Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
UF3SC065040B7S
  • В избранное
  • В сравнение
UF3SC065040B7S

UF3SC065040B7S

UF3SC065040B7S
;
UF3SC065040B7S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UF3SC065040B7S
  • Описание:
    650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST CВсе характеристики

Минимальная цена UF3SC065040B7S при покупке от 1 шт 3356.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF3SC065040B7S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF3SC065040B7S

UF3SC065040B7S от ON Semiconductor

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Размер сопротивления: 40МΩ
    • Технология: SiC (silicon carbide)
    • Структура: стекнутый (stacked)
    • Тип: FAST (fast recovery)
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Компактность
    • Эффективность при работе в высокочастотных режимах
    • Устойчивость к тепловым нагрузкам
    • Малое количество энергии потерь
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуются специфические условия для работы и охлаждения
    • Технология производства сложная
  • Общее назначение:
    • Применяются в различных приборах, требующих высокой эффективности и компактности, таких как:
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления энергопотреблением
    • Питание серверных систем
    • Инверторы и преобразователи
    • Солнечные панели и системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики UF3SC065040B7S

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    43A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    52mOhm @ 30A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6V @ 10mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43 nC @ 12 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1500 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    195W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Техническая документация

 UF3SC065040B7S.pdf
pdf. 0 kb
  • 8423 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 356 ₽
  • 10
    2 385 ₽
  • 100
    2 233 ₽
  • 800
    1 824 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UF3SC065040B7S
  • Описание:
    650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST CВсе характеристики

Минимальная цена UF3SC065040B7S при покупке от 1 шт 3356.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF3SC065040B7S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF3SC065040B7S

UF3SC065040B7S от ON Semiconductor

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Размер сопротивления: 40МΩ
    • Технология: SiC (silicon carbide)
    • Структура: стекнутый (stacked)
    • Тип: FAST (fast recovery)
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Компактность
    • Эффективность при работе в высокочастотных режимах
    • Устойчивость к тепловым нагрузкам
    • Малое количество энергии потерь
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуются специфические условия для работы и охлаждения
    • Технология производства сложная
  • Общее назначение:
    • Применяются в различных приборах, требующих высокой эффективности и компактности, таких как:
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления энергопотреблением
    • Питание серверных систем
    • Инверторы и преобразователи
    • Солнечные панели и системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики UF3SC065040B7S

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    43A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    52mOhm @ 30A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6V @ 10mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43 nC @ 12 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1500 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    195W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Техническая документация

 UF3SC065040B7S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FCH041N65EF-F155MOSFET N-CH 650V 76A TO247
    2 821Кешбэк 423 балла
    FCH041N60F-F085MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3
    2 890Кешбэк 433 балла
    NTHL040N65S3HFMOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
    2 898Кешбэк 434 балла
    NVHL080N120SC1SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
    2 930Кешбэк 439 баллов
    UF3C065040B3MOSFET N-CH 650V 41A TO263
    2 957Кешбэк 443 балла
    FCH041N65F-F085MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
    3 015Кешбэк 452 балла
    NVH4L060N090SC1-
    3 090Кешбэк 463 балла
    NVHL025N65S3MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
    3 119Кешбэк 467 баллов
    NTH4L022N120M3SSIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
    3 141Кешбэк 471 балл
    UF3C120080K3SSICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
    3 237Кешбэк 485 баллов
    UJ3C120080K3SSICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
    3 240Кешбэк 486 баллов
    UF3C120080K4SSICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
    3 240Кешбэк 486 баллов
    NTHL025N065SC1SIC MOS TO247-3L 650V
    3 263Кешбэк 489 баллов
    NTHL019N60S5FSUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
    3 323Кешбэк 498 баллов
    NTHL040N65S3FMOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
    3 331Кешбэк 499 баллов
    FCH029N65S3-F155MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
    3 331Кешбэк 499 баллов
    NVBGS4D1N15MCТранзистор: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
    3 349Кешбэк 502 балла
    UF3SC065040B7S650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
    3 356Кешбэк 503 балла
    NVHL027N65S3FMOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
    3 360Кешбэк 504 балла
    NTHL019N65S3HMOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
    3 385Кешбэк 507 баллов
    UF3C120080B7SSICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
    3 460Кешбэк 519 баллов
    NVBG045N065SC1SIC MOS D2PAK-7L 650V
    3 477Кешбэк 521 балл
    NVBG060N090SC1MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
    3 483Кешбэк 522 балла
    FCH085N80-F155MOSFET N-CH 800V 46A TO247
    3 502Кешбэк 525 баллов
    FCH060N80-F155MOSFET N-CH 800V 56A TO247
    3 554Кешбэк 533 балла
    NVH4L040N120SC1SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
    3 574Кешбэк 536 баллов
    NTH027N65S3F-F155MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
    3 601Кешбэк 540 баллов
    NVH4L045N065SC1SIC MOS TO247-4L 650V
    3 637Кешбэк 545 баллов
    UJ3C120070K3SТранзистор: SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
    3 785Кешбэк 567 баллов
    NTHL040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
    3 845Кешбэк 576 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторные модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП