Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
TZX13B-TAP
  • В избранное
  • В сравнение
TZX13B-TAP

TZX13B-TAP

TZX13B-TAP
;
TZX13B-TAP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    TZX13B-TAP
  • Описание:
    DIODE ZENER 13V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена TZX13B-TAP при покупке от 1 шт 46.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TZX13B-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TZX13B-TAP

TZX13B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 13V 500MW DO35

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенора: 13В
    • Максимальная мощность: 500 мВт
    • Пакет: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Устойчивость к скачкам напряжения
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Меньше подходят для высокочастотных приложений из-за своей медленной скорости срабатывания
    • Требуют дополнительного охлаждения при работе при больших мощностях
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных цепях
    • Защита от обратного напряжения
    • Фильтрация шумов
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы питания
    • Мобильные устройства
    • Игровые консоли
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики TZX13B-TAP

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    13 V
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    35 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 10 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    TZX13

Техническая документация

 TZX13B-TAP.pdf
pdf. 0 kb
  • 29036 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    46 ₽
  • 100
    19 ₽
  • 1000
    7 ₽
  • 10000
    5.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    TZX13B-TAP
  • Описание:
    DIODE ZENER 13V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена TZX13B-TAP при покупке от 1 шт 46.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TZX13B-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TZX13B-TAP

TZX13B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 13V 500MW DO35

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенора: 13В
    • Максимальная мощность: 500 мВт
    • Пакет: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Устойчивость к скачкам напряжения
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Меньше подходят для высокочастотных приложений из-за своей медленной скорости срабатывания
    • Требуют дополнительного охлаждения при работе при больших мощностях
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных цепях
    • Защита от обратного напряжения
    • Фильтрация шумов
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы питания
    • Мобильные устройства
    • Игровые консоли
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики TZX13B-TAP

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    13 V
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    35 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 10 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    TZX13

Техническая документация

 TZX13B-TAP.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BZT55C2V4-GS08Диод: DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD80
    44Кешбэк 6 баллов
    MMSZ4681-E3-18DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123
    44Кешбэк 6 баллов
    BZX584C6V2-HG3-08Диод: DIODE ZENER AUTO 300MW SOD523
    44Кешбэк 6 баллов
    1N4729A-TAPДиод: DIODE ZENER 3.6V 1.3W DO41
    44Кешбэк 6 баллов
    BZX85B18-TRDIODE ZENER 18V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    BZX85B56-TRДиод: DIODE ZENER 56V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    BZX85B5V6-TAPДиод: DIODE ZENER 5.6V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    BZX85B3V6-TRДиод: DIODE ZENER 3.6V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    BZX85B15-TRДиод: DIODE ZENER 15V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    TZX15C-TAPDIODE ZENER 15V 500MW DO35
    46Кешбэк 6 баллов
    TZX13B-TAPDIODE ZENER 13V 500MW DO35
    46Кешбэк 6 баллов
    TZX10C-TAPDIODE ZENER 10V 500MW DO35
    46Кешбэк 6 баллов
    MMSZ5248C-E3-08DIODE ZENER 18V 500MW SOD123
    46Кешбэк 6 баллов
    TZX8V2B-TAPДиод: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
    46Кешбэк 6 баллов
    BZX384C16-E3-08DIODE ZENER 16V 200MW SOD323
    46Кешбэк 6 баллов
    BZX85B6V8-TRДиод: DIODE ZENER 6.8V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    BZX85B12-TRДиод: DIODE ZENER 12V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    BZX85B22-TRДиод: DIODE ZENER 22V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    BZX85B9V1-TAPДиод: DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    GDZ6V2B-HE3-08Диод: DIODE ZENER 6.2V 200MW SOD323
    46Кешбэк 6 баллов
    BZX85B6V2-TRДиод: DIODE ZENER 6.2V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    MMSZ5259B-HE3-08Диод: DIODE ZENER 39V 500MW SOD123
    46Кешбэк 6 баллов
    ZPY30-TAPДиод: DIODE ZENER 30V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    ZPY51-TRДиод: DIODE ZENER 51V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    ZPY12-TRДиод: DIODE ZENER 12V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    ZPY6V2-TAPДиод: DIODE ZENER 6.2V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    BZX85B8V2-TAPДиод: DIODE ZENER 8.2V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    BZX85B43-TRДиод: DIODE ZENER 43V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    BZX85B75-TRДиод: DIODE ZENER 75V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов
    ZPY9V1-TAPДиод: DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41
    46Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Модули триодных тиристоров
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП