: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
    33.4Кешбэк 5 баллов
    BSS138LT3GТранзистор: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
    33.6Кешбэк 5 баллов
    BSS138LT1GMOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    NTR5103NT1GMOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    NDS7002AMOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
    35Кешбэк 5 баллов
    BSS123LMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    37Кешбэк 5 баллов
    BSS123Транзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    NTR5105PT1GMOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    FDV303NMOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
    39Кешбэк 5 баллов
    5LN01M-TL-H
    40Кешбэк 6 баллов
    3LP01SS-TL-E
    41Кешбэк 6 баллов
    NTR4501NT1GMOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
    41Кешбэк 6 баллов
    NTK3139PT1GMOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
    42Кешбэк 6 баллов
    NDS0610MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
    43Кешбэк 6 баллов
    2V7002LT1GMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
    45Кешбэк 6 баллов
    NTA7002NT1GMOSFET N-CH 30V 154MA SC75
    45Кешбэк 6 баллов
    MMBF170LT1GMOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
    46Кешбэк 6 баллов
    NTR4502PT1GТранзистор: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
    46Кешбэк 6 баллов
    BSS138WMOSFET N-CH 50V 210MA SC70
    46Кешбэк 6 баллов
    NDS0605MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
    48Кешбэк 7 баллов
    NTA4153NT1GMOSFET N-CH 20V 915MA SC75
    48Кешбэк 7 баллов
    BSS123LT1GТранзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    49Кешбэк 7 баллов
    NTR4101PT1GТранзистор: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    FDV305NMOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
    56Кешбэк 8 баллов
    NTK3142PT1GMOSFET P-CH 20V 215MA SOT723
    56Кешбэк 8 баллов
    NTR1P02LT1GMOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    NTR4171PT1GMOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
    60Кешбэк 9 баллов
    NTD4963NT4GMOSFET N-CH 30V 8.1A/44A DPAK
    60Кешбэк 9 баллов
    NTS2101PT1GMOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
    61Кешбэк 9 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП