UF3C120080K4S

UF3C120080K4S onsemi SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение (V_CEO): 1200 В
• Номинальный ток (I_D): 33 А
• Тип: N-канальный SICFET (Silicon Carbide Field-Effect Transistor)
• Пакет: TO247-4

• Плюсы:
• Высокая частота работы: СICFETы обеспечивают более высокие рабочие частоты по сравнению с Si или SiC MOSFETами.
• Малый размер: Меньший размер и вес из-за использования SiC.
• Высокая термостойкость: Устойчивость к высоким температурам.
• Низкий утечечный ток: Малый утечечный ток обеспечивает меньшие потери энергии.

• Минусы:
• Высокая стоимость: СICFETы стоят дороже, чем Si или SiC MOSFETы.
• Необходимость специализированного оборудования: Требуется специальное оборудование для монтажа и тестирования.

• Общее назначение:
• Применяются в различных приложениях, где требуются высокие рабочие напряжения и токи, такие как:
• Системы управления электропитанием
• Электрические автомобили и гибридные системы
• Инверторы для солнечных панелей
• Системы электропривода

В каких устройствах применяется: Элементы такого типа широко используются в устройствах, где требуется сочетание высокого напряжения и тока, а также высокая эффективность и надежность, такие как инвертеры для солнечных батарей, системы электропривода, трансформаторы и другие приборы высокой мощности.