TPAR3D S1G

TPAR3D S1G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение срабатывания: 200В
• Номинальный ток: 3А
• Форма корпуса: TO277A
• Тип диода: Аваланх-диод
• Плюсы:
• Высокое сопротивление импульсным переносам
• Устойчивость к обратному напряжению
• Высокая скорость восстановления после срабатывания
• Малый размер корпуса
• Минусы:
• Высокий уровень тепловыделения при длительной работе
• Необходимо соблюдение правил охлаждения
• Общее назначение:
• Защита электронных схем от импульсных переносов и скачков напряжения
• Сглаживание импульсных переносов
• Импульсные нагрузки
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника
• Промышленное оборудование
• Электронные системы управления
• Беспроводные устройства
• Системы питания