Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
TZQ5222B-GS18
  • В избранное
  • В сравнение
TZQ5222B-GS18

TZQ5222B-GS18

TZQ5222B-GS18
;
TZQ5222B-GS18

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    TZQ5222B-GS18
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 2.5V 500MW SOD80Все характеристики

Минимальная цена TZQ5222B-GS18 при покупке от 1 шт 49.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TZQ5222B-GS18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TZQ5222B-GS18

TZQ5222B-GS18 Vishay General Semiconductor - Диод Зендер:

  • Номинальное напряжение отсечки: 2.5В
  • Максимальная мощность: 500мВт
  • Оболочка: SOD80

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение отсечки (VZ): 2.5В
  • Максимальная мощность (PZM): 500мВт
  • Максимальный ток (IZM): 400мА
  • Частота применения (f): до 1МГц

Плюсы:

  • Высокая точность напряжения отсечки
  • Устойчивость к воздействию температуры
  • Компактность благодаря оболочке SOD80

Минусы:

  • Ограниченная мощность и ток
  • Необходимость использования в схемах с умеренной нагрузкой

Общее назначение:

  • Отсечение повышенного напряжения
  • Задание стабильного напряжения в схемах
  • Защита от скачков напряжения

Применение в устройствах:

  • Мобильные устройства
  • Компьютеры и периферия
  • Телевизоры и мультимедийные системы
  • Автомобили и электроника для транспорта
  • Электронные часы и другие небольшие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики TZQ5222B-GS18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    2.5 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    30 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-80 Variant
  • Исполнение корпуса
    SOD-80 QuadroMELF
  • Base Product Number
    TZQ5222

Техническая документация

 TZQ5222B-GS18.pdf
pdf. 0 kb
  • 7280 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    49 ₽
  • 100
    21.2 ₽
  • 1000
    9.1 ₽
  • 5000
    8.5 ₽
  • 20000
    5.9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    TZQ5222B-GS18
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 2.5V 500MW SOD80Все характеристики

Минимальная цена TZQ5222B-GS18 при покупке от 1 шт 49.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TZQ5222B-GS18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TZQ5222B-GS18

TZQ5222B-GS18 Vishay General Semiconductor - Диод Зендер:

  • Номинальное напряжение отсечки: 2.5В
  • Максимальная мощность: 500мВт
  • Оболочка: SOD80

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение отсечки (VZ): 2.5В
  • Максимальная мощность (PZM): 500мВт
  • Максимальный ток (IZM): 400мА
  • Частота применения (f): до 1МГц

Плюсы:

  • Высокая точность напряжения отсечки
  • Устойчивость к воздействию температуры
  • Компактность благодаря оболочке SOD80

Минусы:

  • Ограниченная мощность и ток
  • Необходимость использования в схемах с умеренной нагрузкой

Общее назначение:

  • Отсечение повышенного напряжения
  • Задание стабильного напряжения в схемах
  • Защита от скачков напряжения

Применение в устройствах:

  • Мобильные устройства
  • Компьютеры и периферия
  • Телевизоры и мультимедийные системы
  • Автомобили и электроника для транспорта
  • Электронные часы и другие небольшие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики TZQ5222B-GS18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    2.5 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    30 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-80 Variant
  • Исполнение корпуса
    SOD-80 QuadroMELF
  • Base Product Number
    TZQ5222

Техническая документация

 TZQ5222B-GS18.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMSZ4705-E3-08Диод: DIODE ZENER 18V 500MW SOD123
    47.5Кешбэк 7 баллов
    TZMB7V5-GS18DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD80
    47.5Кешбэк 7 баллов
    SML4750A-E3/61Диод: DIODE ZENER 27V 1W DO214AC
    47.5Кешбэк 7 баллов
    BZX84B22-G3-08DIODE ZENER 22V 300MW SOT23-3
    49Кешбэк 7 баллов
    BZM55B5V6-TR3DIODE ZENER 5.6V 500MW MICROMELF
    49Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5256C-E3-18DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
    49Кешбэк 7 баллов
    TZQ5222B-GS18Диод: DIODE ZENER 2.5V 500MW SOD80
    49Кешбэк 7 баллов
    BZM55B30-TRDIODE ZENER 30V 500MW MICROMELF
    49Кешбэк 7 баллов
    BZM55B3V0-TRДиод: DIODE ZENER 3V 500MW MICROMELF
    49Кешбэк 7 баллов
    BZT55B3V9-GS08DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80
    49Кешбэк 7 баллов
    BZT52B36-E3-18DIODE ZENER 36V 410MW SOD123
    49Кешбэк 7 баллов
    ZM4751A-GS18Диод: DIODE ZENER 30V 1W DO213AB
    49Кешбэк 7 баллов
    SMAZ5926B-E3/61DIODE ZENER 11V 500MW DO214AC
    49Кешбэк 7 баллов
    BZD27C100P-E3-08Диод: DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB
    51Кешбэк 7 баллов
    ZM4742A-GS18Диод: DIODE ZENER 12V 1W DO213AB
    51Кешбэк 7 баллов
    BZG03C75-HM3-08DIODE ZENER 75V 1.25W DO214AC
    51Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5232C-HE3-08Диод: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123
    51Кешбэк 7 баллов
    BZD27C68P-E3-18DIODE ZENER 68V 800MW DO219AB
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C51P-E3-08Диод: DIODE ZENER 51V 800MW DO219AB
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C13P-E3-08Диод: DIODE ZENER 13V 800MW DO219AB
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C110P-E3-08Диод: DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB
    53Кешбэк 7 баллов
    SML4739A-E3/61Диод: DIODE ZENER 9.1V 1W DO214AC
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C120P-E3-08Диод: DIODE ZENER 120V 800MW DO219AB
    55Кешбэк 8 баллов
    BZX85C3V6-TRDIODE ZENER 3.6V 1.3W DO41
    55Кешбэк 8 баллов
    BZX85C7V5-TRДиод: DIODE ZENER 7.5V 1.3W DO41
    55Кешбэк 8 баллов
    BZD27C160P-E3-08Диод: DIODE ZENER 160V 800MW DO219AB
    55Кешбэк 8 баллов
    BZX85C8V2-TRДиод: DIODE ZENER 8.2V 1.3W DO41
    55Кешбэк 8 баллов
    BZT52C6V8-G3-08DIODE ZENER 6.8V 410MW SOD123
    55Кешбэк 8 баллов
    MMSZ5238C-E3-08DIODE ZENER 8.7V 500MW SOD123
    55Кешбэк 8 баллов
    BZG05C12-M3-08Диод: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
    55Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Транзисторные модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП