Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
UJ3D1220K2
  • В избранное
  • В сравнение
UJ3D1220K2

UJ3D1220K2

UJ3D1220K2
;
UJ3D1220K2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3D1220K2
  • Описание:
    1200V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3,Все характеристики

Минимальная цена UJ3D1220K2 при покупке от 1 шт 2454.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3D1220K2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3D1220K2

UJ3D1220K2 onsemi 1200V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Рейтингный ток: 20А
    • Тип: SIC (Silicon Carbide) Schottky диод
    • Группа: G3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий ток шунтирования
    • Высокий КПД
    • Малые потери при работе
    • Высокая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требует специального подхода к проектированию и монтажу
    • Необходимо соблюдать особые требования к охлаждению
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Применяется в промышленной электронике
    • Способствует повышению эффективности преобразователей энергии
    • Подходит для использования в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Преобразователи энергии
    • Инверторы
    • Батареи солнечных панелей
    • Системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3D1220K2

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 20 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    190 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    810pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-2
  • Исполнение корпуса
    TO-247-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    UJ3D1220

Техническая документация

 UJ3D1220K2.pdf
pdf. 0 kb
  • 268 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 454 ₽
  • 30
    1 484 ₽
  • 120
    1 271 ₽
  • 510
    1 222 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3D1220K2
  • Описание:
    1200V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3,Все характеристики

Минимальная цена UJ3D1220K2 при покупке от 1 шт 2454.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3D1220K2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3D1220K2

UJ3D1220K2 onsemi 1200V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Рейтингный ток: 20А
    • Тип: SIC (Silicon Carbide) Schottky диод
    • Группа: G3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий ток шунтирования
    • Высокий КПД
    • Малые потери при работе
    • Высокая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требует специального подхода к проектированию и монтажу
    • Необходимо соблюдать особые требования к охлаждению
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Применяется в промышленной электронике
    • Способствует повышению эффективности преобразователей энергии
    • Подходит для использования в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Преобразователи энергии
    • Инверторы
    • Батареи солнечных панелей
    • Системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3D1220K2

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 20 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    190 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    810pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-2
  • Исполнение корпуса
    TO-247-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    UJ3D1220

Техническая документация

 UJ3D1220K2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FFSH1065B-F085650V 10A SIC SBD GEN1.5
    1 431Кешбэк 214 баллов
    FFSP2065BDN-F085SIC DIODE 650V 20A
    1 436Кешбэк 215 баллов
    FFSP2065B-F085SIC DIODE 650V
    1 469Кешбэк 220 баллов
    FFSP3065AДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2
    1 473Кешбэк 220 баллов
    FFSH1665ADN-F155650V 16A SIC SBD
    1 486Кешбэк 222 балла
    UJ3D06520TS650V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
    1 509Кешбэк 226 баллов
    FFSH3065A650V 30A SIC SBD
    1 528Кешбэк 229 баллов
    FFSP3065B-F085SIC DIODE 650V
    1 539Кешбэк 230 баллов
    FFSH10120A1200V 10A SIC SBD
    1 575Кешбэк 236 баллов
    FFSB10120A-F0851200V 10A AUTO SIC SBD
    1 596Кешбэк 239 баллов
    FFSB3065B-F085650V 30A SIC SBD GEN1.5
    1 596Кешбэк 239 баллов
    UJ3D06530TSДиод: 650V 30A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
    1 708Кешбэк 256 баллов
    FFSB20120ADIODE SBD 10A 120V D2PAK-3
    1 727Кешбэк 259 баллов
    UJ3D1210KS1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
    1 727Кешбэк 259 баллов
    FFSH10120A-F0851200V 10A AUTO SIC SBD
    1 770Кешбэк 265 баллов
    FFSH2065ADN-F155650V 20A SIC SBD
    1 780Кешбэк 267 баллов
    FFSH20120ADN-F0851200V 20A AUTO SIC SBD
    1 786Кешбэк 267 баллов
    FFSH3065ADN-F155650V 30A SIC SBD
    1 816Кешбэк 272 балла
    FFSH2065B-F085SIC DIODE 650V
    1 829Кешбэк 274 балла
    NDSH10170ASIC JBS 1700V 10A TO247
    1 939Кешбэк 290 баллов
    FFSH3065B-F085650V 30A SIC SBD GEN1.5
    1 945Кешбэк 291 балл
    FFSP4065BDN-F085SIC DIODE 650V 40A
    2 063Кешбэк 309 баллов
    FFSH20120A-F0851200V 20A AUTO SIC SBD
    2 194Кешбэк 329 баллов
    NVDSH20120CSIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
    2 245Кешбэк 336 баллов
    FFSH4065A650V 40A SIC SBD
    2 393Кешбэк 358 баллов
    UJ3D1220K21200V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
    2 454Кешбэк 368 баллов
    FFSH4065BDN-F085SIC DIODE 650V
    2 526Кешбэк 378 баллов
    NDSH25170ASIC JBS 1700V 25A TO247
    2 560Кешбэк 384 балла
    FFSH5065A650V 50A SIC SBD
    2 569Кешбэк 385 баллов
    FFSB20120A-F0851200V 20A AUTO SIC SBD
    2 693Кешбэк 403 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП