Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
UMG9NTR
  • В избранное
  • В сравнение
UMG9NTR

UMG9NTR

UMG9NTR
;
UMG9NTR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    UMG9NTR
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5Все характеристики

Минимальная цена UMG9NTR при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UMG9NTR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UMG9NTR

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 от ROHM Semiconductor

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: 2NPN
    • Мощность: 0.15 Вт
    • Номинальное напряжение базы-эмиттера: ~0.6 В
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: ~30 В
    • Коэффициент усиления hFE: 100-400
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря технологии ROHM
    • Устойчивость к перегреву благодаря низкому тепловому сопротивлению
    • Надежное предварительное подавление шумов (PREBIAS)
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с другими транзисторами
    • Необходимость дополнительного охлаждения для достижения максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Импульсная передача сигнала
    • Усилительный элемент в различных электронных устройствах
    • Шумоподавление в системах связи
  • Применение:
    • Мобильные телефоны
    • Системы связи
    • Автомобильные системы
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики UMG9NTR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Исполнение корпуса
    UMT5
  • Base Product Number
    UMG9

Техническая документация

 UMG9NTR.pdf
pdf. 0 kb
  • 14407 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    85 ₽
  • 100
    32 ₽
  • 1000
    22.6 ₽
  • 6000
    14.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    UMG9NTR
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5Все характеристики

Минимальная цена UMG9NTR при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UMG9NTR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UMG9NTR

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 от ROHM Semiconductor

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: 2NPN
    • Мощность: 0.15 Вт
    • Номинальное напряжение базы-эмиттера: ~0.6 В
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: ~30 В
    • Коэффициент усиления hFE: 100-400
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря технологии ROHM
    • Устойчивость к перегреву благодаря низкому тепловому сопротивлению
    • Надежное предварительное подавление шумов (PREBIAS)
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с другими транзисторами
    • Необходимость дополнительного охлаждения для достижения максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Импульсная передача сигнала
    • Усилительный элемент в различных электронных устройствах
    • Шумоподавление в системах связи
  • Применение:
    • Мобильные телефоны
    • Системы связи
    • Автомобильные системы
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики UMG9NTR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Исполнение корпуса
    UMT5
  • Base Product Number
    UMG9

Техническая документация

 UMG9NTR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    EMA6DXV5T5GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC113EDXV6T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC143TDXV6T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA114TDXV6T5Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA144WDP6T5GТранзистор
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA114EDXV6T5Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA144EDXV6T5Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC143ZPDXV6T5Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5116DW1T1TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    MUN5114DW1T1TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC123JPDXV6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC124EPDXV6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    MUN5315DW1T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC124EDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    MUN5212DW1T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC114TDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC114YDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC114YPDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSTB60BDW1T1Транзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    MUN5311DW1T1Транзистор
    14.8Кешбэк 2 балла
    EMA6DXV5T1GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
    16Кешбэк 2 балла
    NSVMUN5133DW1T1GТранзистор
    16Кешбэк 2 балла
    NSBC115TPDP6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
    16.7Кешбэк 2 балла
    NSBC123TPDP6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
    16.7Кешбэк 2 балла
    NSBA123TDP6T5GTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
    16.7Кешбэк 2 балла
    NSBA115TDP6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
    16.7Кешбэк 2 балла
    NSBC143ZDXV6T5GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    16.7Кешбэк 2 балла
    NSBC143EPDXV6T1TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    16.8Кешбэк 2 балла
    NSBC114YPDXV6T1
    16.8Кешбэк 2 балла
    NSBC124EPDXV6T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    16.8Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП