Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

TSM1NB60CP ROG

В избранное
В сравнение

TSM1NB60CP ROG

TSM1NB60CP ROG

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Артикул:
TSM1NB60CP ROG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252Все характеристики

Минимальная цена TSM1NB60CP ROG при покупке от 1 шт 166.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM1NB60CP ROG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TSM1NB60CP ROG

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
138 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
39W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252, (D-Pak)
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
TSM1NB60

Техническая документация

TSM1NB60CP ROG.pdf

pdf. 0 kb

3446 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
166 ₽
100
82 ₽
1000
58 ₽
5000
46 ₽
12500
43 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Артикул:
TSM1NB60CP ROG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252Все характеристики

Минимальная цена TSM1NB60CP ROG при покупке от 1 шт 166.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM1NB60CP ROG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TSM1NB60CP ROG

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
138 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
39W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252, (D-Pak)
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
TSM1NB60

Техническая документация

TSM1NB60CP ROG.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

UPA2732T1A-E1-AY P-CHANNEL POWER MOSFET

359Кешбэк 53 балла

TPH4R803PL,LQ MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP

139Кешбэк 20 баллов

RFL1N15 N-CHANNEL POWER MOSFET

290Кешбэк 43 балла

DMP3007SCGQ-7 MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN

313Кешбэк 46 баллов

NVMFWS0D5N04XMT1G 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

723Кешбэк 108 баллов

PSMN4R3-40MSHX MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33

235Кешбэк 35 баллов

2SK1399-T2B-A SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

41Кешбэк 6 баллов

EPC2067 TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA

1 056Кешбэк 158 баллов

SIHF9Z24STRR-GE3 MOSFET P-CHANNEL 60V

298Кешбэк 44 балла

BUZ103SL N-CHANNEL POWER MOSFET

347Кешбэк 52 балла

TSM950N10CW RPG MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223

185Кешбэк 27 баллов

EPC2066 TRANSISTOR GAN 40V .001OHM

1 380Кешбэк 207 баллов

SIJ188DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK

218Кешбэк 32 балла

IRFW840BTM N-CHANNEL POWER MOSFET

107Кешбэк 16 баллов

IXTH1N250 MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD

7 625Кешбэк 1 143 балла

SI2302DDS-T1-BE3 N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

94Кешбэк 14 баллов

TPIC5621LDW N-CHANNEL POWER MOSFET

425Кешбэк 63 балла

SCT3060ARC14 SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L

3 808Кешбэк 571 балл

TK1R4S04PB,LXHQ MOSFET N-CH 40V 120A DPAK

462Кешбэк 69 баллов

2SK160A(1)-T1B-A SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

168Кешбэк 25 баллов

NTHL082N65S3F MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3

1 896Кешбэк 284 балла

FDB9406-F085 MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK

788Кешбэк 118 баллов

2SK2111-D-T1-AZ SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

126Кешбэк 18 баллов

PJA3438-AU_R1_000A1 SOT-23, MOSFET

70Кешбэк 10 баллов

STL45N60DM6 MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV

1 343Кешбэк 201 балл

DMPH6050SFGQ-13 MOSFET P-CH 60V PWRDI3333

198Кешбэк 29 баллов

IPW60R280C6FKSA1 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3

311Кешбэк 46 баллов

DMN6075SQ-7 Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

104Кешбэк 15 баллов

CSD18510KTTT MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK

555Кешбэк 83 балла

UJ4C075023K3S 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

2 160Кешбэк 324 балла

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Драйверы питания - Модули

Диоды выпрямительные - Одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Диоды выпрямительные - Модули

Диоды - мостовые выпрямители

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Полевые транзисторы - Модули

Биполярные транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Высокочастотные диоды

Принадлежности

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Симисторы - Модули

Диоды - ВЧ

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Триодные тиристоры - Модули

Диоды - выпрямители - одиночные

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Диодные мосты - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Симисторы

Полевые транзисторы - Одиночные

Транзисторы - IGBT - одиночные

Транзисторы - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Тиристоры - TRIACs

Транзисторы - IGBT - модули

IGBT транзисторы

Диодные мосты

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Высокочастотные полевые транзисторы

Триодные тиристоры - Одиночные

Диоды выпрямительные - Сборки

Транзисторы - Специального назначения

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды силовые

Тиристоры - SCR

Высокочастотные биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Программируемые однопереходные транзисторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды - выпрямители - массивы

Полевые транзисторы - Сборки

Модули драйверов питания

Варикапы и Варакторы

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - JFET

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Тиристоры - SCR - модули

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали