Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
TZX6V2B-TAP
  • В избранное
  • В сравнение
TZX6V2B-TAP

TZX6V2B-TAP

TZX6V2B-TAP
;
TZX6V2B-TAP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    TZX6V2B-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена TZX6V2B-TAP при покупке от 1 шт 24.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TZX6V2B-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TZX6V2B-TAP

TZX6V2B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Диод: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение зенера: 6.2В
  • Максимальная мощность: 500 мВт
  • Форм-фактор: DO35

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения
  • Высокая мощность
  • Устойчивость к перенапряжению
  • Компактный размер

Минусы:

  • Малая емкость энергии
  • Не подходит для длительных скачков напряжения

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения
  • Защита от перенапряжения
  • Уменьшение высоких напряжений до безопасного уровня

В каких устройствах применяется:

  • Телевизоры и видеоплееры
  • Мобильные устройства
  • Автомобильные электронные системы
  • Компьютеры и серверы
  • Электронные часы и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики TZX6V2B-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    6.2 V
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    15 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 3 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    TZX6V2

Техническая документация

 TZX6V2B-TAP.pdf
pdf. 0 kb
  • 30149 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    24.7 ₽
  • 100
    7.6 ₽
  • 1000
    6.5 ₽
  • 10000
    4.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    TZX6V2B-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена TZX6V2B-TAP при покупке от 1 шт 24.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TZX6V2B-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TZX6V2B-TAP

TZX6V2B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Диод: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение зенера: 6.2В
  • Максимальная мощность: 500 мВт
  • Форм-фактор: DO35

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения
  • Высокая мощность
  • Устойчивость к перенапряжению
  • Компактный размер

Минусы:

  • Малая емкость энергии
  • Не подходит для длительных скачков напряжения

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения
  • Защита от перенапряжения
  • Уменьшение высоких напряжений до безопасного уровня

В каких устройствах применяется:

  • Телевизоры и видеоплееры
  • Мобильные устройства
  • Автомобильные электронные системы
  • Компьютеры и серверы
  • Электронные часы и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики TZX6V2B-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    6.2 V
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    15 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 3 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    TZX6V2

Техническая документация

 TZX6V2B-TAP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BZX84B3V0-7-FДиод: DIODE ZENER 3V 300MW SOT23
    50Кешбэк 7 баллов
    DDZ33ASF-7DIODE ZENER 30.45V 500MW SOD323F
    51Кешбэк 7 баллов
    GDZ4V7LP3-7DIODE ZENER 4.7V 250MW 2DFN
    65Кешбэк 9 баллов
    BZT585B3V9TQ-7Диод: DIODE ZENER 3.9V 350MW SOD523
    69Кешбэк 10 баллов
    BZT585B7V5TQ-7DIODE ZENER 7.5V 350MW SOD523
    70Кешбэк 10 баллов
    DDZ9696S-7DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323
    74Кешбэк 11 баллов
    1SMB5923BDIODE ZENER 8.2V 3W SMB
    77Кешбэк 11 баллов
    BZT585B2V4TQ-7Диод: DIODE ZENER 2.4V 350MW SOD523
    84Кешбэк 12 баллов
    BZD27C15P RVGDIODE ZENER 14.7V 1W SUB SMA
    5Кешбэк 1 балл
    UDZS33B R9GDIODE ZENER 33V 200MW SOD323F
    5.2Кешбэк 1 балл
    BZX84C3V9 RFGДиод: DIODE ZENER 3.9V 300MW SOT23
    8.7Кешбэк 1 балл
    BZT52C2V7 RHGДиод: DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C30 RHGДиод: DIODE ZENER 30V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C16 RHGДиод: DIODE ZENER 16V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C11 RHGДиод: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C20 RHGДиод: DIODE ZENER 20V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C15 RHGДиод: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C22 RHGДиод: DIODE ZENER 22V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C8V2 RHGДиод: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    MTZJ22SC R0GDIODE ZENER 21.63V 500MW DO34
    12.5Кешбэк 1 балл
    BZV55C24 L0GДиод: DIODE ZENER 24V 500MW MINI MELF
    12.5Кешбэк 1 балл
    BZT52B4V7 RHGДиод: DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123F
    12.5Кешбэк 1 балл
    BZV55B3V0 L1GДиод: DIODE ZENER 3V 500MW MINI MELF
    12.5Кешбэк 1 балл
    BZV55B3V9 L1GДиод: DIODE ZENER 3.9V 500MW MINI MELF
    12.5Кешбэк 1 балл
    1SMA4751DIODE ZENER 30V 1W SMA
    12.7Кешбэк 1 балл
    BZT52C7V5 RHGДиод: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123F
    13.3Кешбэк 1 балл
    BZT52C75 RHGДиод: DIODE ZENER 75V 500MW SOD123F
    13.3Кешбэк 1 балл
    BZS55C3V9 RXGДиод: DIODE ZENER 3.9V 500MW 1206
    15.6Кешбэк 2 балла
    BZS55C15 RXGДиод: DIODE ZENER 15V 500MW 1206
    15.6Кешбэк 2 балла
    BZS55C10 RXGДиод: DIODE ZENER 10V 500MW 1206
    15.6Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП