Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
TSM200N03DPQ33 RGG

TSM200N03DPQ33 RGG

TSM200N03DPQ33 RGG
;
TSM200N03DPQ33 RGG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    TSM200N03DPQ33 RGG
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFNВсе характеристики

Минимальная цена TSM200N03DPQ33 RGG при покупке от 1 шт 172.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM200N03DPQ33 RGG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TSM200N03DPQ33 RGG

TSM200N03DPQ33 RGG — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) с ненаправленным каналом N-типа, производимый компанией Taiwan Semiconductor. MOSFET TSM200N03DPQ33 RGG имеет следующие характеристики:

  • Напряжение включения (VGS(th)): 3 V
  • Размеры пакета: 8PDFN (8-пиновый пакет размером 1.65 мм × 1.27 мм)
  • Номинальное напряжение между полюсами (VDS(on)): 30 В
  • Номинальный ток при напряжении включения (ID(on)): 20 А

Плюсы:

  • Высокая conductive ток (ID(on))
  • Компактный размер пакета для упаковки
  • Высокое отношение рабочего напряжения к току (VDS(on)/ID(on))
  • Низкий уровень затрат энергии при работе

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Могут возникать проблемы с шумом и электромагнитной совместимостью

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах
  • Переключение высоких токов в источниках питания
  • Изоляция сигналов между различными цепями

Применение:

  • Источники питания
  • Устройства для управления электрическими машинами
  • Автомобильные системы
  • Инверторы и преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики TSM200N03DPQ33 RGG

Техническая документация

TSM200N03DPQ33 RGG.pdf
pdf. 0 kb
  • 5814 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    172 ₽
  • 100
    69 ₽
  • 1000
    44 ₽
  • 10000
    34.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    TSM200N03DPQ33 RGG
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFNВсе характеристики

Минимальная цена TSM200N03DPQ33 RGG при покупке от 1 шт 172.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM200N03DPQ33 RGG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TSM200N03DPQ33 RGG

TSM200N03DPQ33 RGG — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) с ненаправленным каналом N-типа, производимый компанией Taiwan Semiconductor. MOSFET TSM200N03DPQ33 RGG имеет следующие характеристики:

  • Напряжение включения (VGS(th)): 3 V
  • Размеры пакета: 8PDFN (8-пиновый пакет размером 1.65 мм × 1.27 мм)
  • Номинальное напряжение между полюсами (VDS(on)): 30 В
  • Номинальный ток при напряжении включения (ID(on)): 20 А

Плюсы:

  • Высокая conductive ток (ID(on))
  • Компактный размер пакета для упаковки
  • Высокое отношение рабочего напряжения к току (VDS(on)/ID(on))
  • Низкий уровень затрат энергии при работе

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Могут возникать проблемы с шумом и электромагнитной совместимостью

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах
  • Переключение высоких токов в источниках питания
  • Изоляция сигналов между различными цепями

Применение:

  • Источники питания
  • Устройства для управления электрическими машинами
  • Автомобильные системы
  • Инверторы и преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики TSM200N03DPQ33 RGG

Техническая документация

TSM200N03DPQ33 RGG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории