Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
TPS1100DR

TPS1100DR

TPS1100DR
;
TPS1100DR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена TPS1100DR при покупке от 1 шт 410.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPS1100DR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TPS1100DR

TPS1100DR Texas Instruments MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 4.5 В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 1.6 А
    • Рабочее напряжение (VDS(max)): 15 В
    • Количество выводов: 8 SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Компактный размер (8 SOIC)
  • Минусы:
    • Только для работы с положительным полупроводником (P-канальный)
    • Необходимо соблюдать поляризацию при подключении
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Активное управление нагрузками
    • Применение в системах управления двигателей
    • Изоляция логических сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания и управления
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики TPS1100DR

  • 4755 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    410 ₽
  • 10
    319 ₽
  • 100
    228 ₽
  • 500
    192 ₽
  • 1000
    165 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена TPS1100DR при покупке от 1 шт 410.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPS1100DR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TPS1100DR

TPS1100DR Texas Instruments MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 4.5 В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 1.6 А
    • Рабочее напряжение (VDS(max)): 15 В
    • Количество выводов: 8 SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Компактный размер (8 SOIC)
  • Минусы:
    • Только для работы с положительным полупроводником (P-канальный)
    • Необходимо соблюдать поляризацию при подключении
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Активное управление нагрузками
    • Применение в системах управления двигателей
    • Изоляция логических сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания и управления
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики TPS1100DR

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории