Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
US1D
  • В избранное
  • В сравнение
US1D

US1D

US1D
;
US1D

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    US1D
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACВсе характеристики

Минимальная цена US1D при покупке от 1 шт 76.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить US1D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание US1D

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 200В
    • Номинальный ток: 1А
    • Пакет: DO214AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Компактный размер
    • Высокая скорость перехода
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к температурным колебаниям
    • Необходимо соблюдать правильную установку для предотвращения тепловых проблем
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Регулировка напряжения
    • Переключение сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Мобильные устройства
    • Электронные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики US1D

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -50°C ~ 150°C

Техническая документация

 US1D.pdf
pdf. 0 kb
  • 10881 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    76 ₽
  • 100
    29.5 ₽
  • 1000
    19.5 ₽
  • 7500
    14.4 ₽
  • 22500
    12.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    US1D
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACВсе характеристики

Минимальная цена US1D при покупке от 1 шт 76.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить US1D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание US1D

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 200В
    • Номинальный ток: 1А
    • Пакет: DO214AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Компактный размер
    • Высокая скорость перехода
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к температурным колебаниям
    • Необходимо соблюдать правильную установку для предотвращения тепловых проблем
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Регулировка напряжения
    • Переключение сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Мобильные устройства
    • Электронные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики US1D

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -50°C ~ 150°C

Техническая документация

 US1D.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RB162LAM-40TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    120Кешбэк 18 баллов
    RBR1VWM60ATRLOW VF, 60V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    120Кешбэк 18 баллов
    RBR1VWM30ATRLOW VF, 30V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    120Кешбэк 18 баллов
    RSX501LAM20TRДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 5A PMDTM
    122Кешбэк 18 баллов
    RR2LAM4STFTRDIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM
    122Кешбэк 18 баллов
    RB068VWM100TFTR100V, 2A, SINGLE, PMDE, ULTRA LO
    122Кешбэк 18 баллов
    RRU1LAM4STFTRRECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI
    122Кешбэк 18 баллов
    RBR10T30ANZC9RBR10T30ANZ IS LOW VF
    122Кешбэк 18 баллов
    RB088LAM-30TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    122Кешбэк 18 баллов
    RBR2LAM30ATRDIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR2LAM60ATRDIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RR2LAM6STFTRDIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3LAM40CTRДиод: RBR3LAM40C IS LOW VF
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR1L60ADDTE25LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    123Кешбэк 18 баллов
    RB058LAM150TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    123Кешбэк 18 баллов
    RB160LAM-90TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    123Кешбэк 18 баллов
    RB068LAM-30TRDIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3LAM40BTRDIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3L40CDDTE25LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR5LAM30ATRДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RB058LAM-60TFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR1VWM40ATFTRLOW VF, 40V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    125Кешбэк 18 баллов
    RR1LAM6STFTRRECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR2VWM30ATRLOW VF, 30V, 2A, SCHOTTKY BARRIE
    125Кешбэк 18 баллов
    RB068LAM-40TRDIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDTM
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR1L30ADDTE25LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    125Кешбэк 18 баллов
    RB450UMTLRB450UM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR2VWM60ATRLOW VF, 60V, 2A, SCHOTTKY BARRIE
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR2VWM40ATFTRLOW VF, 40V, 2A, SCHOTTKY BARRIE
    127Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы специального назначения
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули триодных тиристоров
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП