Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
TMBT3904,LM
  • В избранное
  • В сравнение
TMBT3904,LM

TMBT3904,LM

TMBT3904,LM
;
TMBT3904,LM

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    TMBT3904,LM
  • Описание:
    TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена TMBT3904,LM при покупке от 1 шт 32.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TMBT3904,LM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TMBT3904,LM

TMBT3904, LM Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжениеcollector-emitter (VCEO) - 50В
    • Рейтингный токcollector (ICM) - 0.15А
    • Тип - NPN
    • Пакет - SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер корпуса
    • Высокая надежность
    • Низкое энергопотребление
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Меньше мощности по сравнению с большими размерами
    • Существует риск перегрева при неправильном использовании
  • Общее назначение:
    • Управляющий транзистор для цифровых и аналоговых схем
    • Используется в системах управления
    • Подходит для управляющих цепей
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Мобильных устройствах
    • Электронных часах
    • Системах управления светом
    • Микросхемах для цифровых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики TMBT3904,LM

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 1V
  • Рассеивание мощности
    320 mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    TMBT3904

Техническая документация

 TMBT3904,LM.pdf
pdf. 0 kb
  • 9268 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    32 ₽
  • 100
    12 ₽
  • 1000
    7.6 ₽
  • 6000
    5.4 ₽
  • 15000
    4.65 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    TMBT3904,LM
  • Описание:
    TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена TMBT3904,LM при покупке от 1 шт 32.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TMBT3904,LM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TMBT3904,LM

TMBT3904, LM Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжениеcollector-emitter (VCEO) - 50В
    • Рейтингный токcollector (ICM) - 0.15А
    • Тип - NPN
    • Пакет - SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер корпуса
    • Высокая надежность
    • Низкое энергопотребление
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Меньше мощности по сравнению с большими размерами
    • Существует риск перегрева при неправильном использовании
  • Общее назначение:
    • Управляющий транзистор для цифровых и аналоговых схем
    • Используется в системах управления
    • Подходит для управляющих цепей
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Мобильных устройствах
    • Электронных часах
    • Системах управления светом
    • Микросхемах для цифровых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики TMBT3904,LM

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 1V
  • Рассеивание мощности
    320 mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    TMBT3904

Техническая документация

 TMBT3904,LM.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MJD243T4GTRANS NPN 100V 4A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    MJD41CRLGTRANS NPN 100V 6A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    MJE180STUTRANS NPN 40V 3A TO126-3
    228Кешбэк 34 балла
    MMJT350T1GTRANS PNP 300V 0.5A SOT223
    230Кешбэк 34 балла
    KSE13003H1ASTUTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
    232Кешбэк 34 балла
    MJD148T4GTRANS NPN 45V 4A DPAK
    232Кешбэк 34 балла
    BD13516SТранзистор: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
    232Кешбэк 34 балла
    MJD44H11-1GTRANS NPN 80V 8A IPAK
    236Кешбэк 35 баллов
    NJVMJD44H11RLGТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    237Кешбэк 35 баллов
    FSB619TRANS NPN 50V 2A SOT23-3
    238Кешбэк 35 баллов
    BD787GTRANS NPN 60V 4A TO126
    238Кешбэк 35 баллов
    BD135GTRANS NPN 45V 1.5A TO126
    238Кешбэк 35 баллов
    2SC3649S-TD-ETRANS NPN 160V 1.5A PCP
    238Кешбэк 35 баллов
    2SA2126-TL-ETRANS PNP 50V 3A TP-FA
    238Кешбэк 35 баллов
    KSD882YSTUТранзистор: TRANS NPN 30V 3A TO126-3
    239Кешбэк 35 баллов
    MJD41CT4GТранзистор: TRANS NPN 100V 6A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD128T4GTRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD42CT4GТранзистор: TRANS PNP 100V 6A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    MJD44H11RLGТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    BD135TGTRANS NPN 45V 1.5A TO126
    240Кешбэк 36 баллов
    MJE182GТранзистор: TRANS NPN 80V 3A TO126
    241Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD243T4GTRANS NPN 100V 4A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD112T4GTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    NSV1C301ET4GTRANS NPN 100V 3A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    BD17510STUTRANS NPN 45V 3A TO126-3
    244Кешбэк 36 баллов
    TIP110GTRANS NPN DARL 60V 2A TO220
    244Кешбэк 36 баллов
    FJE3303H1TUTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
    244Кешбэк 36 баллов
    TIP50GTRANS NPN 400V 1A TO220
    246Кешбэк 36 баллов
    MJD117T4GTRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
    248Кешбэк 37 баллов
    2N6488GTRANS NPN 80V 15A TO220
    248Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП