Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
UG06CH
  • В избранное
  • В сравнение
UG06CH

UG06CH

UG06CH
;
UG06CH

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    UG06CH
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 150V 600MA TS-1Все характеристики

Минимальная цена UG06CH при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UG06CH с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UG06CH

Диод G06CH от Taiwan Semiconductor Corporation

  • Номинальное напряжение: 150В
  • Номинальный ток: 600мА
  • Тип: Общего назначения (GEN)

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Устойчивость к обратному напряжению
  • Компактный размер

Минусы:

  • Низкий ток при максимальном напряжении
  • Не предназначен для высокочастотных применений

Общее назначение:

  • Защита электронных схем от обратного напряжения
  • Ограничение тока в различных приборах
  • Регулировка напряжения в цепях

Применяется в:

  • Маломощных электронных устройствах
  • Автомобильной электронике
  • Промышленных контроллерах
  • Медицинской технике
Выбрано: Показать

Характеристики UG06CH

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    600mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    950 mV @ 600 mA
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    15 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 150 V
  • Емкость @ Vr, F
    9pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    T-18, Axial
  • Исполнение корпуса
    TS-1
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    UG06

Техническая документация

 UG06CH.pdf
pdf. 0 kb
  • 4350 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    74 ₽
  • 100
    29 ₽
  • 1000
    19 ₽
  • 5000
    15 ₽
  • 15000
    13 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    UG06CH
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 150V 600MA TS-1Все характеристики

Минимальная цена UG06CH при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UG06CH с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UG06CH

Диод G06CH от Taiwan Semiconductor Corporation

  • Номинальное напряжение: 150В
  • Номинальный ток: 600мА
  • Тип: Общего назначения (GEN)

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Устойчивость к обратному напряжению
  • Компактный размер

Минусы:

  • Низкий ток при максимальном напряжении
  • Не предназначен для высокочастотных применений

Общее назначение:

  • Защита электронных схем от обратного напряжения
  • Ограничение тока в различных приборах
  • Регулировка напряжения в цепях

Применяется в:

  • Маломощных электронных устройствах
  • Автомобильной электронике
  • Промышленных контроллерах
  • Медицинской технике
Выбрано: Показать

Характеристики UG06CH

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    600mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    950 mV @ 600 mA
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    15 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 150 V
  • Емкость @ Vr, F
    9pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    T-18, Axial
  • Исполнение корпуса
    TS-1
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    UG06

Техническая документация

 UG06CH.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RB162LAM-40TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    120Кешбэк 18 баллов
    RBR1VWM60ATRLOW VF, 60V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    120Кешбэк 18 баллов
    RBR1VWM30ATRLOW VF, 30V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    120Кешбэк 18 баллов
    RSX501LAM20TRДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 5A PMDTM
    122Кешбэк 18 баллов
    RR2LAM4STFTRDIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM
    122Кешбэк 18 баллов
    RB068VWM100TFTR100V, 2A, SINGLE, PMDE, ULTRA LO
    122Кешбэк 18 баллов
    RRU1LAM4STFTRRECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI
    122Кешбэк 18 баллов
    RBR10T30ANZC9RBR10T30ANZ IS LOW VF
    122Кешбэк 18 баллов
    RB088LAM-30TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    122Кешбэк 18 баллов
    RBR2LAM30ATRDIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR2LAM60ATRDIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RR2LAM6STFTRDIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3LAM40CTRДиод: RBR3LAM40C IS LOW VF
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR1L60ADDTE25LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    123Кешбэк 18 баллов
    RB058LAM150TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    123Кешбэк 18 баллов
    RB160LAM-90TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    123Кешбэк 18 баллов
    RB068LAM-30TRDIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3LAM40BTRDIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3L40CDDTE25LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR5LAM30ATRДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RB058LAM-60TFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR1VWM40ATFTRLOW VF, 40V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    125Кешбэк 18 баллов
    RR1LAM6STFTRRECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR2VWM30ATRLOW VF, 30V, 2A, SCHOTTKY BARRIE
    125Кешбэк 18 баллов
    RB068LAM-40TRDIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDTM
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR1L30ADDTE25LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    125Кешбэк 18 баллов
    RB450UMTLRB450UM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR2VWM60ATRLOW VF, 60V, 2A, SCHOTTKY BARRIE
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR2VWM40ATFTRLOW VF, 40V, 2A, SCHOTTKY BARRIE
    127Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП