Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
UF3C120400K3S
  • В избранное
  • В сравнение
UF3C120400K3S

UF3C120400K3S

UF3C120400K3S
;
UF3C120400K3S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UF3C120400K3S
  • Описание:
    Транзистор: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена UF3C120400K3S при покупке от 1 шт 1962.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF3C120400K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF3C120400K3S

UF3C120400K3S onsemi Транзистор: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VCEO): 1200В
    • Номинальный ток (ID(on)): 7.6А
    • Тип: СICFET (Silicon Carbide FET)
    • Тип канала: N-канальный
    • Упаковка: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на вилке (VGS(th))
    • Высокая температурная стабильность
    • Малый размер и вес из-за использования SiC материала
    • Высокий коэффициент сопротивления при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуется более сложное проектирование системы охлаждения из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Применяется в системах управления мощностью
    • Используется в промышленных преобразователях частоты
    • Применяется в солнечных батареях для управления зарядкой аккумуляторов
    • Используется в трансформаторах питания
Выбрано: Показать

Характеристики UF3C120400K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    515mOhm @ 5A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6V @ 10mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    740 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    100W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UF3C120400

Техническая документация

 UF3C120400K3S.pdf
pdf. 0 kb
  • 122 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 962 ₽
  • 30
    1 110 ₽
  • 120
    989 ₽
  • 510
    932 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UF3C120400K3S
  • Описание:
    Транзистор: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена UF3C120400K3S при покупке от 1 шт 1962.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF3C120400K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF3C120400K3S

UF3C120400K3S onsemi Транзистор: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VCEO): 1200В
    • Номинальный ток (ID(on)): 7.6А
    • Тип: СICFET (Silicon Carbide FET)
    • Тип канала: N-канальный
    • Упаковка: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на вилке (VGS(th))
    • Высокая температурная стабильность
    • Малый размер и вес из-за использования SiC материала
    • Высокий коэффициент сопротивления при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуется более сложное проектирование системы охлаждения из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Применяется в системах управления мощностью
    • Используется в промышленных преобразователях частоты
    • Применяется в солнечных батареях для управления зарядкой аккумуляторов
    • Используется в трансформаторах питания
Выбрано: Показать

Характеристики UF3C120400K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    515mOhm @ 5A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6V @ 10mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    740 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    100W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UF3C120400

Техническая документация

 UF3C120400K3S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJ454EP-T1_BE3N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
    351Кешбэк 52 балла
    IRFB11N50APBF-BE3MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
    351Кешбэк 52 балла
    IRFR014TRLPBF-BE3MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    355Кешбэк 53 балла
    IRFR014PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ444EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQD40131EL_GE3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
    355Кешбэк 53 балла
    SQJA76EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ488EP-T2_GE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ411EP-T1_GE3MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ459EP-T1_BE3P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQJA80EP-T1_BE3N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SIHF9630STRL-GE3MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    355Кешбэк 53 балла
    SIR882BDP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
    357Кешбэк 53 балла
    SIRA01DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
    357Кешбэк 53 балла
    IRFR9014PBF-BE3P-CHANNEL 60V
    361Кешбэк 54 балла
    SIHP6N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
    361Кешбэк 54 балла
    SQJ858AEP-T1_BE3MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
    365Кешбэк 54 балла
    SIHF9630S-GE3MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    365Кешбэк 54 балла
    SIJ450DP-T1-GE3N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
    367Кешбэк 55 баллов
    IRL520PBF-BE3MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
    367Кешбэк 55 баллов
    SIR626DP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
    369Кешбэк 55 баллов
    IRF840BPBF-BE3MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    IRF840PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    SQJA72EP-T1_BE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
    370Кешбэк 55 баллов
    SIR800ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ433EP-T1_GE3MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ443EP-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ433EP-T1_BE3P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
    371Кешбэк 55 баллов
    SIHP15N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
    372Кешбэк 55 баллов
    SIJ438DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
    374Кешбэк 56 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП