Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
TK6R7A10PL,S4X
  • В избранное
  • В сравнение
TK6R7A10PL,S4X

TK6R7A10PL,S4X

TK6R7A10PL,S4X
;
TK6R7A10PL,S4X

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TK6R7A10PL,S4X
  • Описание:
    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTORВсе характеристики

Минимальная цена TK6R7A10PL,S4X при покупке от 1 шт 455.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK6R7A10PL,S4X с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK6R7A10PL,S4X

TK6R7A10PL, S4X Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Рейтинг по току (IR): 6 R
    • Максимальный ток (ID): 10 A
    • Номинальное напряжение (VDS): 35 V
    • Тип: POWER MOSFET TRANSISTOR
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и вес
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах для управления током
    • Применяются в источниках питания
    • Интегрированы в системы управления двигателем
    • Встраиваемы в системы управления нагрузками в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Мотор-контроллеры
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Системы управления энергоэффективностью
Выбрано: Показать

Характеристики TK6R7A10PL,S4X

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    56A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.7mOhm @ 28A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 500µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    58 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3455 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    42W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    TK6R7A10

Техническая документация

 TK6R7A10PL,S4X.pdf
pdf. 0 kb
  • 99 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    455 ₽
  • 10
    223 ₽
  • 100
    196 ₽
  • 500
    160 ₽
  • 1000
    151 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TK6R7A10PL,S4X
  • Описание:
    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTORВсе характеристики

Минимальная цена TK6R7A10PL,S4X при покупке от 1 шт 455.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK6R7A10PL,S4X с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK6R7A10PL,S4X

TK6R7A10PL, S4X Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Рейтинг по току (IR): 6 R
    • Максимальный ток (ID): 10 A
    • Номинальное напряжение (VDS): 35 V
    • Тип: POWER MOSFET TRANSISTOR
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и вес
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах для управления током
    • Применяются в источниках питания
    • Интегрированы в системы управления двигателем
    • Встраиваемы в системы управления нагрузками в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Мотор-контроллеры
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Системы управления энергоэффективностью
Выбрано: Показать

Характеристики TK6R7A10PL,S4X

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    56A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.7mOhm @ 28A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 500µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    58 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3455 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    42W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    TK6R7A10

Техническая документация

 TK6R7A10PL,S4X.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TK6R7A10PL,S4XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    457Кешбэк 68 баллов
    TPHR9003NL1,LQUMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
    459Кешбэк 68 баллов
    TK4R4P06PL,RQMOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
    460Кешбэк 69 баллов
    TPH4R10ANL,L1QMOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
    462Кешбэк 69 баллов
    TPH2R408QM,L1QMOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
    470Кешбэк 70 баллов
    TK5R1A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
    472Кешбэк 70 баллов
    XPH3R206NC,L1XHQMOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
    482Кешбэк 72 балла
    TPHR7904PB,L1XHQMOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
    494Кешбэк 74 балла
    TK380P60Y,RQMOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
    503Кешбэк 75 баллов
    TK290P65Y,RQMOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
    503Кешбэк 75 баллов
    TK33S10N1L,LQMOSFET N-CH 100V 33A DPAK
    511Кешбэк 76 баллов
    TK560A65Y,S4XMOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
    523Кешбэк 78 баллов
    TK1R5R04PB,LXGQMOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
    546Кешбэк 81 балл
    TK290A65Y,S4XMOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
    548Кешбэк 82 балла
    TK3R2E06PL,S1XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    550Кешбэк 82 балла
    TK290A60Y,S4XMOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
    562Кешбэк 84 балла
    XPW4R10ANB,L1XHQMOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
    593Кешбэк 88 баллов
    TK4R1A10PL,S4XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    614Кешбэк 92 балла
    TK3R2A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
    670Кешбэк 100 баллов
    TK17A65W,S5XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    727Кешбэк 109 баллов
    TK430A60F,S4X(SMOSFET N-CH
    737Кешбэк 110 баллов
    TK160F10N1L,LQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
    742Кешбэк 111 баллов
    TK2R4A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
    744Кешбэк 111 баллов
    TPW1R005PL,L1QMOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
    769Кешбэк 115 баллов
    TK190A65Z,S4XТранзистор: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
    816Кешбэк 122 балла
    TK10A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
    847Кешбэк 127 баллов
    XK1R9F10QB,LXGQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
    890Кешбэк 133 балла
    TK190U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
    894Кешбэк 134 балла
    TK160F10N1L,LXGQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
    905Кешбэк 135 баллов
    TK12A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
    909Кешбэк 136 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Одиночные триодные тиристоры
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП