TRS16N65FB,S1Q

Технические характеристики:

• Маркировка: TRS16N65FB, S1Q Toshiba SIC SBD TO-247
• Номинальное напряжение: 650 В
• Предел тока: 12 А
• Форм-фактор: TO-247

Основные параметры:

• Тип: Синхронный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Материал: SiC (Silicon Carbide)

Плюсы:

• Высокая эффективность при работе в режиме частотной инверсии
• Низкое сопротивление при высокой температуре
• Малые потери при работе
• Высокая надежность и долговечность

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными IGBT
• Требуют специального оборудования для монтажа и обслуживания

Общее назначение:

• Используется в промышленных преобразователях частоты
• Применяется в системах управления двигателем
• Входит в состав силовых блоков для солнечных батарей и энергетических систем
• Используется в трансформаторах и других устройствах, требующих высокой эффективности и надежности