Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

TSM1NB60CP ROG

TSM1NB60CP ROG

TSM1NB60CP ROG

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Артикул:
TSM1NB60CP ROG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252Все характеристики

Минимальная цена TSM1NB60CP ROG при покупке от 1 шт 166.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM1NB60CP ROG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TSM1NB60CP ROG

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
138 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
39W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252, (D-Pak)
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
TSM1NB60

Техническая документация

TSM1NB60CP ROG.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

3446 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
166 ₽
100
82 ₽
1000
58 ₽
5000
46 ₽
12500
43 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Артикул:
TSM1NB60CP ROG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252Все характеристики

Минимальная цена TSM1NB60CP ROG при покупке от 1 шт 166.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM1NB60CP ROG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TSM1NB60CP ROG

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
138 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
39W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252, (D-Pak)
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
TSM1NB60

Техническая документация

TSM1NB60CP ROG.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

PSMN4R3-40MSHX MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33

235Кешбэк 35 баллов

HAT1041T-EL-E P-CHANNEL POWER MOSFET

321Кешбэк 48 баллов

IPD65R660CFDATMA2 MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313

366Кешбэк 54 балла

BSC039N06NSATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON

327Кешбэк 49 баллов

IPW65R041CFDFKSA2 MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3

2 193Кешбэк 328 баллов

PMPB100ENEX MOSFET DFN2020MD-6

115Кешбэк 17 баллов

SQJA02EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

224Кешбэк 33 балла

SQS484EN-T1_BE3 MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8

262Кешбэк 39 баллов

SQ3418AEEV-T1_BE3 MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

116Кешбэк 17 баллов

RD3H160SPTL1 MOSFET P-CH 45V 16A TO252

338Кешбэк 50 баллов

IPZA60R024P7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3

2 188Кешбэк 328 баллов

G3R60MT07D 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET

1 873Кешбэк 280 баллов

IPA126N10NM3SXKSA1 MOSFET N-CH 100V 39A TO220

471Кешбэк 70 баллов

IAUC80N04S6N036ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1

238Кешбэк 35 баллов

SQJ459EP-T2_GE3 P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

336Кешбэк 50 баллов

FCU600N65S3R0 MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

456Кешбэк 68 баллов

TP65H150G4PS Транзистор: GAN FET N-CH 650V TO-220

1 181Кешбэк 177 баллов

NTMTS1D6N10MCTXG SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10

1 838Кешбэк 275 баллов

SI2319DDS-T1-GE3 Транзистор: MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23

76Кешбэк 11 баллов

SCT3022KLHRC11 SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

21 057Кешбэк 3 158 баллов

RFD14N06 N-CHANNEL POWER MOSFET

168Кешбэк 25 баллов

2SK3993-ZK-E1-AZ MOSFET N-CH 25V 64A TO252

288Кешбэк 43 балла

DI040P04PT MOSFET, -40V, -40A, P, 22.7W

255Кешбэк 38 баллов

IRF150P221AKMA1 MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3

793Кешбэк 118 баллов

DMP2006UFGQ-13 MOSFET P-CH 20V PWRDI3333

268Кешбэк 40 баллов

IPD50R380CEAUMA1 MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3

261Кешбэк 39 баллов

AOTF4N60L MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F

273Кешбэк 40 баллов

DMN2058UW-13 MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T&R

63Кешбэк 9 баллов

TP65H070LDG-TR 650 V 25 A GAN FET

2 670Кешбэк 400 баллов

2SK3230B-T1-A N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

59Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Симисторы - Модули

Триодные тиристоры - Одиночные

Высокочастотные полевые транзисторы

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды выпрямительные - Одиночные

Транзисторы - IGBT - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Симисторы

Диоды - мостовые выпрямители

Полевые транзисторы - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Полевые транзисторы - Сборки

Диоды выпрямительные - Сборки

Варикапы и Варакторы

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Биполярные транзисторы

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Тиристоры - SCR - модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Транзисторы - Модули

Диоды - ВЧ

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Диодные мосты

Тиристоры - SCR

Диоды выпрямительные - Модули

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Диодные мосты - Модули

Транзисторы - JFET

Программируемые однопереходные транзисторы

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Транзисторы - IGBT - модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Биполярные транзисторы - Сборки

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Транзисторы - Специального назначения

Диоды - выпрямители - массивы

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Триодные тиристоры - Модули

Высокочастотные диоды

IGBT транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Принадлежности

Диоды силовые

Биполярные транзисторы - Одиночные

Драйверы питания - Модули

Диоды - выпрямители - одиночные

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Модули драйверов питания

Высокочастотные биполярные транзисторы

Тиристоры - TRIACs

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Полевые транзисторы - Модули

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали