Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
TQM110NB04CR RLG
  • В избранное
  • В сравнение
TQM110NB04CR RLG

TQM110NB04CR RLG

TQM110NB04CR RLG
;
TQM110NB04CR RLG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    TAIWAN SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    TQM110NB04CR RLG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNUВсе характеристики

Минимальная цена TQM110NB04CR RLG при покупке от 1 шт 204.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TQM110NB04CR RLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TQM110NB04CR RLG

TQM110NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) ненаправленного действия с характеристиками:

  • Номинальное напряжение: 40В
  • Номинальный ток: 12А (в режиме непрерывной работы), 54А (в импульсном режиме)
  • Количество каналов: 8
  • Тип транзистора: N-канальный
  • Обозначение типа: PDFNU (Power Device Field Effect N-channel Unipolar)

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком сопротивлении
  • Низкое энергетическое затратное сопротивление
  • Малый размер и легкость в размещении
  • Устойчивость к электрическому шуму

Минусы:

  • Возможность перегрева при несоответствии нагрузке
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты

Общее назначение:

  • Использование в мощных электронных устройствах
  • Регулирование напряжения
  • Переключение высоких токов
  • Защита электронных схем от перегрузок и скачков напряжения

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Питание электронных устройств
  • Энергосберегающие системы
  • Системы управления двигателем
  • Мощные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики TQM110NB04CR RLG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Ta), 54A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1352 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount, Wettable Flank
  • Исполнение корпуса
    8-PDFNU (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    TQM110

Техническая документация

 TQM110NB04CR RLG.pdf
pdf. 0 kb
  • 1172 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    204 ₽
  • 10
    166 ₽
  • 100
    151 ₽
  • 500
    136 ₽
  • 1000
    121 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    TAIWAN SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    TQM110NB04CR RLG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNUВсе характеристики

Минимальная цена TQM110NB04CR RLG при покупке от 1 шт 204.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TQM110NB04CR RLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TQM110NB04CR RLG

TQM110NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) ненаправленного действия с характеристиками:

  • Номинальное напряжение: 40В
  • Номинальный ток: 12А (в режиме непрерывной работы), 54А (в импульсном режиме)
  • Количество каналов: 8
  • Тип транзистора: N-канальный
  • Обозначение типа: PDFNU (Power Device Field Effect N-channel Unipolar)

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком сопротивлении
  • Низкое энергетическое затратное сопротивление
  • Малый размер и легкость в размещении
  • Устойчивость к электрическому шуму

Минусы:

  • Возможность перегрева при несоответствии нагрузке
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты

Общее назначение:

  • Использование в мощных электронных устройствах
  • Регулирование напряжения
  • Переключение высоких токов
  • Защита электронных схем от перегрузок и скачков напряжения

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Питание электронных устройств
  • Энергосберегающие системы
  • Системы управления двигателем
  • Мощные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики TQM110NB04CR RLG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Ta), 54A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1352 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount, Wettable Flank
  • Исполнение корпуса
    8-PDFNU (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    TQM110

Техническая документация

 TQM110NB04CR RLG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TSM340N06CP ROGMOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252
    160Кешбэк 24 балла
    TSM060N03PQ33 RGGТранзистор: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
    163Кешбэк 24 балла
    TSM060N03CP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
    168Кешбэк 25 баллов
    TSM2314CX RFGMOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
    170Кешбэк 25 баллов
    TSM038N03PQ33 RGGMOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
    173Кешбэк 25 баллов
    TSM085N03PQ33 RGGMOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
    180Кешбэк 27 баллов
    TSM090N03CP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
    184Кешбэк 27 баллов
    TSM2318CX RFGMOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
    191Кешбэк 28 баллов
    TQM300NB06CR RLGMOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
    193Кешбэк 28 баллов
    TSM1NB60CP ROGMOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
    198Кешбэк 29 баллов
    TSM2307CX RFGMOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
    199Кешбэк 29 баллов
    TQM110NB04CR RLGMOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
    204Кешбэк 30 баллов
    TSM080N03EPQ56 RLGMOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
    207Кешбэк 31 балл
    TSM160P02CS RLGMOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP
    207Кешбэк 31 балл
    TQM070NB04CR RLGMOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU
    217Кешбэк 32 балла
    TSM2323CX RFGMOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
    217Кешбэк 32 балла
    TSM055N03EPQ56 RLGТранзистор: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
    222Кешбэк 33 балла
    TSM080NB03CR RLGMOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
    222Кешбэк 33 балла
    TSM055N03PQ56 RLGMOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
    230Кешбэк 34 балла
    TSM4NB65CP ROGMOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252
    232Кешбэк 34 балла
    TSM085P03CV RGGMOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
    234Кешбэк 35 баллов
    TSM1NB60CW RPGMOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
    236Кешбэк 35 баллов
    TSM060N03ECP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
    239Кешбэк 35 баллов
    TQM130NB06CR RLGMOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
    242Кешбэк 36 баллов
    TSM042N03CS RLGMOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
    245Кешбэк 36 баллов
    TSM150P04LCS RLGMOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP
    247Кешбэк 37 баллов
    TSM052NB03CR RLGMOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN
    258Кешбэк 38 баллов
    TSM500N15CS RLG150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
    281Кешбэк 42 балла
    TSM085P03CS RLGMOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP
    285Кешбэк 42 балла
    TSM4NB60CP ROGMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
    300Кешбэк 45 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули триодных тиристоров
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП