Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
UF4C120053K4S
  • В избранное
  • В сравнение
UF4C120053K4S

UF4C120053K4S

UF4C120053K4S
;
UF4C120053K4S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UF4C120053K4S
  • Описание:
    1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,Все характеристики

Минимальная цена UF4C120053K4S при покупке от 1 шт 3167.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF4C120053K4S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF4C120053K4S

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка UF4C120053K4S: Это маркировка полупроводникового элемента.
    • Производитель ON Semiconductor: Компания известна своим широким ассортиментом интегральных схем и компонентов для электроники.

    Основные параметры:

    • 1200V: Максимальное напряжение, которое может выдерживать элемент.
    • 53MOHM: Затухание (розжиг) вольт-амперной характеристики.
    • SIC (Silicon Carbide): Материал, из которого изготовлен элемент.
    • FAST CASCODE: Структура устройства, обеспечивающая высокую скорость и надежность работы.

    Плюсы:

    • Высокая скорость: Благодаря структуре FAST CASCODE, элемент имеет высокую скорость переключения.
    • Высокое напряжение: Выдерживает до 1200В, что важно для высоковольтных приложений.
    • Низкое затухание: Малый затухание обеспечивает эффективное использование энергии.
    • Компактность: Из-за использования SiC, устройство может быть более компактным по сравнению с аналогичными элементами на основе Si.

    Минусы:

    • Высокая стоимость: SiC компоненты обычно дороже, чем их Si аналоги.
    • Требуют специального проектирования: Для оптимального использования SiC элементов требуются особые знания и опыт.
    • Тепловая устойчивость: Хотя SiC обладает хорошей термостойкостью, в некоторых условиях может быть менее стабильным по сравнению с Si.

    Общее назначение:

    • Промышленная электроника: Используется в системах управления приводами, преобразователях энергии и трансформаторах.
    • Автомобильная электроника: Подходит для высоковольтных приложений в автомобилях, таких как системы питания и зарядки аккумуляторов.
    • Солнечные панели: Может использоваться в преобразователях энергии для солнечных панелей.

    В каких устройствах применяется:

    • Инверторы: Для преобразования переменного напряжения в постоянное и наоборот.
    • Предохранители: Защитные устройства для предотвращения перегрузок и коротких замыканий.
    • Переходники: Для изменения уровня напряжения в электрических сетях.
Выбрано: Показать

Характеристики UF4C120053K4S

  • Технология
    SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    34A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    67mOhm @ 20A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6V @ 10mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    37.8 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1370 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    263W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Корпус
    TO-247-4

Техническая документация

 UF4C120053K4S.pdf
pdf. 0 kb
  • 180 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 167 ₽
  • 30
    1 963 ₽
  • 120
    1 715 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UF4C120053K4S
  • Описание:
    1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,Все характеристики

Минимальная цена UF4C120053K4S при покупке от 1 шт 3167.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF4C120053K4S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF4C120053K4S

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка UF4C120053K4S: Это маркировка полупроводникового элемента.
    • Производитель ON Semiconductor: Компания известна своим широким ассортиментом интегральных схем и компонентов для электроники.

    Основные параметры:

    • 1200V: Максимальное напряжение, которое может выдерживать элемент.
    • 53MOHM: Затухание (розжиг) вольт-амперной характеристики.
    • SIC (Silicon Carbide): Материал, из которого изготовлен элемент.
    • FAST CASCODE: Структура устройства, обеспечивающая высокую скорость и надежность работы.

    Плюсы:

    • Высокая скорость: Благодаря структуре FAST CASCODE, элемент имеет высокую скорость переключения.
    • Высокое напряжение: Выдерживает до 1200В, что важно для высоковольтных приложений.
    • Низкое затухание: Малый затухание обеспечивает эффективное использование энергии.
    • Компактность: Из-за использования SiC, устройство может быть более компактным по сравнению с аналогичными элементами на основе Si.

    Минусы:

    • Высокая стоимость: SiC компоненты обычно дороже, чем их Si аналоги.
    • Требуют специального проектирования: Для оптимального использования SiC элементов требуются особые знания и опыт.
    • Тепловая устойчивость: Хотя SiC обладает хорошей термостойкостью, в некоторых условиях может быть менее стабильным по сравнению с Si.

    Общее назначение:

    • Промышленная электроника: Используется в системах управления приводами, преобразователях энергии и трансформаторах.
    • Автомобильная электроника: Подходит для высоковольтных приложений в автомобилях, таких как системы питания и зарядки аккумуляторов.
    • Солнечные панели: Может использоваться в преобразователях энергии для солнечных панелей.

    В каких устройствах применяется:

    • Инверторы: Для преобразования переменного напряжения в постоянное и наоборот.
    • Предохранители: Защитные устройства для предотвращения перегрузок и коротких замыканий.
    • Переходники: Для изменения уровня напряжения в электрических сетях.
Выбрано: Показать

Характеристики UF4C120053K4S

  • Технология
    SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    34A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    67mOhm @ 20A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6V @ 10mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    37.8 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1370 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    263W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Корпус
    TO-247-4

Техническая документация

 UF4C120053K4S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQD100N02-3M5L_GE3MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
    408Кешбэк 61 балл
    SQ4410EY-T1_BE3MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
    307Кешбэк 46 баллов
    SIR638ADP-T1-RE3MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
    449Кешбэк 67 баллов
    SQJQ148ER-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
    629Кешбэк 94 балла
    SIDR570EP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
    655Кешбэк 98 баллов
    SQJQ112ER-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
    881Кешбэк 132 балла
    SISA24DN-T1-GE3MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
    248Кешбэк 37 баллов
    SIR104DP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
    583Кешбэк 87 баллов
    SIS782DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
    186Кешбэк 27 баллов
    SISS30LDN-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK
    338Кешбэк 50 баллов
    SIRA52DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    362Кешбэк 54 балла
    SIR140DP-T1-RE3MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
    430Кешбэк 64 балла
    SQA700CEJW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
    154Кешбэк 23 балла
    SUM70030E-GE3MOSFET N-CH 100V 150A TO263
    734Кешбэк 110 баллов
    SIS888DN-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
    401Кешбэк 60 баллов
    SQD07N25-350H_GE3MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
    417Кешбэк 62 балла
    SQS484CENW-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
    197Кешбэк 29 баллов
    SIHK075N60E-T1-GE3E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
    1 440Кешбэк 216 баллов
    SQ4483EY-T1_BE3MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
    335Кешбэк 50 баллов
    SQM60030E_GE3MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    890Кешбэк 133 балла
    SIR608DP-T1-RE3MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
    445Кешбэк 66 баллов
    SQ4005EY-T1_BE3MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
    283Кешбэк 42 балла
    SIDR510EP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
    686Кешбэк 102 балла
    SIR104ADP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
    506Кешбэк 75 баллов
    SQS462EN-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
    287Кешбэк 43 балла
    SIHD180N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
    656Кешбэк 98 баллов
    SIA108DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
    237Кешбэк 35 баллов
    SQJQ131EL-T1_GE3AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
    791Кешбэк 118 баллов
    SIHD690N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
    322Кешбэк 48 баллов
    SQ9407EY-T1_GE3MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
    316Кешбэк 47 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП