Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
UJ3D1210KS
  • В избранное
  • В сравнение
UJ3D1210KS

UJ3D1210KS

UJ3D1210KS
;
UJ3D1210KS

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3D1210KS
  • Описание:
    1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3,Все характеристики

Минимальная цена UJ3D1210KS при покупке от 1 шт 1686.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3D1210KS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3D1210KS

UJ3D1210KS от ON Semiconductor

  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Рейтингный ток: 10А
  • Тип диода: SCHOTTKY (Шоттки)
  • Технология: SIC (Силиконовый кремний)
  • Группа: G3

Плюсы:

  • Высокая скорость перехода (быстрый спурт)
  • Малое напряжения срабатывания (низкий вольт-пад)
  • Устойчивость к перегреву
  • Эффективность при работе при высоких температурах

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
  • Требуются дополнительные меры по управлению теплом

Общее назначение:

  • Использование в системах управления мощностью
  • Применение в источниках питания
  • Работа в трансформаторах и инверторах
  • Для защиты электронных схем от обратного напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
  • Мощные источники питания
  • Инверторы для домашнего использования
  • Тепловые модули
  • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3D1210KS

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 10 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    110 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    510pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    UJ3D1210

Техническая документация

 UJ3D1210KS.pdf
pdf. 0 kb
  • 600 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 686 ₽
  • 10
    1 154 ₽
  • 100
    853 ₽
  • 600
    753 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3D1210KS
  • Описание:
    1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3,Все характеристики

Минимальная цена UJ3D1210KS при покупке от 1 шт 1686.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3D1210KS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3D1210KS

UJ3D1210KS от ON Semiconductor

  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Рейтингный ток: 10А
  • Тип диода: SCHOTTKY (Шоттки)
  • Технология: SIC (Силиконовый кремний)
  • Группа: G3

Плюсы:

  • Высокая скорость перехода (быстрый спурт)
  • Малое напряжения срабатывания (низкий вольт-пад)
  • Устойчивость к перегреву
  • Эффективность при работе при высоких температурах

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
  • Требуются дополнительные меры по управлению теплом

Общее назначение:

  • Использование в системах управления мощностью
  • Применение в источниках питания
  • Работа в трансформаторах и инверторах
  • Для защиты электронных схем от обратного напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
  • Мощные источники питания
  • Инверторы для домашнего использования
  • Тепловые модули
  • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3D1210KS

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 10 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    110 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    510pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    UJ3D1210

Техническая документация

 UJ3D1210KS.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    119Кешбэк 17 баллов
    MUR160SDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    83Кешбэк 12 баллов
    BYG10YHE3_A/H1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-3EYH01HM3/HFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    87Кешбэк 13 баллов
    STTH30RQ06G-TRДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    521Кешбэк 78 баллов
    V15P8HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 80V 15A TO277A
    237Кешбэк 35 баллов
    SB590Диод: SCHOTTKY DO-201 90V 5A
    91Кешбэк 13 баллов
    SGL34-50Диод: SCHOTTKY DO-213AA 50V 0.5A
    18Кешбэк 2 балла
    CDBMS1150-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD-123F
    70Кешбэк 10 баллов
    SUF4007Диод: DIODE UFR MELF 1000V 1A
    59Кешбэк 8 баллов
    CMH07(TE12L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
    148Кешбэк 22 балла
    SBT1040-3GSchottky, 40V, 10A, 0.50V, 135A
    233Кешбэк 34 балла
    RURP1540RECTIFIER, AVALANCHE, 15A, 400V
    306Кешбэк 45 баллов
    RB168L-40TFTE25Диод: SUPER LOW IR TYPE AUTOMOTIVE SCH
    96Кешбэк 14 баллов
    SFAS805GDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS805GHDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS806GHDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS808GHDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
    272Кешбэк 40 баллов
    SDURB1040DIODE GEN PURP 400V D2PAK
    60Кешбэк 9 баллов
    1SS388_R1_00001SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
    29.6Кешбэк 4 балла
    SFAS804GDIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
    269Кешбэк 40 баллов
    SFS1008GDIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
    276Кешбэк 41 балл
    SBRFP10U60D1-13Диод: SUPERBARRIERRECTIFIERTO252T&R2.5
    183Кешбэк 27 баллов
    ER2G_R1_00001SMB, SUPER
    94Кешбэк 14 баллов
    ES1G_R1_00001Диод: SMA, SUPER
    59Кешбэк 8 баллов
    FESF16JTHE3_A/PDIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC
    521Кешбэк 78 баллов
    VS-15ETH06STRR-M3DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
    295Кешбэк 44 балла
    SFAS806GDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    1N5400KДиод: DIODE STD DO-15 50V 3A
    53Кешбэк 7 баллов
    S3GSMBДиод: DIODE STD SMB 400V 3A
    48Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП