Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
TRS12N65FB,S1Q
  • В избранное
  • В сравнение
TRS12N65FB,S1Q

TRS12N65FB,S1Q

TRS12N65FB,S1Q
;
TRS12N65FB,S1Q

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TRS12N65FB,S1Q
  • Описание:
    SIC SBD TO-247 V=650 IF=12AВсе характеристики

Минимальная цена TRS12N65FB,S1Q при покупке от 1 шт 1275.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TRS12N65FB,S1Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TRS12N65FB,S1Q

Что это: TRS12N65FB, S1Q Toshiba SIC SBD TO-247 — это полупроводниковый диод, используемый в электронных устройствах.

  • Номинальное напряжение: 650 В
  • Номинальный ток: 12 А
  • Форма пакета: TO-247

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию SiC (силикон carbид) технологий.
  • Высокое сопротивление короткому замыканию.
  • Устойчивость к перенапряжениям и перегреву.
  • Малый размер и легкий вес по сравнению с аналогичными устройствами.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами.
  • Требует специального оборудования для монтажа.

Общее назначение: Используется для защиты электронных схем от перенапряжений, преобразования напряжения и регулирования тока.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Системы управления двигателем.
  • Промышленное оборудование.
  • Солнечные энергетические системы.
  • Беспроводные устройства.
Выбрано: Показать

Характеристики TRS12N65FB,S1Q

  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    6A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 6 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    30 µA @ 650 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Base Product Number
    TRS12N65

Техническая документация

 TRS12N65FB,S1Q.pdf
pdf. 0 kb
  • 11 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 275 ₽
  • 10
    731 ₽
  • 120
    610 ₽
  • 510
    536 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TRS12N65FB,S1Q
  • Описание:
    SIC SBD TO-247 V=650 IF=12AВсе характеристики

Минимальная цена TRS12N65FB,S1Q при покупке от 1 шт 1275.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TRS12N65FB,S1Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TRS12N65FB,S1Q

Что это: TRS12N65FB, S1Q Toshiba SIC SBD TO-247 — это полупроводниковый диод, используемый в электронных устройствах.

  • Номинальное напряжение: 650 В
  • Номинальный ток: 12 А
  • Форма пакета: TO-247

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию SiC (силикон carbид) технологий.
  • Высокое сопротивление короткому замыканию.
  • Устойчивость к перенапряжениям и перегреву.
  • Малый размер и легкий вес по сравнению с аналогичными устройствами.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами.
  • Требует специального оборудования для монтажа.

Общее назначение: Используется для защиты электронных схем от перенапряжений, преобразования напряжения и регулирования тока.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Системы управления двигателем.
  • Промышленное оборудование.
  • Солнечные энергетические системы.
  • Беспроводные устройства.
Выбрано: Показать

Характеристики TRS12N65FB,S1Q

  • Конфигурация диода
    1 Pair Common Cathode
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    6A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 6 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    30 µA @ 650 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Base Product Number
    TRS12N65

Техническая документация

 TRS12N65FB,S1Q.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BAV99-HFДиод: DIODE SWITCHING DUAL SERIAL 70V
    44Кешбэк 6 баллов
    BAV70-HFDIODE SWITCHING COMMON CATHODE 7
    44Кешбэк 6 баллов
    BAT54A-HFDIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOT-23
    53Кешбэк 7 баллов
    ABAV99-HFAUTOMOTIVE DIODE SWITCHING DUAL
    72Кешбэк 10 баллов
    BAV99W,LFДиод: X34 PB-F SWITCHING DIODE USM
    23Кешбэк 3 балла
    1SS361FV,L3FDIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
    26.6Кешбэк 3 балла
    BAV70,LMX34 PB-F SWITCHING DIODE SOT23
    28.5Кешбэк 4 балла
    1SS396,LFDIODE SCHOTKY 40V 70MA SMINI
    28.5Кешбэк 4 балла
    BAV99,LMX34 PB-F SWITCHING DIODE SOT23
    34Кешбэк 5 баллов
    TBAT54S,LMDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23
    34Кешбэк 5 баллов
    1SS422(TE85L,F)SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
    53Кешбэк 7 баллов
    HN4D01JU(TE85L,F)COMMON ANODE SWITCHING DIODE 80V
    55Кешбэк 8 баллов
    HN2D02FU,LFINDEPENDENT SWITCHING DIODE 80V
    70Кешбэк 10 баллов
    TRS12N65FB,S1QSIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
    1 275Кешбэк 191 балл
    TRS16N65FB,S1QSIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
    1 518Кешбэк 227 баллов
    TRS24N65FB,S1QSIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
    1 919Кешбэк 287 баллов
    BAW156Q-13-FДиод: SWITCHING DIODE BVR <= 100V SOT2
    8.2Кешбэк 1 балл
    BAV99Q-13-FДиод: SWITCHING DIODE SOT23 T&R 10K
    16.4Кешбэк 2 балла
    BAT54CQ-7-FДиод: SCHOTTKY DIODE SOT23
    16.5Кешбэк 2 балла
    BAV23CQ-7-FДиод: HIVOLT SWITCHING DIODE BVR > 100
    19Кешбэк 2 балла
    BAT54AQ-7-FДиод: SCHOTTKY DIODE SOT23 T&R 3K
    24.7Кешбэк 3 балла
    BAS40-05Q-7-FДиод: SCHOTTKY DIODE SOT23 T&R 3K
    26.6Кешбэк 3 балла
    BAV99Q-7-FSWITCHING DIODE SOT23
    26.6Кешбэк 3 балла
    BAS40-06Q-7-FДиод: SCHOTTKY DIODE SOT23 T&R 3K
    28.5Кешбэк 4 балла
    BAV99HDW-13DIODE FS 100V 200MA SOT363
    30.4Кешбэк 4 балла
    BAV99TQ-13-FDIODE ARRAY GP 85V 75MA SOT523
    32Кешбэк 4 балла
    BAW56HDW-13DIODE FS 100V 250MA SOT363
    32Кешбэк 4 балла
    BAV23CQ-13-FHIVOLT SWITCHING DIODE BVR > 100
    32Кешбэк 4 балла
    BAV170Q-13-FДиод: SWITCHING DIODE BVR <= 100V SOT2
    34Кешбэк 5 баллов
    BAV70HDW-7DIODE ARRAY GP 100V 125MA SOT363
    34Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП